SMG-5250 Sähkömagneettinen yhteensopivuus (EMC) Jari Kangas jari.kangas@tut.fi Tampereen teknillinen yliopisto Elektroniikan laitos



Samankaltaiset tiedostot
ELEC C4140 Kenttäteoria (syksy 2015)

ELEC C4140 Kenttäteoria (syksy 2016)

Scanned by CamScanner

SMG-5250 Sähkömagneettinen yhteensopivuus (EMC) Jari Kangas Tampereen teknillinen yliopisto Elektroniikan laitos

SMG-5250 Sähkömagneettinen yhteensopivuus (EMC) Jari Kangas Tampereen teknillinen yliopisto Elektroniikan laitos

ELEC-A4130 Sähkö ja magnetismi (5 op)

SMG-5250 Sähkömagneettinen yhteensopivuus (EMC) Jari Kangas Tampereen teknillinen yliopisto Elektroniikan laitos

ELEC C4140 Kenttäteoria (syksy 2016)

ELEC C4140 Kenttäteoria (syksy 2016)

Häiriöt kaukokentässä

ELEC C4140 Kenttäteoria (syksy 2015)

23 VALON POLARISAATIO 23.1 Johdanto Valon polarisointi ja polarisaation havaitseminen

Receiver. Nonelectrical noise sources (Temperature, chemical, etc.) ElectroMagnetic environment (Noise sources) Parametric coupling

Kenttäteoria. Viikko 10: Tasoaallon heijastuminen ja taittuminen

Polarisaatio. Timo Lehtola. 26. tammikuuta 2009

ELEC C4140 Kenttäteoria (syksy 2015)

Aaltojen heijastuminen ja taittuminen

Antennin impedanssi. Z A = R A + jx A, (7 2 ) jossa R A on sy öttöresistanssi ja X A sy öttöreak tanssi. 6. maaliskuuta 2008

XFYS4336 Havaitseva tähtitiede II

Aaltojen heijastuminen ja taittuminen


SMG-1400 SMG KENTÄT JA AALLOT 2 Kriteerit tenttiin Suuriniemi

DEE-11110: SÄHKÖTEKNIIKAN PERUSTEET

Kuva 1. Valon polarisoituminen. P = polarisaattori, A = analysaattori (kierrettävä).

521384A RADIOTEKNIIKAN PERUSTEET Harjoitus 3

RG-58U 4,5 db/30m. Spektrianalysaattori. 0,5m. 60m

Digitaalinen signaalinkäsittely Desibeliasteikko, suotimen suunnittelu

Magneettikenttä. Liikkuva sähkövaraus saa aikaan ympärilleen sähkökentän lisäksi myös magneettikentän

Aaltoputket ja mikroliuska rakenteet

SMG-5250 Sähkömagneettinen yhteensopivuus (EMC) Jari Kangas Tampereen teknillinen yliopisto Elektroniikan laitos

Magneettikentät. Haarto & Karhunen.

Valon luonne ja eteneminen. Valo on sähkömagneettista aaltoliikettä, ei tarvitse väliainetta edetäkseen

Kapasitiivinen ja induktiivinen kytkeytyminen

SMG-2100: SÄHKÖTEKNIIKKA. Kirchhoffin lait Aktiiviset piirikomponentit Resistiiviset tasasähköpiirit

Coulombin laki. Sähkökentän E voimakkuus E = F q

TÄSSÄ ON ESIMERKKEJÄ SÄHKÖ- JA MAGNETISMIOPIN KEVÄÄN 2017 MATERIAALISTA

4 Optiikka. 4.1 Valon luonne

SÄHKÖMAGNEETTINEN KYTKEYTYMINEN

ELEC C4140 Kenttäteoria (syksy 2015)

3.32. On tärkeätä muistaa, että tehosta desibeleissä puhuttaessa käytetään kerrointa 10 ja kentänvoimakkuuden yhteydessä kerrointa 20.

a P en.pdf KOKEET;

S OPTIIKKA 1/10 Laboratoriotyö: Polarisaatio POLARISAATIO. Laboratoriotyö

Kuva 1: Yksinkertainen siniaalto. Amplitudi kertoo heilahduksen laajuuden ja aallonpituus

Aaltojen heijastuminen ja taittuminen

FYSA220/1 (FYS222/1) HALLIN ILMIÖ

jonka peruslait tiivistyvät neljään ns. Maxwellin yhtälöön.

