BL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan: CMOS-tekniikka ja siihen perustuvat logiikkapiiriperheet

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Koko: px
Aloita esitys sivulta:

Download "BL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan: CMOS-tekniikka ja siihen perustuvat logiikkapiiriperheet"

Transkriptio

1 BL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan: CMOS-tekniikka ja siihen perustuvat logiikkapiiriperheet

2 Bittioperaatioiden toteuttamisesta Tarvitaan kolmea asiaa: 1. Menetelmät esittää ja siirtää bittejä 2. Perusoperaatiot biteille, esim. AND, OR ja NOT 3. Muisti biteille Vout Voh Vin Vout Toteutusta rajoittavat fysiikan lait Epävarmuudet, sähkömagnettisen aallon etenemisnopeus, termodynamiikka, r, l, c, g, jne Vol Vil Vih Vin Tarvitaan epälineaarinen piiri, suurella vahvistuksella jonka lähtö ei ole ikinä värillisillä alueilla, mutta tulot voivat olla

3 Toivelistaa digitaalipiirille Pieni, yksinkertainen, toistettavissa oleva ja vakaa, tarvitaan epälineaarisia piirejä vahvistuksella tunnetuilla materiaaleilla ja tekniikoilla toteutettuna Voidaan tuottaa suurissa määrissä edullisesti (transistorit ja johtimet) Suorituskyky ja tiheys paranevat tutkimuksen ja kehityksen edetessä

4 Toiveet täytetty Pieni, yksinkertainen, toistettavissa oleva ja vakaa: epälineaarisia piirejä vahvistuksella tunnetuilla materiaaleilla Pii + Alumiini/Kupari + jne Voidaan tuottaa suurissa määrissä Valotetaan käytännössä piikiekolle miljardittain kerrallaan Suorituskyky ja tiheys paranevat tutkimus- ja tuotekehityspanosten myötä Mooren laki: tiheys x 2 aina vuoden välein Transistorin suorituskyky paranee kun sen dimensiot pienenevät

5 MOSFET-transistori Erittäin ohut, (<20Å) SiO2-eristekerros eristää kanavan hilasta source lähde gate hila drain nielu Voimakkaasti doupatut lähde ja nielu n-tyyppi tai p-tyyppi Eriste (SiO2) kerrosten välillä Hilavarauksen avulla alustan "kanava" lähteen ja nielun välillä saadaan johtavaksi substrate alusta Alusta, kevyesti doupattu joko n-tyyppiseksi tai p-tyyppiseksi MOSFET:t (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ovat neljäterminaalisia jänniteohjattuja kytkimiä. Virta kulkee transistorin terminaalien (lähde ja nielu välillä), jos jännite hilalla on riittävä johtavan kanavan luomiseen. Muutoin MOSFET ei johda.

6 MOSFET-transistorit (1) MOSFET-transistoreihin perustuva (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) on yleisin digitaalipiiritekniikka: Tyypiltään unipolaarisia, eli joko elektronit tai aukot varauksenkuljettajina Toiminta perustuu nielun (drain) ja lähteen (source) väliin muodostuvaan kanavaan, jota säädellään hilan (gate) ja lähteen välisen jännitteen avulla Lähde ja substraatti on kytketty samaan molemmissa tyypeissä terminaaliin Transistoreja on kahta tyyppiä: P-kanava (PMOS) N-kanava (NMOS) drain (-) p gate (-) source (+) p drain (+) n gate (+) source (-) n n-type substrate p-channel mosfet P- ja N-tyypin MOSFET-transistorien periaattelliset rakenteet p-type substrate n-channel mosfet

7 MOSFET-transistorit (2) MOSFET-transistori voi olla joko: Sulkutyyppinen (Depletion type) Avaustyyppinen (Enhancement type) Transistorin tyypillä tarkoitetaan transistorin kanavan tilaa hila-lähdejännitteellä Vgs = 0 V Sulkutyyppinen transistori johtaa kun Vgs = 0 Avaustyyppinen vaatii hila-lähdejännitte (positiivinen/negatiivinen) johtaakseen Digitaalipiireissä käytettävät transistorit ovat tyypillisesti avaustyyppisiä Transistoreilla kolme toimintamoodia Cut-off: ei johda; avoin kytkin Lineaarimoodi; Jänniteohjattu vastus Saturaatio,kyllästys; jänniteohjattu virtalähde

8 MOSFET-transistorit (3) MOSFET-tekniikka on syrjäyttänyt bibolaaritransistoritekniikan digitaalipiireissä, syitä: Staattinen tehonkulutus pieni -> suuri integrointitiheys Transistori vaatii pienen piipinta-alan -> suuri integrointitiheys Yksinkertaisempi valmistaa kuin BJT Pystytään käyttämään myös vastuksena N-tyypin avaus-mosfet, johtava tila, kun: VGS V T P-tyypin avaus-mosfet, johtava tila, kun: V GS V T Tyypillinen pitojännite: V T 0.8V N- ja P-avaustyypin MOSFET:n piirrosmerkit

9 NMOS-logiikka Loogisia funktioita toteuttavia kytkentöjä voidaan toteuttaa pelkästään P-tai N-tyypin kanavatransistoreilla (NMOS ja PMOSlogiikat) Q1 toimii vastuksena lineaarinen alue NMOS-invertteri NMOS-NAND NMOS-NOR

10 CMOS (Complementary Metal- Oxide Semiconductor) Lisäämällä p-tyypin lähde ja nielu n-tyypin alustalle voidaan valmistaa komplementti NMOS:lle (PMOS) Gate Gate Source Drain Source Drain p p n n n p G S Molempien transistorityyppien NMOS ja PMOS hyödyntäminen -> CMOS logiikkapiiriperheet G D D S

11 CMOS-logiikka CMOS-tekniikka (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) hyödyntää sekä N- että P-tyypin avaustyyppisiä kanavatransistoreja Transistorit pystytään muodostamaan samalle piialustalle CMOS-tekniikan perusporttina on invertteri Tehonkulutus dynaamista (kuva alla) Invertterin toiminta: N-kanvatransistori johtaa kun V a > V th P-kanavatransistori johtaa kun V a < V th Kumpikaan transistoreista ei johda kun V a = 0 Invertterin ohjaaminen: jännite (oikea), virta (vasen) CMOS-invertteri

12 CMOS-NAND NAND-portin toiminta 2-tuloinen CMOS-NAND A B Q1 Q2 Q3 Q4 Z L L on on off off H L H on off off on H H L off on on off H H H off off on on L

13 CMOS-NOR NOR-portin toiminta 2-tuloinen CMOS-NOR A B Q1 Q2 Q3 Q4 Z L L on on off off H L H on off off on L H L off on on off L H H off off on on L

14 CMOS siirtoportti (Transmission Gate) Ainut porttityyppi, jota ei ole toteutettu muilla piiriperheillä Sähköinen kytkin, jota ohjataan samanaikaisesti n- ja p-tyypin MOSFET:llä; Puolijohderele, joka johtaa molempiin suuntiin Voidaan hyödyntää useiden digitaalielektroniikan piirien toteutuksessa Esimerkiksi multiplekserit, pitopiirit, jne. N X TG Y X N = 1 P = 0 Y P Siirtoportin looginen symboli X N = 0 P = 1 Y Siirtoportin rakenne Siirtoportin toiminta

