ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T320003

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Koko: px
Aloita esitys sivulta:

Download "ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T320003"

Transkriptio

1 ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T syksyllä 2013 OSA 2 Veijo Korhonen 4. Bipolaaritransistorit Toiminta Pienellä kantavirralla voidaan ohjata suurempaa kollektorivirtaa (kerroin β), toimii vahvistimena - Voidaan ajatella virralla ohjattavana säätövastuksena Toiminnan ääripäissä (sulku- ja kyllästystilassa) toimii kuten auki tai kiinni oleva kytkin - Voidaan ajatella virralla ohjattavana kytkimenä 1

2 Transistorin kolme toimintatilaa 1. Kantavirta = 0 Kuin auki oleva kytkin (ei johda) Transistori on sulkutilassa (cutoff) I B = 0 I C = 0 2. Kantavirta sopiva Ääripäiden välialueella Lineaarinen/aktiivinen alue I B > 0 3. Kantavirta = riittävän suuri Kuin kiinni oleva kytkin (johtaa hyvin) Transistori on kyllästystilassa (saturation) I B >> 0 I C = max Rakenne Bipolaaritransistori muodostuu joko kahdesta n- ja yhdestä p- puolijohteesta (npn) tai kahdesta p- ja yhdestä n-puolijohteesta (pnp) Kollektori (collector) ja emitteri (emitter) ovat saman tyyppistä puolijohdetta, joiden välissä on toista tyyppiä oleva kanta (base) 2

3 Mitoitussääntöjä (npn) Kollektorivirta suhteessa kantavirtaan eli virtavahvistus β I C = β I B (β = h FE ) Emitterivirta I E = I B + I C ( usein oletetaan I E I C ) Kanta-emitterijännite pii-transistorilla U BE 0.7 V (kynnysjännite) B I B U BE C E I C I E U CE pnp-transistorilla virtojen ja jännitteiden suunnat vaihtuvat Esimerkki NPN-transistorin käytöstä kytkimenä heikolla logiikkasignaalilla pitää ohjata LEDiä, ohjaussignaali on kuvan mukainen LED: kynnysjännite 2,0 V virta 25 ma Transistori (esim. BC337): β = 100 U CE sat = 0,2 V 4,5 V 0,5 V R B B C E +5 V R C 3

4 Kollektorivastuksen mitoitus Saturaatiotilassa LEDin läpi pitää saada virtaa 25 ma Kollektorivastuksen R C yli oleva jännite U RC = +5 V 2 V (LED) 0,2 V (U CE ) = 2,8 V Kollektorivastus R C = U RC / 25 ma = 112 Ω valitaan: R C = 100 Ω 4,5 V R B B C +5 V R C U RC 0,5 V E Kantavastuksen mitoitus Saturaatiotilassa kantavirran I B pitää vähintään olla: I B = I C / β = 25 ma / 100 = 250 µa Kantavastuksen R B yli oleva jännite U RB = +4,5 V 0,7 V = 3,8 V +5 V Kantavastus R B = U RB / 250 µa = 15,2 kω valitaan: R B = 15 kω 4,5 V R B B C R C 0,5 V U RB E 4

5 Darlington-pari suuri virtavahvistus β = β 1 β 2 Yleensä integroitu paketti, missä on lisätty suojausja nopeutusdiodit ja vastukset Differentiaalipari Käytetään vahvistamaan kahden signaalin erotusta Peruskytkentänä mm. operaatiovahvistimessa ja muissa mikropiireissä 5

6 5. Kanavatransistorit Liitoskanavatransistori (Junction Field Effect Transistor, JFET) Toiminta Perustuu estosuuntaisen pn-rajapinnan tyhjennysalueen levenemiseen jännitteen funktiona Liitoskanavatransistorissa hilajännitteen (Gate) avulla voidaan säätää nielun (Drain) ja lähteen (Source) välisen kanavan resistanssia, jolloin kanavan läpi kulkeva virta pienenee Ohminen alue (linear region) Kanava on koko pituudeltaan auki ja lähde-nielu jännitteen U DS kasvaessa kanavassa kulkeva nieluvirta I D kasvaa Vakiovirta-alue (saturation region) Kun lähde-nielu jännite U DS kasvaa tarpeeksi suureksi, kanava kuristuu toisesta päästä kiinni ja nieluvirta I D pysyy vakiona 6