Luku 27. Tavoiteet Määrittää magneettikentän aiheuttama voima o varattuun hiukkaseen o virtajohtimeen o virtasilmukkaan

DEE Sähkötekniikan perusteet

DEE Sähkötekniikan perusteet

Sähkömagneettiset aallot

DEE-11110: SÄHKÖTEKNIIKAN PERUSTEET. Kirchhoffin lait Aktiiviset piirikomponentit Resistiiviset tasasähköpiirit

R = Ω. Jännite R:n yli suhteessa sisäänmenojännitteeseen on tällöin jännitteenjako = 1

= ωε ε ε o =8,853 pf/m

SMG-1400 SMG KENTÄT JA AALLOT 2 Kriteerit tenttiin Lehti, Niemimäki, Suuriniemi

HÄIRIÖSUOJAUS KAKSISUUNTAINEN PROSESSI SISÄISET JA ULKOISET HÄIRIÖT

MS-A0305 Differentiaali- ja integraalilaskenta 3 Luento 10: Stokesin lause

Sähkömagneettiset aallot

Jakso 8. Ampèren laki. B-kentän kenttäviivojen piirtäminen

HÄVIÖLLISEN PYÖREÄN AALTOJOHDON SIMULOINTI

EMC Säteilevä häiriö

RF-tekniikan perusteet BL50A Luento Antennit Radioaaltojen eteneminen

12. Eristeet Vapaa atomi. Muodostuva sähköinen dipolimomentti on p =! " 0 E loc (12.4)

Kvanttifysiikan perusteet 2017

Mikroskooppisten kohteiden

1 Kertaus. Lineaarinen optimointitehtävä on muotoa:

9. Vektorit. 9.1 Skalaarit ja vektorit. 9.2 Vektorit tasossa

Tfy Fysiikka IIB Mallivastaukset

VAASAN YLIOPISTO TEKNILLINEN TIEDEKUNTA SÄHKÖTEKNIIKKA. Lauri Karppi j SATE.2010 Dynaaminen kenttäteoria DIPOLIRYHMÄANTENNI.

Aaltoputket analyyttinen ratkaisu. Palataan takaisin aaltoputkitehtäv än analy y ttiseen ratkaisuun.

MS-C1340 Lineaarialgebra ja differentiaaliyhtälöt

y 2 h 2), (a) Näytä, että virtauksessa olevan fluidialkion tilavuus ei muutu.

EMC Suojan epäjatkuvuudet

FYSA242 Statistinen fysiikka, Harjoitustentti

PIENTAAJUISET SÄHKÖ- JA MAGNEETTIKENTÄT HARJOITUSTEHTÄVÄ 1. Pallomaisen solun relaksaatiotaajuus 1 + 1

4 Optiikka. 4.1 Valon luonne

EMC: Electromagnetic Compatibility Sähkömagneettinen yhteensopivuus

VAASAN YLIOPISTO TEKNILLINEN TIEDEKUNTA SÄHKÖTEKNIIKKA. Jouko Esko n85748 Juho Jaakkola n Dynaaminen Kenttäteoria GENERAATTORI.

3. Optiikka. 1. Geometrinen optiikka. 2. Aalto-optiikka. 3. Stokesin parametrit. 4. Perussuureita. 5. Kuvausvirheet. 6. Optiikan suunnittelu

SEISOVA AALTOLIIKE 1. TEORIAA

y x1 σ t 1 = c y x 1 σ t 1 = y x 2 σ t 2 y x 2 x 1 y = σ(t 2 t 1 ) x 2 x 1 y t 2 t 1

Mekaniikan jatkokurssi Fys102

Derivaatan sovellukset (ääriarvotehtävät ym.)