15 CMOS-logiikkapiiriperheet CMOS-tekniikalla on toteutettu useita logiikkapiiriperheita Toteuttavat samoja perusfunktioita kuin TTL-piiriperheekin Käyttöjännitteet +5V ja +3.3V, nykyisin myös +2.5 ja +1.8V, osa TTL-yhteensopivia Tehonkulutus verrannollinen kellotaajuuteen CMOS-piireissä lähtöasteet voivat olla, vrt. TTL: Toteemipaalulähtö (totem-pole) Avonielu (open drain) Kolmitilalähtö (tri-state) CMOS-portin tuloimpedanssi on suuri -> käyttämättömät tulot sidottava maapotentiaaliin tai käyttöjännitteeseen 5V ja 3.3V (LV)-CMOS-logiikkapiiriperheiden ominaisuuksia Piirisarja V D (V) t P (ns) P D,Q (W) I O (ma) 74HC AC AHC LV LVC ALVC

16 CMOS-piiriperheiden loogiset tasot 5V 3.5 V Looginen tila 1 Looginen tila 1 5 V 4.4 V 3.3 V 2 V Looginen tila 1 Looginen tila V 2.4 V Määrittämätön tila Määrittämätön tila Määrittämätön tila Määrittämätön tila 1.5 V 0.8 V Looginen tila 0 Looginen tila V Looginen tila 0 Looginen tila V Tulojännite Lähtöjännite Tulojännite Lähtöjännite +5V ja +3.3V jännitteellä toimivien logiikkapiirien loogiset tilat

17 Dynaamisen tehonkulutuksen lisäksi myös johdotus aiheuttaa ongelmia Vin Vout Vin Vin Vout R C 50ps/mm RC Nykyisin (esim. viivanleveydellä 100 nm) Tarkoittaa karkeasti, sitä että kestää noin 2 ns kun signaali etenee poikittain 20x20mm piirin poikki. Tämä on pitkä viive 2 GHz prosessorille

18 Schmitt-trigger-tuloaste Schmitt-trigger on erikoistyyppinen digitaalipiirien tuloaste Perustuu tuloasteen positiiviseen takaisinkytkentään ja hystereesiin: HYSTEREESIKOMPARAATTORI TULOASTEESSA Suodattaa tulosignaalin häiriöitä hystereesin avulla Sovelluskohteena ulkoisen I/O:n liittäminen digitaalielektroniikkaan, esim: painikkeet ja muut ulkoiset keskeytyslähteet Vout (V) V th- V th+ 3.3 V 0.2 V 0.9 V 1.7 V Schmitt-trigger-invertterin toiminta Vin (V) Schmitt-Trigger-invertterin piirrosmerkki

19 Schmitt-Trigger-invertterin toiminta Tulo ja lähtösignaalit: tavallinen invertteri (vasen), schmitt-trigger (oikea)

20 BiCMOS-logiikka BiCMOS-tekniikka perustuu CMOS-transistorien käyttöön tuloasteena ja bibolaaritransistorien lähtöasteena Etuja: Pieni staattinen tehonkulutus Suuri tuloimpedanssi Virransyöttökyky Haittoja: Monimutkainen rakenne -> integrointitiheys Hitaampi kuin CMOS (pienillä kuormilla) Sovelluskohteina esim. RF-piirit BiCMOS-invertteri

21 Yhteenveto MOSFET:n ominaisuuksia Jänniteohjattu kytkin, kontrolloidaan hila-lähdejännitteen V gs :n avulla Kutistuva transistorin koko parantaa suorituskykyä CMOS:n piirteitä CMOS on luonnollisesti invertoiva: 1 tulossa johtaa tilaan 0 lähdössä Suuret kohinamarginaalit V ol = 0 ja V oh = V dd Komplementaarinen logiikka, symmetriset lähdöt ja tulot Ei periaatteessa omaa staattista tehonkulutusta

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T700504

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T700504 ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T700504 syksyllä 2014 OSA 2 Veijo Korhonen 4. Bipolaaritransistorit Toiminta Pienellä kantavirralla voidaan ohjata suurempaa kollektorivirtaa (kerroin β), toimii vahvistimena -

Lisätiedot

Käytännön logiikkapiirit ja piirrosmerkit

Käytännön logiikkapiirit ja piirrosmerkit Digitaalitekniikan matematiikka Luku 7 Sivu (27) EN 2 EN X/Y X/Y 0 2 3 2 EN X/Y X/Y 0 2 3 Digitaalitekniikan matematiikka Luku 7 Sivu 2 (27) Johdanto Tässä luvussa esitellään käsitteet logiikkaperhe ja

Lisätiedot

BL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan - Johdanto integroituihin digitaalipiireihin

BL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan - Johdanto integroituihin digitaalipiireihin BL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan - Johdanto integroituihin digitaalipiireihin Digitaalielektroniikka perustuu ohjattaviin kytkimiin Ohjattava kytkin, digitaalielektroniikan peruskomponentti

Lisätiedot

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X) 5.10.2015

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X) 5.10.2015 Sähköpaja Kimmo Silvonen (X) Elektroniikan komponentit Erilliskomponentit ja IC:t Passiivit: R C L Aktiiviset diskreetit ja IC:t Bipolaaritransistori BJT Kanavatransistorit FET Jänniteregulaattorit (pajan)

Lisätiedot

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T320003

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T320003 ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T320003 syksyllä 2013 OSA 2 Veijo Korhonen 4. Bipolaaritransistorit Toiminta Pienellä kantavirralla voidaan ohjata suurempaa kollektorivirtaa (kerroin β), toimii vahvistimena -

Lisätiedot

Sähkötekniikka ja elektroniikka

Sähkötekniikka ja elektroniikka Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X) Bipolaaritransistori BJT Versio Bipolar Junction Transistor, liekkö turhakin keksintö? BJT 23.12.1947 Nobel 1956 (Bell Labs, nykyisin Alcatel-Lucent)

Lisätiedot

TIEP114 Tietokoneen rakenne ja arkkitehtuuri, 3 op. FT Ari Viinikainen

TIEP114 Tietokoneen rakenne ja arkkitehtuuri, 3 op. FT Ari Viinikainen TIEP114 Tietokoneen rakenne ja arkkitehtuuri, 3 op FT Ari Viinikainen Tietokoneen rakenne Keskusyksikkö, CPU Keskusmuisti Aritmeettislooginen yksikkö I/O-laitteet Kontrolliyksikkö Tyypillinen Von Neumann

Lisätiedot

BL40A1711 Johdanto digitaaleketroniikkaan: Sekvenssilogiikka, pitopiirit ja kiikut

BL40A1711 Johdanto digitaaleketroniikkaan: Sekvenssilogiikka, pitopiirit ja kiikut BL40A1711 Johdanto digitaaleketroniikkaan: Sekvenssilogiikka, pitopiirit ja kiikut Sekvenssilogiikka Kombinatooristen logiikkapiirien lähtömuuttujien nykyiset tilat y i (n) ovat pelkästään riippuvaisia

Lisätiedot

DIODIN OMINAISKÄYRÄ TRANSISTORIN OMINAISKÄYRÄSTÖ

DIODIN OMINAISKÄYRÄ TRANSISTORIN OMINAISKÄYRÄSTÖ 1 IOIN OMINAISKÄYRÄ JA TRANSISTORIN OMINAISKÄYRÄSTÖ MOTIVOINTI Työ opettaa mittaamaan erityyppisten diodien ominaiskäyrät käyttämällä oskilloskooppia XYpiirturina Työssä opetellaan mittaamaan transistorin