7 Jännitettä U GS, joka vaaditaan, että kanava on kuristunut koko pituudeltaan umpeen, kutsutaan kuristujännitteeksi (pinch-off voltage) U P Jos n-kanavaisen JFET:n hilan ja lähteen välinen jännite U GS menee negatiivisemmaksi kuin kuristusjännite U P, niin kanavan resistanssi kasvaa hyvin suureksi ja virta I D pienenee lähelle nollaa I D 0, jos U GS < - U P JFET johtaa ja kanavan kautta kulkee virtaa silloin, kun U GS on alueella - U P < U GS < 0 eli JFET on joko ohmisella tai vakiovirta-alueella 7

8 Rakenne n-kanava JFET:ssä lähde ja nielu ovat samassa n- puolijohteessa ja hila p-puolijohteissa kanavan päällä Rakenne p-kanava JFET:ssä lähde ja nielu ovat samassa p- puolijohteessa ja hila n- puolijohteissa kanavan päällä 8

9 JFETin piirisovellukset vahvistin kytkin differentiaalipari MOSFET Metall Oxide Semiconductor Field Effective Transistor Toiminta Sulkutyypin MOSFET:ssa hilajännite poistaa nielun ja lähteen välisen kanavan Avaustyypin MOSFET:ssa hilajännite synnyttää nielun ja lähteen välille kanavan n-mosfet: U GS > U fn (=kynnysjännite < 0,7 V) p- MOSFET: U GS < -U fp 9

10 Vakiovirta-alue (saturation region) U DS > U GS U f I D = K (U GS U f ) 2 Ohminen alue (linear region) U DS < U GS U f I D = K [2 (U GS U f ) U DS U DS2 ] 10

11 Rakenne MOSFET:ssa kanavan ja hilan välissä on eristävä oksidikerros joten hilavirta I G 0 Sulkutyypin MOSFET:ssa on lähteen ja nielun yhdistävä puolijohdekanava hilan alla Avaustyypin MOSFET:ssa ei ole puolijohdekanavaa hilan alla Sulkutyypin MOSFET Avaustyypin MOSFET 11

12 MOSFETin piirisovellukset Vahvistin Kytkin integroidut piirit: jännitteen jakaminen, vakiovirtageneraattori, differentiaalipari, MOS-vastukset, logiikkakytkennät (pienempi kynnysjännite kuin bipolaaritransistorilla) 6. Ideaalinen vahvistin (lisämateriaalia op.ampista, erillinen osa 1,5) Ideaalinen vahvistin on lineaarinen eli lähtösignaalin taso riippuu suoraan tulosignaalin tasosta jännitevahvistus A u = u out / u in Virtavahvistus A i = i out / i in Vahvistus voidaan ilmaista myös desibeleinä A [db] = 20 log 10 (A u tai i ) 12

13 Rakenne Ideaalinen jännitevahvistin Tuloresistanssi R in = ja siten tulovirta i in = 0 Lähtöresistanssi R out = 0 ja siten kuormaimpedanssi R l ei vaikuta lähtöjännitteen u out tasoon Lähtöjännite u out = A u u s i in u s R u out l ~ A u Vahvistimen piirisovellukset Signaalin vahvistaminen Lähde- ja kuormaimpedanssien erottaminen Oskillaattorit Suodattimet 13

14 7. CMOS-logiikkapiirit Complementary Metal Oxide Semicontuctor, CMOS Keksitty 1963 (Frank Wanlass, Fairchild Semicontuctor) Ensimmäiset piirit teki RCA vuonna 1968 Alunperin hidas mutta pienitehoinen vaihtoehto TTL:lle esim. rannekelloissa Nykyisin mikropiirien käytetyin teknologia Tiheä (pienet rakenteet) Nopea (pienet rakenteet = pienet varaukset) Pieni tehonkulutus (pienet varaukset = pienet tehohäviöt) Myös analogia- ja mixed-signal -piirit 14