DEE Sähkötekniikan perusteet

VAASAN YLIOPISTO SATE.2010 DYNAAMINEN KENTTÄTEORIA: KAPPALE 1: JOHDANTO KAPPALE 2: AJAN MUKAAN MUUTTUVAT KENTÄT JA MAXWELLIN YHTÄLÖT

3.1 Lineaarikuvaukset. MS-A0004/A0006 Matriisilaskenta. 3.1 Lineaarikuvaukset. 3.1 Lineaarikuvaukset

25 INTERFEROMETRI 25.1 Johdanto

Radiotekniikan perusteet BL50A0301

SATE2010 Dynaaminen kenttäteoria syksy /6 Laskuharjoitus 6 / Siirtojohdot ja transientit häviöttömissä siirtojohdoissa

Mekaniikan jatkokurssi Fys102

Sähköstatiikka ja magnetismi

Muuntajan toiminnasta löytyy tietoja tämän työohjeen teoriaselostuksen lisäksi esimerkiksi viitteistä [1] - [4].

Ominaisarvot ja ominaisvektorit 140 / 170

Aiheena tänään. Virtasilmukka magneettikentässä Sähkömagneettinen induktio. Vaihtovirtageneraattorin toimintaperiaate Itseinduktio

Luento 10: Työ, energia ja teho. Johdanto Työ ja kineettinen energia Teho

9 VALOAALTOJEN SUPERPOSITIO

Braggin ehdon mukaan hilatasojen etäisyys (111)-tasoille on

1 Johdanto Mikä tämä kurssi on Hieman taustaa Elektrodynamiikan perusrakenne Kirjallisuutta... 8

766320A SOVELTAVA SÄHKÖMAGNETIIKKA, ohjeita tenttiin ja muutamia teoriavinkkejä sekä pari esimerkkilaskua

SMG-2100: SÄHKÖTEKNIIKKA

Transkriptio:

SMG-5250 Sähkömagneettinen yhteensopivuus (EMC) Jari Kangas jari.kangas@tut.fi Tampereen teknillinen yliopisto Elektroniikan laitos Sähkömagnetiikka 2009 1

Esimerkki: Kun halutaan suojautua sähkömagneettisia häiriöitä vastaan, on metallisuojus oiva vaimennin. Metalli ei kuitenkaan ole ideaalinen johde, vaan aina pieni osa siihen tulevasta kentästä pääsee tunkeutumaan äärellisen paksuisen levyn läpi. Levy vaimentaa kahdesta syystä: 1. Levyn molemmista pinnoista tapahtuu voimakas heijastus, koska ilman ja metallimateriaalin sähköinen kontrasti on suuri. Tämän voi laskea heijastuskertoimen avulla. 2. Levyyn syntyvät pyörrevirrat muuttavat sähkömagneettista energiaa lämmöksi. Tämän vaikutuksen voi laskea esim. tasoaallon vaimennuksen avulla. 2

Tutkitaan tässä esimerkissä, kumpi näistä vaimennustekijöistä on voimakkaampi. Oletetaan, että tasoaalto tulee kohtisuoraan kuparilevyä päin. Olkoon aallon taajuus 10 GHz ja käytetään kuparin materiaaliparametreina µ = µ 0 ja σ = 5.7 10 7. Lasketaan ensiksi, kuinka monta desibeliä vaimennusta tulee heijastuksessa. Lasketaan sitten kuinka monta desibeliä kupari vaimentaa metriä kohden. 1. Heijastushäviön voi laskea heijastuskertoimen avulla. Kun kentän heijastuskerroin on γ, tehoa katoaa heijastuksessa 1- γ 2. Huomaa itseisarvo, sillä heijastuskerroin voi olla kompleksiluku: γ = η η 0 η + η 0, (1) missa η 0 = µ0 ɛ 0 on ilman aaltoimpedanssi, η metallin. 3

Kuparille johtavuus dominoi permittiivisyyttä eli ɛ c = j σ ω, joka siis on itseisarvoltaan paljon ykköstä suurempi, joten ( γ = 1 1 2 jωɛ 0 σ jωɛ 0 1 + σ ) jωɛ0 σ (2) (3) 4

Siten, kun pidetään mielessä, että jωɛ 0 σ 1, 1 γ 2 1 (1 2 = 1 1 = 1 ( 1 2 ( 1 2 = 1 1 2 jωɛ 0 σ jωɛ 0 σ ( 1 4Re = 4Re jωɛ 0 σ 2 jωɛ 0 σ ) ( 1 2 2 [ jωɛ 0 σ ] [ jωɛ 0 σ ) 2 (4) (5) ) jωɛ 0 σ (6) ) jωɛ 0 σ (7) ]) (8) (9) = 4 ωɛ 0 2σ. (10) 5