Lisätiedot

FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe (Vastaa kaikkiin viiteen tehtävään)

FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe (Vastaa kaikkiin viiteen tehtävään) FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe 16.3.2012 (Vastaa kaikkiin viiteen tehtävään) 1. Selitä lyhyesti (6 pistettä) a) pn-liitoksen virta-jännite-käyttäytyminen b) varauksenkuljettajien lukumäärä itseispuolijohteissa

Lisätiedot

Digitaalilaitteen signaalit

Digitaalilaitteen signaalit Digitaalitekniikan matematiikka Luku 3 Sivu 3 (9) Digitaalilaitteen signaalit Digitaalilaitteeseen tai -piiriin tulee ja siitä lähtee digitaalisia signaaleita yksittäisen signaalin arvo on kunakin hetkenä

Lisätiedot

FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe 27.4.2012 Vastaa kaikkiin viiteen kysymykseen

FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe 27.4.2012 Vastaa kaikkiin viiteen kysymykseen FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe 27.4.2012 Vastaa kaikkiin viiteen kysymykseen 1. Selitä lyhyesti a) Theveninin teoreema (2 p) b) Itseispuolijohde ja seostettu puolijohde. (2 p) c) Piirrä p-kanava

Lisätiedot

Transistoreiden merkinnät

Transistoreiden merkinnät Transistoreiden merkinnät Yleisesti: Eurooppalaisten valmistajien tunnukset muodostuvat yleisesti kirjain ja numeroyhdistelmistä Ensimmäinen kirjain ilmaisee puolijohdemateriaalin ja toinen kirjain ilmaisee

Lisätiedot

Digitaalitekniikan matematiikka Luku 3 Sivu 1 (19) Kytkentäfunktiot ja perusporttipiirit

Digitaalitekniikan matematiikka Luku 3 Sivu 1 (19) Kytkentäfunktiot ja perusporttipiirit Digitaalitekniikan matematiikka Luku 3 Sivu (9) && Digitaalitekniikan matematiikka Luku 3 Sivu 2 (9) Johdanto Tässä luvussa esitetään digitaalilaitteen signaalit ja digitaalipiirien perustyypit esitellään

Lisätiedot

Sähköpajan elektroniikkaa

Sähköpajan elektroniikkaa Sähköpajan elektroniikkaa Kimmo Silvonen (X) "Virtalähde", teholähde, verkkolaite (wall-wart) Elektroniikkapiirit vaativat toimiakseen käyttöjännitteen. Paristot noin 1,5 V tai 3 V / kenno Ladattavat NiMH-akut

Lisätiedot

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X) 22.2.2016

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X) 22.2.2016 Sähköpaja Kimmo Silvonen (X) Elektroniikan komponentit Erilliskomponentit ja IC:t Passiivit: R C L Aktiiviset diskreetit ja IC:t Bipolaaritransistori BJT Kanavatransistorit FET Jänniteregulaattorit (pajan)

Lisätiedot

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X)

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X) Sähköpaja Kimmo Silvonen (X) Elektroniikan komponentit Erilliskomponentit ja IC:t Passiivit: R C L Aktiiviset erilliskomponentit (diskreetit) ja IC:t: Bipolaaritransistori BJT Moottorinohjaus, H-silta

Lisätiedot

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X)

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X) Sähköpaja Kimmo Silvonen (X) Elektroniikan komponentit Erilliskomponentit ja IC:t Passiivit: R C L Aktiiviset erilliskomponentit (diskreetit) ja IC:t: Bipolaaritransistori BJT Moottorinohjaus, H-silta

Lisätiedot

Sähköpajan elektroniikkaa

Sähköpajan elektroniikkaa Sähköpajan elektroniikkaa Kimmo Silvonen (X) Tämä viikko 25.-29.1.2016 Pajalla Ma klo 10.15-11.30 luento S1 Ma klo 11.30 alk. tutustuminen Sähköpajaan L215 (kahvi, tee) Ti klo 14.15 alk. tutust., lähtö

Lisätiedot

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET ELEKTRONIIKAN PERUSTEET Juha Aaltonen Seppo Kousa Jyrki Stor-Pellinen A.T.S.S.: J.B.-B. 4 DRW: Spi CHK: JPA Elektroniikan Perusteet SHEET 193 OF 390 DRAWING NO:5.19 Sisällys 1 Johdanto.............................................

Lisätiedot

amiedu DIGITAALITEKNIIKAN PERUSPORTIT 2 Sivu 1 (7)

amiedu DIGITAALITEKNIIKAN PERUSPORTIT 2 Sivu 1 (7) amiedu DIGITLITEKNIIKN PEUSPOTIT 2 Sivu (7) ND -gate J - portti NND -gate EI-J - portti O -gate TI - portti NO -gate EI-TI - portti & & > > 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 = * =, eli = on vain, jos = ja

Lisätiedot

Sähkötekniikka ja elektroniikka

Sähkötekniikka ja elektroniikka Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X) Diodi ja puolijohteet Luento Ideaalidiodi = kytkin Puolijohdediodi = epälineaarinen vastus Sovelluksia, mm. ilmaisin ja LED, tasasuuntaus viimeis. viikolla

Lisätiedot

IGBT-TRANSISTORI. Janne Salonen. Opinnäytetyö Joulukuu 2013 Tietoliikennetekniikka Sulautetutjärjestelmät ja elektroniikka

IGBT-TRANSISTORI. Janne Salonen. Opinnäytetyö Joulukuu 2013 Tietoliikennetekniikka Sulautetutjärjestelmät ja elektroniikka IGBT-TRANSISTORI Janne Salonen Opinnäytetyö Joulukuu 2013 Tietoliikennetekniikka Sulautetutjärjestelmät ja elektroniikka TIIVISTELMÄ Tampereen ammattikorkeakoulu Tietoliikennetekniikka Sulautetutjärjestelmät

Lisätiedot

Transistoriteknologian kehitys

Transistoriteknologian kehitys hyväksymispäivä arvosana arvostelija Transistoriteknologian kehitys Ilpo Järvinen Helsinki 20. maaliskuuta 2003 HELSINGIN YLIOPISTO Tietojenkäsittelytieteen laitos Sisältö i 1 Johdanto 1 2 Transistori

Lisätiedot

SÄHKÖ KÄSITTEENÄ. Yleisnimitys suurelle joukolle ilmiöitä ja käsitteitä:

SÄHKÖ KÄSITTEENÄ. Yleisnimitys suurelle joukolle ilmiöitä ja käsitteitä: FY6 SÄHKÖ Tavoitteet Kurssin tavoitteena on, että opiskelija ymmärtää sähköön liittyviä peruskäsitteitä, tutustuu mittaustekniikkaan osaa tehdä sähköopin perusmittauksia sekä rakentaa ja tutkia yksinkertaisia

Lisätiedot

Digitaalitekniikan matematiikka Luku 6 Sivu 1 (20) Kombinaatiopiirit & & A B A + B

Digitaalitekniikan matematiikka Luku 6 Sivu 1 (20) Kombinaatiopiirit & & A B A + B igitaalitekniikan matematiikka Luku 6 Sivu (20).9.20 e 0 0 0 0 0 + 0 0 0 0 0 0 0 igitaalitekniikan matematiikka Luku 6 Sivu 2 (20).9.20 e Johdanto Tässä luvussa esitellään porttipiirityypit J-EI ja TI-EI

Lisätiedot

Analogiapiirit III. Tentti 15.1.1999

Analogiapiirit III. Tentti 15.1.1999 Oulun yliopisto Elektroniikan laboratorio nalogiapiirit III Tentti 15.1.1999 1. Piirrä MOS-differentiaalipari ja johda lauseke differentiaaliselle lähtövirralle käyttäen MOS-transistorin virtayhtälöä (huom.