15 7.1 Toiminta Toiminta perustuu avaustyyppisten MOSFET:ien käyttämiseen kytkiminä P-MOSFET avautuu, kun hilajännite on kynnysjännitteen verran alle lähdejännitteen (=käyttöjännite) N-MOSFET avautuu, kun hilajännite on kynnysjännitteen verran yli lähdejännitteen (=maapotentiaali) CMOS-piiri kuluttaa tehoa vain tilaa vaihtaessaan, koska staattisen tilan vuotovirrat ovat hyvin pieniä P k*f clk *U Rakenne Transistorit on yhdistetty pareittain (P-MOSFET ja N- MOSFET) symmetrisesti Transistoreista toinen on aina auki, toinen kiinni. P-MOSFET:n lähde ja N-MOSFET:n nielu on yhdistetty lähtöön invertteri NAND 15

16 Piirisovellukset 74HC/HCT-logiikkaperhe 74HC04: hex inverter (kuusi invertteriä) 74HC74: dual D flip flop (kaksi D-kiikkua) 4000-logiikkaperhe 16

17 8. Tehoelektroniikan komponentit Suuriakin virtoja ja jännitteitä kestäviä komponentteja Esim. diodi, transistori, tyristori (thyristor), triakki (triac), diac Tyristorit Useista pn-rajapinnoista muodostuvia kytkinkomponentteja Käytetään kytkemään suuria jännitteitä (kv) ja virtoja ( < ka), eli teho voi olla jopa 1 MW) Kytkentänopeus pieni (< 100 Hz) Tyristori = diodi, jolla on hila (gate) = SCR = Silicon Controlled Rectifier hila I G anodi katodi Tyristori saadaan johtavaksi, kun 1. Hilan kautta annetaan virtapulssi (yleensä tehdään näin) TAI 2. Myötäsuuntainen jännite on tarpeeksi suuri (I G = 0) (harvemmin tehdään näin) Tyristori sammuu, kun Myötäsuuntainen jännite menee tarpeeksi pieneksi 17

18 Tyristorin ominaiskäyrä I F Estosuuntainen läpilyöntijännite I G2 > I G1 I G1 > I G0 I G0 = 0 U R Reverse Myötäsuuntainen läpilyöntijännite U F Forward Tehonsäätö liipaistavalla komponentilla, yleinen periaate kuorma liipaisupiiri tyristori tai triakki 230 VAC 18

19 Tyristorin liipaisukohdan vaikutus Liipaisuhetket Liipaisuhetket Tyristori 19

20 Triakki = kaksi tyristoria vastakkain hila T1 T2 Triakki voidaan saada johtavaksi molempiin suuntiin Teknisesti haastavampi kuin tyristori Ei yhtä isoille arvoille kuin tyristori Voidaan käyttää pienen kuorman ohjaamiseen, esim. lampun himmentimenä Triakin liipaisu Liipaisuhetket 20

21 Triakki (Triac) T1 n n p n p n n Gate T2 21

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T700504

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T700504 ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T700504 syksyllä 2014 OSA 2 Veijo Korhonen 4. Bipolaaritransistorit Toiminta Pienellä kantavirralla voidaan ohjata suurempaa kollektorivirtaa (kerroin β), toimii vahvistimena -

Lisätiedot

Transistoreiden merkinnät

Transistoreiden merkinnät Transistoreiden merkinnät Yleisesti: Eurooppalaisten valmistajien tunnukset muodostuvat yleisesti kirjain ja numeroyhdistelmistä Ensimmäinen kirjain ilmaisee puolijohdemateriaalin ja toinen kirjain ilmaisee

Lisätiedot

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X) 5.10.2015

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X) 5.10.2015 Sähköpaja Kimmo Silvonen (X) Elektroniikan komponentit Erilliskomponentit ja IC:t Passiivit: R C L Aktiiviset diskreetit ja IC:t Bipolaaritransistori BJT Kanavatransistorit FET Jänniteregulaattorit (pajan)

Lisätiedot

FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe (Vastaa kaikkiin viiteen tehtävään)

FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe (Vastaa kaikkiin viiteen tehtävään) FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe 16.3.2012 (Vastaa kaikkiin viiteen tehtävään) 1. Selitä lyhyesti (6 pistettä) a) pn-liitoksen virta-jännite-käyttäytyminen b) varauksenkuljettajien lukumäärä itseispuolijohteissa