Sijoittamalla kuparin materiaaliparametrit heijastuskerroinlausekkeeseen saadaan 1- γ 2 0.00028 eli tehoa häviää noin 35,5 db. 2. Entäpä vaimennus? Koska kyseessä on hyvä johde, saadaan vaimennuskertoimelle (tunkeutumissyvyyden käänteisluku): α πfµσ 1.5 10 6 (11) eli tunkeutumissyvyys on 0.0067µm ja vaimennus 13 db/µm. Siis 2,7µm levyä vaimentaa yhtä paljon, kuin heijastus yhdestä rajapinnasta. 6

Polarisaatio Miten sähkökentät käyttäytyvät, kun niitä tarkastellaan yhdessä pisteessä? Sähkö ja magneettikenttien käyttäytyminen on samankaltaista. Tarkastellaan pelkästään sähkökenttää. Aallon polarisaatio kuvaa sähkökentän käyttäytymistä. Tasoaallon sähkökenttä on E(z, t) = Re {Ê0 e j(ωt kz)} = E 0r cos(ωt kz) E 0i sin(ωt kz). 7

Tarkastellaan E:tä xy tasossa kohdassa z 0. Tällöin saamme, että E(z 0, t) = E 0r cos(ωt kz 0 ) E 0i sin(ωt kz 0 ). Kun pätee, että ωt kz 0 = 0, E:n arvo on E 0r. Kun 1/4 jaksosta on liikuttu, on ωt kz 0 = π/2. Tällöin kentän arvo on E 0i. Kenttää kuvaava vektori voi käyttäytyä kolmella tavalla: E 0i E 0r E 0i E 0r E 0r ja E 0i yhdensuuntaisia. Muutoin E 0r ja E 0i : sama suuruus ja kohtisuorassa toisiaan nähden. Polarisaatiot ovat lineaarinen ja elliptinen polarisaatio sekä 8

ympyräpolarisaatio. Huomaa, että esimerkiksi kahden lineaarisesti polarisoituneen aallon summana voidaan saada mikä tahansa polarisaatio. Elliptisellä ja ympyräpolarisoituneella tapauksella on myös niin kutsuttu kätisyys: Kun katsotaan aallon etenemissuuntaan, oikea kätinen eli positiivinen aalto kiertää myötäpäivään. Muussa tapauksessa polarisaatio on vasen kätinen eli negatiivinen. Oikeakätinen Vasenkätinen Kysymys: Missä tapauksissa polarisaatio olisi syytä huomoida? 9

1. Viestinnässä antennien suuntaukset merkitsevät, tärkeä huomata myös EMC:n kannalta: E Hyvä vastaanotin Huono vastaanotin 2. Optiikassa, polarisaatiota hyödynnetään erilaisissa suotimissa: Heijastunut & polarisoitunut Valonsäde Suodin Vesi Taittunut 3. On myös olemassa molekyylejä, jotka muuttavat polarisaatiota: Sugar jam 10

Dispersio Häviöttömässä aineessa tasoaallot liikkuvat nopeudella, joka on riippumaton aallon taajuudesta. Häviöllisissä aineissa tilanne on kuitenkin toinen, sillä eri taajuudet liikkuvat eri nopeuksilla. Kun aallon liikkumisnopeus on riippuvainen sen taajuudesta tai aallonpituudesta, on kyseessä dispersio. Käytännössä esimerkiksi tietoa siirtävät signaalit koostuvat useammista taajuuksista, jolloin materiaaleissa, joissa etenemisnopeus riippuu aallon taajuudesta, signaali vääristyy. 11

Esimerkki: Kun tarkastelimme tasoaaltoja huomasimme, että aikatasossa ne olivat esitettävissä funktion cos(ωt kz) avulla. Jos asetetaan ωt βz = a (vakio vaihe) saadaan vaihenopeus Ideaaliselle eristeelle β ω µɛ ja vaihenopeus on vakio riippumatta taajuudesta. Hyville johteille sen sijaan β 1 2 ωµɛ, joten ja siten taajuudesta riippuvainen. u p = dz dt = ω β. (12) u p = ω β 1 µɛ (13) u p = ω β 2ω µɛ, (14) 12