Lisätiedot

PUOLIJOHTEET + + - - - + + + - - tyhjennysalue

PUOLIJOHTEET + + - - - + + + - - tyhjennysalue PUOLIJOHTEET n-tyypin- ja p-tyypin puolijohteet - puolijohteet ovat aineita, jotka johtavat sähköä huonommin kuin johteet, mutta paremmin kuin eristeet (= eristeen ja johteen välimuotoja) - resistiivisyydet

Lisätiedot

SÄHKÖSTATIIKKA JA MAGNETISMI. NTIETS12 Tasasähköpiirit Jussi Hurri syksy 2013

SÄHKÖSTATIIKKA JA MAGNETISMI. NTIETS12 Tasasähköpiirit Jussi Hurri syksy 2013 SÄHKÖSTATIIKKA JA MAGNETISMI NTIETS12 Tasasähköpiirit Jussi Hurri syksy 2013 1. RESISTANSSI Resistanssi kuvaa komponentin tms. kykyä vastustaa sähkövirran kulkua Johtimen tai komponentin jännite on verrannollinen

Lisätiedot

Sähköpajan elektroniikkaa

Sähköpajan elektroniikkaa Sähköpajan elektroniikkaa Kimmo Silvonen (X) Pajan aukioloajat I periodilla Pajalla tehdään Arduino-harjoituksia ja projetia! Kimmolta voi pyytää pääsyä Pajalle ennen virallista alkamisaikaa. Aikoja voidaan

Lisätiedot

ELEC-C6001 Sähköenergiatekniikka, laskuharjoitukset oppikirjan lukuun 10 liittyen.

ELEC-C6001 Sähköenergiatekniikka, laskuharjoitukset oppikirjan lukuun 10 liittyen. ELEC-C6001 Sähköenergiatekniikka, laskuharjoitukset oppikirjan lukuun 10 liittyen. X.X.2015 Tehtävä 1 Bipolaaritransistoria käytetään alla olevan kuvan mukaisessa kytkennässä, jossa V CC = 40 V ja kuormavastus

Lisätiedot

Operaatiovahvistimen vahvistus voidaan säätää halutun suuruiseksi käyttämällä takaisinkytkentävastusta.

Operaatiovahvistimen vahvistus voidaan säätää halutun suuruiseksi käyttämällä takaisinkytkentävastusta. TYÖ 11. Operaatiovahvistin Operaatiovahvistin on mikropiiri ( koostuu useista transistoreista, vastuksista ja kondensaattoreista juotettuna pienelle piipalaselle ), jota voidaan käyttää useisiin eri kytkentöihin.

Lisätiedot

Multivibraattorit. Bistabiili multivibraattori:

Multivibraattorit. Bistabiili multivibraattori: Multivibraattorit Elektroniikan piiri jota käytetään erilaisissa kahden tason systeemeissä kuten oskillaattorit, ajastimet tai kiikkut. Multivibraattorissa on vahvistava elementtti ja ristiinkytketyt rvastukset

Lisätiedot

Sähkötekniikka ja elektroniikka

Sähkötekniikka ja elektroniikka Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X) Siirtojohdot, Transmission Lines Luento, vrt. laboratoriotyö nr. 3. Siirtojohdon käsite Esim. antenni- tai muu koaksiaalikaapeli, ATK-verkko Aaltojen

Lisätiedot

HPM RM1 VAL0122850 / SKC9068256 HYDRAULIC PRESSURE MONITOR RMS-MITTAUSJÄRJESTELMÄLLE KÄSIKIRJA. HPM-RM1 FI.docx 1995-08-05 / BL 1(5)

HPM RM1 VAL0122850 / SKC9068256 HYDRAULIC PRESSURE MONITOR RMS-MITTAUSJÄRJESTELMÄLLE KÄSIKIRJA. HPM-RM1 FI.docx 1995-08-05 / BL 1(5) HPM RM1 VAL0122850 / SKC9068256 HYDRAULIC PRESSURE MONITOR RMS-MITTAUSJÄRJESTELMÄLLE KÄSIKIRJA FI.docx 1995-08-05 / BL 1(5) SISÄLTÖ 1. KOMPONENTTIEN SIJAINTI 2. TOIMINNAN KUVAUS 3. TEKNISET TIEDOT 4. ASETUS

Lisätiedot

Digitaalitekniikan matematiikka Harjoitustehtäviä

Digitaalitekniikan matematiikka Harjoitustehtäviä arjoitustehtäviä Sivu 6 6.3.2 e arjoitustehtäviä uku 3 ytkentäfunktiot ja perusporttipiirit 3. äytäväkytkin on järjestelmä jossa käytävän kummassakin päässä on kytkin ja käytävän keskellä lamppu. amppu

Lisätiedot

TASASUUNTAUS JA PUOLIJOHTEET

TASASUUNTAUS JA PUOLIJOHTEET TASASUUNTAUS JA PUOLIJOHTEET (YO-K06+13, YO-K09+13, YO-K05-11,..) Tasasuuntaus Vaihtovirran suunta muuttuu jaksollisesti. Tasasuuntaus muuttaa sähkövirran kulkemaan yhteen suuntaan. Tasasuuntaus toteutetaan

Lisätiedot

LOPPURAPORTTI 19.11.2007. Lämpötilahälytin. 0278116 Hans Baumgartner xxxxxxx nimi nimi

LOPPURAPORTTI 19.11.2007. Lämpötilahälytin. 0278116 Hans Baumgartner xxxxxxx nimi nimi LOPPURAPORTTI 19.11.2007 Lämpötilahälytin 0278116 Hans Baumgartner xxxxxxx nimi nimi KÄYTETYT MERKINNÄT JA LYHENTEET... 3 JOHDANTO... 4 1. ESISELOSTUS... 5 1.1 Diodi anturina... 5 1.2 Lämpötilan ilmaisu...

Lisätiedot

1 Kohina. 2 Kohinalähteet. 2.1 Raekohina. 2.2 Terminen kohina

1 Kohina. 2 Kohinalähteet. 2.1 Raekohina. 2.2 Terminen kohina 1 Kohina Kohina on yleinen ongelma integroiduissa piireissä. Kohinaa aiheuttavat pienet virta- ja jänniteheilahtelut, jotka ovat komponenteista johtuvia. Myös ulkopuoliset lähteet voivat aiheuttaa kohinaa.