Suojaus Kaksi käyttötarkoitusta suojata ulkopuolista maailmaa laitteen aiheuttamilta kentiltä suojata laitetta häiriöisessä ympäristössä eli suojaus on este sähkömagneettisen kentän etenemiselle. Häiriönlähde 13

Säteilyhäiriöiden lisäksi suojataan johtuvia häiriöitä esim. suodattimet pistorasioissa. Olennainen suure suojaukseen liittyen on suojaustehokkuus eli alkuperäisen kentän suhde vaimennettuun (suojan läpi menneeseen) kenttään. Suojaustehokkuuus annetaan tyypillisesti desibeleinä (esim. 100 db 100000 vaimennuskerroin) Ideaalisuoja sulkee täydelllisesti suojattavan laitteen sisäänsä, mutta esim. aukot ja läpiviennit heikentävät suojausta. Huomaa, että huonosti toteutettu suoja saattaa jopa aiheuttaa suuremmat häiriöt, kuin mitä ilman suojaa aiheutuu. 14

Suojaustehokkuus Tarkastellaan metallisuojaa, jonka paksuus on t ja jonka materiaaliparametrit ovat: σ,ɛ ja µ. z = 0 z = t σ,ɛ ja µ. E i E t2 E t η 0 E r E r2 η η 0 15

Suojaustehokkuus (shielding effectiveness) voidaan määritellä seuraavasti E i SE = 20log 10 E t. (15) Huomaa kuitenkin, että myös muita määritelmiä on käytössä. Kuten aikaisemmin olemme huomanneet, tapahtuu rajapinnoilla heijastumista ja lisäksi kulkiessaan johtavassa aineessa aalto vaimenee. 16

Kokonaissuojaustehokkuus on ilmaistavissa näitten summana eli missä SE db = R db + A db + M db, (16) R db heijastumishäviö vasemmalla ja oikealla rajapinnalla A db vaimenemishäviötä aallon kulkiessa suojan läpi M db jatkoheijastukset (yleensä merkityksettömiä) Tarkastellaan seuraavaksi tapausta, joka toteutuu yleensä käytännössä: suoja on rakennettu hyvästä johteesta ja sen paksuus on tunkeutumissyvyyttä selvästi suurempi. Tällöin siis pätee η η 0 ja t δ. 17

Oletuksista johtuen kenttä E t2 on voimakkaasti vaimentunut, kun se kohtaa oikeanpuoleisen rajapinnan. Heijastunut aalto E r2 vaimenee myös voimakkaasti ennenkuin se kohtaa vasemmanpuoleisen rajapinnan, jolloin voimme olettaa, että E r2 0 (kun z = 0). Olemme aiemmin määrittäneet läpäisykertoimen, joka on vasemmalla rajapinnalla τ = E t2 E i = 2η η 0 + η. (17) Tarkoituksena on siis laskea lähestyvän ja läpimenneen aallon suhde, joka on laskettavissa kahdessa osassa E t E i = E t E t2 E t2 E i = 2η 0 η 0 + η 2η η 0 + η = 4ηη 0 (η 0 + η) 2 (18) 18

Huomaa, että koska η η 0, läpäisykerroin ensimmäisellä rajapinnalla on selvästi pienempi kuin toisella. Toisin sanoen ensimmäisellä rajapinnalla aalto heijastuu voimakkaasti. Täten R db = 20log 10 E i E t Magneettikenttien suhteelle pätee H t2 H i = 20log (η 0 + η) 2 10 4ηη 0 20log η 0 10 4η. (19) = E t2/η E i /η 0 = E t2 E i η 0 η = 2η 0 η 0 + η. (20) Vastaavasti jolloin H t H t2 = E t/η 0 E t2 /η = 2η η 0 + η, (21) H t H i = 4ηη 0 (η 0 + η) 2. (22) 19