Lisätiedot

Ongelmia mittauksissa Ulkoiset häiriöt

Ongelmia mittauksissa Ulkoiset häiriöt Ongelmia mittauksissa Ulkoiset häiriöt Häiriöt peittävät mitattavia signaaleja Häriölähteitä: Sähköverkko 240 V, 50 Hz Moottorit Kytkimet Releet, muuntajat Virtalähteet Loisteputkivalaisimet Kännykät Radiolähettimet,

Lisätiedot

Flash AD-muunnin. Ominaisuudet. +nopea -> voidaan käyttää korkeataajuuksisen signaalin muuntamiseen (GHz) +yksinkertainen

Flash AD-muunnin. Ominaisuudet. +nopea -> voidaan käyttää korkeataajuuksisen signaalin muuntamiseen (GHz) +yksinkertainen Flash AD-muunnin Koostuu vastusverkosta ja komparaattoreista. Komparaattorit vertailevat vastuksien jännitteitä referenssiin. Tilanteesta riippuen kompraattori antaa ykkösen tai nollan ja näistä kootaan

Lisätiedot

20 Kollektorivirta kun V 1 = 15V 10. 21 Transistorin virtavahvistus 10. 22 Transistorin ominaiskayrasto 10. 23 Toimintasuora ja -piste 10

20 Kollektorivirta kun V 1 = 15V 10. 21 Transistorin virtavahvistus 10. 22 Transistorin ominaiskayrasto 10. 23 Toimintasuora ja -piste 10 Sisältö 1 Johda kytkennälle Theveninin ekvivalentti 2 2 Simuloinnin ja laskennan vertailu 4 3 V CE ja V BE simulointituloksista 4 4 DC Sweep kuva 4 5 R 2 arvon etsintä 5 6 Simuloitu V C arvo 5 7 Toimintapiste

Lisätiedot

Kondensaattorin läpi kulkeva virta saadaan derivoimalla yhtälöä (2), jolloin saadaan

Kondensaattorin läpi kulkeva virta saadaan derivoimalla yhtälöä (2), jolloin saadaan VAIHTOVIRTAPIIRI 1 Johdanto Vaihtovirtapiirien käsittely perustuu kolmen peruskomponentin, vastuksen (resistanssi R), kelan (induktanssi L) ja kondensaattorin (kapasitanssi C) toimintaan. Tarkastellaan

Lisätiedot

FYSE301(Elektroniikka(1(A3osa,(kevät(2013(

FYSE301(Elektroniikka(1(A3osa,(kevät(2013( FYSE301(Elektroniikka(1(A3osa,(kevät(2013( 1/2 Loppukoe1.3.2013 vastaakaikkiinkysymyksiin(yhteensä48pistettä) 1. Kuvailelyhyesti a. Energialineaarisissapiirielementeissä:vastuksessa,kondensaattorissajakelassa(3

Lisätiedot

Sähkötekniikan perusteet

Sähkötekniikan perusteet Sähkötekniikan perusteet 1) Resistanssien rinnankytkentä kuormittaa a) enemmän b) vähemmän c) yhtä paljon sähkölähdettä kuin niiden sarjakytkentä 2) Jännitelähteiden sarjakytkentä a) suurentaa kytkennästä

Lisätiedot

Näytteen liikkeen kontrollointi

Näytteen liikkeen kontrollointi LAPPEENRANNAN TEKNILLINEN YLIOPISTO Sähkötekniikan osasto Fysiikan laitos Kandidaatintyö Näytteen liikkeen kontrollointi Työn ohjaajana ja tarkastajana toimi diplomi-insinööri Hanna-Leena Varis. Lappeenrannassa

Lisätiedot

Digitaalitekniikan perusteet

Digitaalitekniikan perusteet HAMK Riihimäki Versio 1.0 Väinö Suhonen Digitaalitekniikan perusteet Loogiset funktiot ja portit Kombinaatiologiikan elimiä Rekisterilogiikan perusteet Rekisteri- ja sekvenssilogiikan elimiä ena up/ down

Lisätiedot

SMG-2100: SÄHKÖTEKNIIKKA

SMG-2100: SÄHKÖTEKNIIKKA SMG-2100: SÄHKÖTEKNIIKKA Vastusten kytkennät Energialähteiden muunnokset sarjaankytkentä rinnankytkentä kolmio-tähti-muunnos jännitteenjako virranjako Käydään läpi vastusten keskinäisten kytkentöjen erilaiset

Lisätiedot

Sähkötekiikka muistiinpanot

Sähkötekiikka muistiinpanot Sähkötekiikka muistiinpanot Tuomas Nylund 6.9.2007 1 6.9.2007 1.1 Sähkövirta Symboleja ja vastaavaa: I = sähkövirta (tasavirta) Tasavirta = Virran arvo on vakio koko tarkasteltavan ajan [ I ] = A = Ampeeri

Lisätiedot

Elektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus

Elektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus Elektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus Antti Karjalainen, PRK 30.10.2014 Komponenttien esittelytaktiikka Toiminta, (Teoria), Käyttö jännite, virta, teho, taajuus, impedanssi ja näiden yksiköt:

Lisätiedot

Ajattelemme tietokonetta yleensä läppärinä tai pöytäkoneena

Ajattelemme tietokonetta yleensä läppärinä tai pöytäkoneena Mikrotietokone Moderni tietokone Ajattelemme tietokonetta yleensä läppärinä tai pöytäkoneena Sen käyttötarkoitus on yleensä työnteko, kissavideoiden katselu internetistä tai pelien pelaaminen. Tietokoneen

Lisätiedot

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen S55.0 SÄHKÖTEKNKKA 9.5.000 Kimmo Silvonen Tentti: tehtävät,,5,8,9. välikoe: tehtävät,,,4,5. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0 Oletko muistanut vastata palautekyselyyn Voit täyttää lomakkeen nyt.. aske virta.

Lisätiedot

TRANSISTORIASTEEN TOIMINTA- SUORAN MÄÄRITTÄMINEN

TRANSISTORIASTEEN TOIMINTA- SUORAN MÄÄRITTÄMINEN TRANSSTORASTEEN TOMNTA- SUORAN MÄÄRTTÄMNEN H. Honkanen Yhteisemitteri ( tai yhteissource ) kytketyn vahvistinasteen toimintasuoran määrittäminen. Toimintapisteen, eli lepopisteen, ja emitterin ( tai sourcen

Lisätiedot

l s, c p T = l v = l l s c p. Z L + Z 0

l s, c p T = l v = l l s c p. Z L + Z 0 1.1 i k l s, c p Tasajännite kytketään hetkellä t 0 johtoon, jonka pituus on l ja jonka kapasitanssi ja induktanssi pituusyksikköä kohti ovat c p ja l s. Mieti, kuinka virta i käyttäytyy ajan t funktiona

Lisätiedot

Aineopintojen laboratoriotyöt I. Ominaiskäyrät

Aineopintojen laboratoriotyöt I. Ominaiskäyrät Aineopintojen laboratoriotyöt I Ominaiskäyrät Aki Kutvonen Op.nmr 013185860 assistentti: Tommi Järvi työ tehty 31.10.2008 palautettu 28.11.2008 Tiivistelmä Tutkittiin elektroniikan peruskomponenttien jännite-virtaominaiskäyriä

Lisätiedot

PUOLIJOHTEISTA. Yleistä

PUOLIJOHTEISTA. Yleistä 39 PUOLIJOHTEISTA Yleistä Pyrittäessä löytämään syy kiinteiden aineiden erilaiseen sähkön johtavuuteen joudutaan perehtymään aineen kidehilassa olevien atomien elektronisiin energiatiloihin. Seuraavassa

Lisätiedot

R = xw = W e (v SG V T )v SD. (4) (v SG V T )v SD. (5)

R = xw = W e (v SG V T )v SD. (4) (v SG V T )v SD. (5) S-69.128 Puolijohdetekniikan laboratoriotyöt syksy 1997 Leif Roschier 41913W (leif.roschier@hut.) Jani Lahtinen 46290H (jani.lahtinen@hut.) Eeva Kallio (ekkallio@cc.hut.) 25. elokuuta 1998 1 Sisältö 1

Lisätiedot

a P en.pdf KOKEET;

a P  en.pdf KOKEET; Tässä on vanhoja Sähkömagnetismin kesäkurssin tenttejä ratkaisuineen. Tentaattorina on ollut Hanna Pulkkinen. Huomaa, että tämän kurssin sisältö on hiukan eri kuin Soveltavassa sähkömagnetiikassa, joten

Lisätiedot

4B. Tasasuuntauksen tutkiminen oskilloskoopilla.