Tulos on sama kuin sähkökentillekin, tosin yksi ero löytyy, nimittäin magneettikenttä heijastuu voimakkaammin oikealla kuin vasemmalla rajapinnalla. Tästä voi päätellä, että magneettikentille vaimenemishäviöt ovat merkityksellisempiä kuin sähkökentille. Edellä oletimme, että E t2 on yhtä suuri molemmilla rajapinnoilla. Käytännössä E t2 vaimenee huomattavasti ennenkuin se saavuttaa oikean rajapinnan; tekijällä e αt = e t/ρ (t on kuljettu matka). Tämä tekijä on kuitenkin helposti huomioitu; kerrotaan yhtälö (18) tekijällä e t/ρ, joten vaimennushäviö A db = 20log 10 e t/ρ. (23) Kokonaishäviöt ovat siis edellisten summa. Hyvän johteen 20

aaltoimpedanssi joten η j ωµ σ, (24) ( ) 1 σ R db = 20log 10. (25) 4 ωµ r ɛ 0 Monesti heijastumishäviötä verrataan kuparin heijastumishäviöön, joten sijoittamalla missä σ Cu kuparin johtavuus 5.8 10 7 σ = σ Cu σ r, (26) suhteellinen johtavuus verrattuna kuparin johtavuuteen 21

R db = 168 + 10log 10 ( σr µ r f ), (27) joka on suurimmillaan matalilla taajuuksilla ja ei-magneettisilla aineilla (µ r 1). Tunkeutumissyvyys on joten ρ = 1 πfµσ, (28) A db = 20log 10 e t/ρ = 20 t ρ log 10e 131.4t fµ r σ r, (29) missä t metreissä. 22

Tämä riippuu voimakkaasti suojan paksuudesta vrt. sunkeutumissyvyyteen, sillä A db =8.7 db, kun t/ρ=1 A db =17.4 db, kun t/ρ=2. Huomaa, että R db on σ r µ r :n ja A db on σ r µ r :n funktio. Matalilla taajuuksilla R db on pääasiallisena suojausmekanismina, korkeilla taajuuksilla A db. 23

Suojaus matalataajuiselta magneettikentältä Matalataajuisella magneettisella lähikentällä sekä heijastuminen että vaimentumishäviöt pieniä, joten muita menetelmiä on käytettävä suojaukseen. Yksi tapa on korkean µ:n materiaalilla kentän sivuun ohjaaminen. Toinen on vastakkaissuuntaisen magneettikentän luominen oikosuljetuilla johdinsilmukoilla Suojaus ei kuitenkaan ole aina tehokasta, sillä µ pienenee suurilla kentän voimakkuuksilla (kyllästyminen) ja myös f:n funktiona. Käytännössä ratkaisu on usein monikerroksinen suojakotelo tms. 24

Piiri ja kenttälaskennasta Kaikkiin suunnittelumenetelmiin liittyy rajoituksia. Tämän takia olennaista on muistaa, mitä olettamuksia/yksinkertaistuksia kunkin suunnittelumenetelmän taustalla on. Esimerkiksi piiriteoria käsittää tietyn hieman pelkistetyn version sähkömagneettisista ilmiöistä. Kenttäteorian puolella sitä vastaa niin kutsuttu kvasi staattinen approksimaation (eli Ampèren laissa ei huomioida termiä D t ) 25

Eräs yleisesti käytetty tekijä arvioitaessa, mitkä ilmiöt ovat olenaisia on järjestelmän sähköinen mitta. Usein käytetty kriteeri: Järjestelmä on sähköisesti pieni, jos sen fysikaalinen mitta d on paljon pienempi kuin aallonpituus λ (vähintään d < λ/10). 26

Piiriteorian taustalla olevia olettamuksia olemme jo osin käsitelleet aiemminkin: 1. Sähköiset ilmiöt tapahtuvat samanaikaisesti koko järjestelmässä. 2. Jokaisen piirikomponentin kokonaisvaraus on nolla. 3. Komponenttien välillä ei ole magneettista kytkentää. 27

Esimerkki ilmiöstä, jota piiriteoria ei kykene selittämään: Monopoliantenni: Kun antenni lähettää signaalia, siihen syötetään virtaa sopivalla taajuudella. Piiriteorian mukaan lähde syöttää virtaa avoimeen piiriin, sillä eihän ko. johto ole kytkettynä mihinkään silmukkaan. Täten virtaa ei pitäisi kulkea ja siten mitään ei pitäisi tapahtua. 28