4B. Tasasuuntauksen tutkiminen oskilloskoopilla. TURUN AMMATTIKORKEAKOULU TYÖOHJE 1 4B. Tasasuuntauksen tutkiminen oskilloskoopilla. Teoriaa oskilloskoopista Oskilloskooppi on laite, joka muuttaa sähköisen signaalin näkyvään muotoon. Useimmiten sillä

Lisätiedot

Radiotekniikan perusteet BL50A0301

Radiotekniikan perusteet BL50A0301 Radiotekniikan perusteet BL50A0301 1. Luento Kurssin sisältö ja tavoitteet, sähkömagneettinen aalto Opetusjärjestelyt Luentoja 12h, laskuharjoituksia 12h, 1. periodi Luennot Juhamatti Korhonen Harjoitukset

Lisätiedot

FYSP105 / K3 RC-SUODATTIMET

FYSP105 / K3 RC-SUODATTIMET FYSP105 / K3 R-SODATTIMET Työn tavoitteita tutustua R-suodattimien toimintaan oppia mitoittamaan tutkittava kytkentä laiterajoitusten mukaisesti kerrata oskilloskoopin käyttöä vaihtosähkömittauksissa Työssä

Lisätiedot

Kaikki kytkennät tehdään kytkentäalustalle (bimboard) ellei muuta mainita.

Kaikki kytkennät tehdään kytkentäalustalle (bimboard) ellei muuta mainita. FYSE300 Elektroniikka 1 (FYSE301 FYSE302) Elektroniikka 1:n (FYSE300) laboratorioharjoitukset sisältävät kaksi työtä, joista ensimmäinen sisältyy A-osaan (FYSE301) ja toinen B-osaan (FYSE302). Pelkän A-osan

Lisätiedot

Ehto- ja toistolauseet

Ehto- ja toistolauseet Ehto- ja toistolauseet 1 Ehto- ja toistolauseet Uutena asiana opetellaan ohjelmointilauseet / rakenteet, jotka mahdollistavat: Päätösten tekemisen ohjelman suorituksen aikana (esim. kyllä/ei) Samoja lauseiden

Lisätiedot

Taitaja2004/Elektroniikka Semifinaali 19.11.2003

Taitaja2004/Elektroniikka Semifinaali 19.11.2003 Taitaja2004/Elektroniikka Semifinaali 19.11.2003 Teoriatehtävät Nimi: Oppilaitos: Ohje: Tehtävät ovat suurimmaksi osaksi vaihtoehtotehtäviä, mutta tarkoitus on, että lasket tehtävät ja valitset sitten

Lisätiedot

SÄHKÖTEKNIIKAN KOULUTUSOHJELMA KANDIDAATINTYÖ. n-kanavaisen MOSFET-transistorin mittaaminen ja MATLABilla mallintaminen

SÄHKÖTEKNIIKAN KOULUTUSOHJELMA KANDIDAATINTYÖ. n-kanavaisen MOSFET-transistorin mittaaminen ja MATLABilla mallintaminen SÄHKÖTEKNIIKAN KOULUTUSOHJELMA KANDIDAATINTYÖ n-kanavaisen MOSFET-transistorin mittaaminen ja MATLABilla mallintaminen Tekijä Valvoja Janne Juusola Timo Rahkonen Maaliskuu 2017 Juusola J. (2017) n-kanavaisen

Lisätiedot

FUNKTIONAALIANALYYSIN PERUSKURSSI 1. 0. Johdanto

FUNKTIONAALIANALYYSIN PERUSKURSSI 1. 0. Johdanto FUNKTIONAALIANALYYSIN PERUSKURSSI 1. Johdanto Funktionaalianalyysissa tutkitaan muun muassa ääretönulotteisten vektoriavaruuksien, ja erityisesti täydellisten normiavaruuksien eli Banach avaruuksien ominaisuuksia.

Lisätiedot

VIM RM1 VAL0123136 / SKC9068201 VIBRATION MONITOR RMS-MITTAUSJÄRJESTELMÄLLE KÄSIKIRJA. VIM-RM1 FI.docx 1998-06-04 / BL 1(5)

VIM RM1 VAL0123136 / SKC9068201 VIBRATION MONITOR RMS-MITTAUSJÄRJESTELMÄLLE KÄSIKIRJA. VIM-RM1 FI.docx 1998-06-04 / BL 1(5) VIM RM1 VAL0123136 / SKC9068201 VIBRATION MONITOR RMS-MITTAUSJÄRJESTELMÄLLE KÄSIKIRJA FI.docx 1998-06-04 / BL 1(5) SISÄLTÖ 1. KOMPONENTTIEN SIJAINTI 2. TOIMINNAN KUVAUS 3. TEKNISET TIEDOT 4. SÄÄTÖ 5. KALIBROINTI

Lisätiedot

Successive approximation AD-muunnin

Successive approximation AD-muunnin AD-muunnin Koostuu neljästä osasta: näytteenotto- ja pitopiiristä, (sample and hold S/H) komparaattorista, digitaali-analogiamuuntimesta (DAC) ja siirtorekisteristä. (successive approximation register

Lisätiedot

Automaation elektroniikka T103403, 3 op SAU14snS. Pekka Rantala kevät 2016

Automaation elektroniikka T103403, 3 op SAU14snS. Pekka Rantala kevät 2016 Automaation elektroniikka T103403, 3 op SAU14snS Pekka Rantala kevät 2016 Opinto-opas 2014 Osaamistavoitteet: Opintojakso perehdyttää opiskelijat automaatiotekniikan sovelluksissa käytettäviin elektroniikan

Lisätiedot

Analogisen IC-piirin suunnittelu

Analogisen IC-piirin suunnittelu Analogisen IC-piirin suunnittelu idea/spesifikaatiot käsinsuunnittelu ja ideaaliset piirisimulaatiot prosessikohtainen käsinsuunnittelu ja piirisimulointi toiminnallinen kuvaus (esim. piirikaavioesitys)

Lisätiedot

Energianhallinta. Energiamittari. Malli EM10 DIN. Tuotekuvaus. Tilausohje EM10 DIN AV8 1 X O1 PF. Mallit

Energianhallinta. Energiamittari. Malli EM10 DIN. Tuotekuvaus. Tilausohje EM10 DIN AV8 1 X O1 PF. Mallit Energianhallinta Energiamittari Malli EM10 DIN Luokka 1 (kwh) EN62053-21 mukaan Luokka B (kwh) EN50470-3 mukaan Energiamittari Energia: 6 numeroa Energian mittaukset: kokonais kwh TRMS mittaukset vääristyneelle

Lisätiedot

Energian hallinta. Energiamittari. Malli EM23 DIN. Tuotekuvaus. Tilausohje EM23 DIN AV9 3 X O1 PF. Mallit. Tarkkuus ±0.5 RDG (virta/jännite)

Energian hallinta. Energiamittari. Malli EM23 DIN. Tuotekuvaus. Tilausohje EM23 DIN AV9 3 X O1 PF. Mallit. Tarkkuus ±0.5 RDG (virta/jännite) Energian hallinta Energiamittari Malli EM23 DIN Tuotekuvaus Tarkkuus ±0.5 RDG (virta/jännite) Energiamittari Hetkellissuureiden näyttö: 3 numeroa Energiamittaukset: 7 numeroa 3-vaihesuureet: W, var, vaihejärjestys

Lisätiedot

Mitä on pätö-, näennäis-, lois-, keskimääräinen ja suora teho sekä tehokerroin? Alla hieman perustietoa koskien 3-vaihe tehomittauksia.

Mitä on pätö-, näennäis-, lois-, keskimääräinen ja suora teho sekä tehokerroin? Alla hieman perustietoa koskien 3-vaihe tehomittauksia. Mitä on sähköinen teho? Tehojen mittaus Mitä on pätö-, näennäis-, lois-, keskimääräinen ja suora teho sekä tehokerroin? Alla hieman perustietoa koskien 3-vaihe tehomittauksia. Tiettynä ajankohtana, jolloin

Lisätiedot

Coulombin laki. Sähkökentän E voimakkuus E = F q

Coulombin laki. Sähkökentän E voimakkuus E = F q Coulombin laki Kahden pistemäisen varatun hiukkasen välinen sähköinen voima F on suoraan verrannollinen varausten Q 1 ja Q 2 tuloon ja kääntäen verrannollinen etäisyyden r neliöön F = k Q 1Q 2 r 2, k =

Lisätiedot

TYÖ 2: OPERAATIOVAHVISTIMEN PERUSKYTKENTÖJÄ

TYÖ 2: OPERAATIOVAHVISTIMEN PERUSKYTKENTÖJÄ TYÖ 2: OPERAATIOVAHVISTIMEN PERUSKYTKENTÖJÄ Työselostus xxx yyy, ZZZZZsn 25.11.20nn Automaation elektroniikka OAMK Tekniikan yksikkö SISÄLLYS SISÄLLYS 2 1 JOHDANTO 3 2 LABORATORIOTYÖN TAUSTA JA VÄLINEET

Lisätiedot

M2A.2000. Suomenkielinen käyttöohje. www.macrom.it

M2A.2000. Suomenkielinen käyttöohje. www.macrom.it M2A.2000 Suomenkielinen käyttöohje www.macrom.it Vahvistimen säätimet ja liitännät 2 3 5 6 7 8 9 0 2 3 5 6 7 8 9 2 3 5 6 7 8 9 0 2 3 5 6 7 8 9 RCA-tuloliitäntä matalatasoiselle signaalille High Level -kaiutintasoinen

Lisätiedot

PERUSRAKENTEET Forward converter, Myötävaihemuunnin ( BUCK regulaattori )

PERUSRAKENTEET Forward converter, Myötävaihemuunnin ( BUCK regulaattori ) HAKKRIKYTKENNÄT H. Honkanen PERSRAKENTEET Forward converter, Myötävaihemuunnin ( BCK regulaattori ) Toiminta: Kun kytkin ( = päätetransistori ) on johtavassa tilassa, siirtyy virta I 1 kelan kautta kondensaattoriin

Lisätiedot

Kondensaattorin läpi kulkeva virta saadaan derivoimalla yhtälöä (2), jolloin saadaan. cos sin.

Kondensaattorin läpi kulkeva virta saadaan derivoimalla yhtälöä (2), jolloin saadaan. cos sin. VAIHTOVIRTAPIIRI 1 Johdanto Vaihtovirtapiirien käsittely perustuu kolmen peruskomponentin, vastuksen (resistanssi R), kelan (induktanssi L) ja kondensaattorin (kapasitanssi C) toimintaan. Tarkastellaan

Lisätiedot

SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA 1 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA txt-8 2017, Kimmo Silvonen Osa VIII, 13.11.2017 Otan mielelläni esim. sähköpostilla (kimmo.silvonen@aalto.fi) vastaan pieniäkin korjauksia (kuten painovirheet), tekstisisältötoiveita

Lisätiedot

S-108.3020 Elektroniikan häiriökysymykset. Laboratoriotyö, kevät 2010

S-108.3020 Elektroniikan häiriökysymykset. Laboratoriotyö, kevät 2010 1/7 S-108.3020 Elektroniikan häiriökysymykset Laboratoriotyö, kevät 2010 Häiriöiden kytkeytyminen yhteisen impedanssin kautta lämpötilasäätimessä Viimeksi päivitetty 25.2.2010 / MO 2/7 Johdanto Sähköisiä

Lisätiedot

Analogiapiirit III. Keskiviikko , klo , TS128. Operaatiovahvistinrakenteet

Analogiapiirit III. Keskiviikko , klo , TS128. Operaatiovahvistinrakenteet Oulun yliopisto Sähkötekniikan osasto Analogiapiirit III Harjoitus 3. Keskiviikko 11.12.2002, klo. 12.15-14.00, TS128. Operaatiovahvistinrakenteet 1. a) Laske kuvan 1 käännetty kaskadi (folded-cascode)

Lisätiedot

ENY-C2001 Termodynamiikka ja lämmönsiirto TERVETULOA!

ENY-C2001 Termodynamiikka ja lämmönsiirto TERVETULOA! ENY-C2001 Termodynamiikka ja lämmönsiirto TERVETULOA! Luento 14.9.2015 / T. Paloposki / v. 03 Tämän päivän ohjelma: Aineen tilan kuvaaminen pt-piirroksella ja muilla piirroksilla, faasimuutokset Käsitteitä

Lisätiedot

ABB aurinkosähköinvertterit Pikaohje PMU laajennuskortti

ABB aurinkosähköinvertterit Pikaohje PMU laajennuskortti ABB aurinkosähköinvertterit Pikaohje PMU laajennuskortti Tämän pikaohjeen lisäksi on turvallisuus ja asennustietojen ohjeet luettava ja niitä on noudatettava. Tekninen dokumentaatio, ja hallintaohjelmisto

Lisätiedot

Aurinko-R10 asennus ja käyttöohje

Aurinko-R10 asennus ja käyttöohje EI NÄIN ESIM NÄIN Aurinko-R10 Aurinkopaneelin asennus ja kytkentä Asenna aurinkopaneeli avoimelle paikalle kohti etelää (välillä itä länsi) ja kallista kohti keskipäivän aurinkoa. Tuoton kannalta 25..

Lisätiedot

Vastksen ja diodin virta-jännite-ominaiskäyrät sekä valodiodi

Vastksen ja diodin virta-jännite-ominaiskäyrät sekä valodiodi Sivu 1/10 Fysiikan laboratoriotyöt 1 Työ numero 3 Vastksen ja diodin virta-jännite-ominaiskäyrät sekä valodiodi Työn suorittaja: Antero Lehto 1724356 Työ tehty: 24.2.2005 Uudet mittaus tulokset: 11.4.2011

Lisätiedot

Harjoitustyön 2 aiheiden kuvaukset

Harjoitustyön 2 aiheiden kuvaukset Sivu 1 (5) 1 Raitiovaunun oven avaamis- ja sulkemispiiri Raitiovaunun oven vieressä on matkustajan avauspainike. Kun vaunu on paikallaan, matkustajan avauspainikkeen painaminen antaa signaalin, joka avaa

Lisätiedot

PIIRIANALYYSI. Harjoitustyö nro 7. Kipinänsammutuspiirien mitoitus. Mika Lemström

PIIRIANALYYSI. Harjoitustyö nro 7. Kipinänsammutuspiirien mitoitus. Mika Lemström PIIRIANAYYSI Harjoitustyö nro 7 Kipinänsammutuspiirien mitoitus Mika emström Sisältö 1 Johdanto 3 2 RC-suojauspiiri 4 3 Diodi suojauspiiri 5 4 Johtopäätos 6 sivu 2 [6] Piirianalyysi Kipinänsammutuspiirien

Lisätiedot

kipinäpurkauksena, josta salama on esimerkki.

kipinäpurkauksena, josta salama on esimerkki. Sähkö 25 Esineet saavat sähkövarauksen hankauksessa kipinäpurkauksena, josta salama on esimerkki. Hankauksessa esineet voivat varautua sähköisesti. Varaukset syntyvät, koska hankauksessa kappaleesta siirtyy

Lisätiedot

C 2. + U in C 1. (3 pistettä) ja jännite U C (t), kun kytkin suljetaan ajanhetkellä t = 0 (4 pistettä). Komponenttiarvot ovat

C 2. + U in C 1. (3 pistettä) ja jännite U C (t), kun kytkin suljetaan ajanhetkellä t = 0 (4 pistettä). Komponenttiarvot ovat S-87.2 Tentti 6..2007 ratkaisut Vastaa kaikkiin neljään tehtävään! C 2 I J 2 C C U C Tehtävä atkaise virta I ( pistettä), siirtofunktio F(s) = Uout ( pistettä) ja jännite U C (t), kun kytkin suljetaan

Lisätiedot

Kombinatorisen logiikan laitteet

Kombinatorisen logiikan laitteet Kombinatorisen logiikan laitteet Kombinatorinen logiikka tarkoittaa logiikkaa, jossa signaali kulkee suoraan sisääntuloista ulostuloon Sekventiaalisessa logiikassa myös aiemmat syötteet vaikuttavat ulostuloon

Lisätiedot

Aurinko-C20 V asennus ja käyttöohje

Aurinko-C20 V asennus ja käyttöohje Aurinko-C20 V asennus ja käyttö Laitetelineen osat ja laitteet:. Kääntyvillä pyörillä varustettu laiteteline. Laitteet on kiinnitetty ja johdotettu telineeseen (toimitetaan akut irrallaan). 2. Akut. Kaksi

Lisätiedot

Ratkaisu. Ensimmäinen kuten P Q, toinen kuten P Q. Kolmas kuten P (Q R):

Ratkaisu. Ensimmäinen kuten P Q, toinen kuten P Q. Kolmas kuten P (Q R): Diskreetti matematiikka, sks 2010 Harjoitus 2, ratkaisuista 1. Seuraavassa on kuvattu kolme virtapiiriä, joissa on paristo, sopiva lamppu L ja katkaisimia P, Q, R, joiden läpi virta kulkee (1) tai ei kulje

Lisätiedot

Digitaalitekniikan matematiikka Luku 8 Sivu 1 (23) Kombinaatiopiirielimet MUX X/Y 2 EN

Digitaalitekniikan matematiikka Luku 8 Sivu 1 (23) Kombinaatiopiirielimet MUX X/Y 2 EN Digitaalitekniikan matematiikka Luku 8 Sivu ().9. Fe DX G = G EN X/Y Digitaalitekniikan matematiikka Luku 8 Sivu ().9. Fe Johdanto Tässä luvussa esitetään keskeisiä kombinaatiopiirielimiä ne ovat perusporttipiirejä

Lisätiedot

FYSP105/2 VAIHTOVIRTAKOMPONENTIT. 1 Johdanto. 2 Teoreettista taustaa

FYSP105/2 VAIHTOVIRTAKOMPONENTIT. 1 Johdanto. 2 Teoreettista taustaa FYSP105/2 VAIHTOVIRTAKOMPONENTIT Työn tavoitteita o Havainnollistaa vaihtovirtapiirien toimintaa o Syventää ymmärtämystä aiheeseen liittyvästä fysiikasta 1 Johdanto Tasavirta oli 1900 luvun alussa kilpaileva

Lisätiedot

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA S-55.00 SÄHKÖTKNIIKKA JA KTONIIKKA Tentti 9..006: tehtävät,3,5,7,9. välikoe: tehtävät,,3,4,5. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0 Saat vastata vain neljään tehtävään/koe; ne sinun pitää itse valita! Kimmo Silvonen.

Lisätiedot

PYP I / TEEMA 4 MITTAUKSET JA MITATTAVUUS

PYP I / TEEMA 4 MITTAUKSET JA MITATTAVUUS 1 PYP I / TEEMA 4 MITTAUKSET JA MITATTAVUUS Aki Sorsa 2 SISÄLTÖ YLEISTÄ Mitattavuus ja mittaus käsitteinä Mittauksen vaiheet Mittaustarkkuudesta SUUREIDEN MITTAUSMENETELMIÄ Mittalaitteen osat Lämpötilan

Lisätiedot

1. a) Piiri sisältää vain resistiivisiä komponentteja, joten jännitteenjaon tulos on riippumaton taajuudesta.

1. a) Piiri sisältää vain resistiivisiä komponentteja, joten jännitteenjaon tulos on riippumaton taajuudesta. Fysiikan mittausmenetelmät I syksy 2013 Malliratkaisut 3 1. a) Piiri sisältää vain resistiivisiä komponentteja, joten jännitteenjaon tulos on riippumaton taajuudesta. b) Ulostulo- ja sisäänmenojännitteiden

Lisätiedot

TL6931 RF-ASIC. Tavoitteet

TL6931 RF-ASIC. Tavoitteet TL6931 RF-ASIC Veijo Korhonen Tavoitteet Opiskelija saa kuvan integroitujen RFpiirien suunnittelusta. Perehtyminen yleisimpiin valmistusprosesseihin, pakkaustekniikoihin ja suunnittelutyökaluihin antaa

Lisätiedot

FYSA220/1 (FYS222/1) HALLIN ILMIÖ

FYSA220/1 (FYS222/1) HALLIN ILMIÖ FYSA220/1 (FYS222/1) HALLIN ILMIÖ Työssä perehdytään johteissa ja tässä tapauksessa erityisesti puolijohteissa esiintyvään Hallin ilmiöön, sekä määritetään sitä karakterisoivat Hallin vakio, varaustiheys

Lisätiedot

PHYS-C0240 Materiaalifysiikka (5op), kevät 2016

PHYS-C0240 Materiaalifysiikka (5op), kevät 2016 PHYS-C0240 Materiaalifysiikka (5op), kevät 2016 Prof. Martti Puska Emppu Salonen Tomi Ketolainen Ville Vierimaa Luento 7: Hilavärähtelyt tiistai 12.4.2016 Aiheet tänään Hilavärähtelyt: johdanto Harmoninen

Lisätiedot