Lisätiedot

C 2. + U in C 1. (3 pistettä) ja jännite U C (t), kun kytkin suljetaan ajanhetkellä t = 0 (4 pistettä). Komponenttiarvot ovat

C 2. + U in C 1. (3 pistettä) ja jännite U C (t), kun kytkin suljetaan ajanhetkellä t = 0 (4 pistettä). Komponenttiarvot ovat S-87.2 Tentti 6..2007 ratkaisut Vastaa kaikkiin neljään tehtävään! C 2 I J 2 C C U C Tehtävä atkaise virta I ( pistettä), siirtofunktio F(s) = Uout ( pistettä) ja jännite U C (t), kun kytkin suljetaan

Lisätiedot

ELEC-C6001 Sähköenergiatekniikka, laskuharjoitukset oppikirjan lukuun 10 liittyen.

ELEC-C6001 Sähköenergiatekniikka, laskuharjoitukset oppikirjan lukuun 10 liittyen. ELEC-C6001 Sähköenergiatekniikka, laskuharjoitukset oppikirjan lukuun 10 liittyen. X.X.2015 Tehtävä 1 Bipolaaritransistoria käytetään alla olevan kuvan mukaisessa kytkennässä, jossa V CC = 40 V ja kuormavastus

Lisätiedot

BL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan: CMOS-tekniikka ja siihen perustuvat logiikkapiiriperheet

BL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan: CMOS-tekniikka ja siihen perustuvat logiikkapiiriperheet BL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan: CMOS-tekniikka ja siihen perustuvat logiikkapiiriperheet Bittioperaatioiden toteuttamisesta Tarvitaan kolmea asiaa: 1. Menetelmät esittää ja siirtää bittejä

Lisätiedot

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X)

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X) Sähköpaja Kimmo Silvonen (X) Elektroniikan komponentit Erilliskomponentit ja IC:t Passiivit: R C L Aktiiviset erilliskomponentit (diskreetit) ja IC:t: Bipolaaritransistori BJT Moottorinohjaus, H-silta

Lisätiedot

Sähkötekniikka ja elektroniikka

Sähkötekniikka ja elektroniikka Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X) Diodi ja puolijohteet Luento Ideaalidiodi = kytkin Puolijohdediodi = epälineaarinen vastus Sovelluksia, mm. ilmaisin ja LED, tasasuuntaus viimeis. viikolla

Lisätiedot

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X)

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X) Sähköpaja Kimmo Silvonen (X) Elektroniikan komponentit Erilliskomponentit ja IC:t Passiivit: R C L Aktiiviset erilliskomponentit (diskreetit) ja IC:t: Bipolaaritransistori BJT Moottorinohjaus, H-silta

Lisätiedot

SÄHKÖENERGIATEKNIIIKKA. Harjoitus - luento 7. Tehtävä 1

SÄHKÖENERGIATEKNIIIKKA. Harjoitus - luento 7. Tehtävä 1 SÄHKÖENERGIATEKNIIIKKA Harjoitus - luento 7 Tehtävä 1 Bipolaaritransistoria käytetään alla olevan kuvan mukaisessa kytkennässä, jossa V CC = 40 V ja kuormavastus R L = 10 ς. Kyllästysalueella kollektori-emitterijännite

Lisätiedot

CC-ASTE. Kuva 1. Yksinkertainen CC-vahvistin, jossa virtavahvistus B + 1. Kuva 2. Yksinkertaisen CC-vahvistimen simulaatio

CC-ASTE. Kuva 1. Yksinkertainen CC-vahvistin, jossa virtavahvistus B + 1. Kuva 2. Yksinkertaisen CC-vahvistimen simulaatio CC-ASTE Yhteiskollektorivahvistin eli emitteriseuraaja on vahvistinkytkentä, jota käytetään jännitepuskurina. Sisääntulo on kannassa ja ulostulo emitterissä. Koska transistorin kannan ja emitterin välinen

Lisätiedot

Sähkötekniikka ja elektroniikka

Sähkötekniikka ja elektroniikka Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X) Bipolaaritransistori BJT Versio Bipolar Junction Transistor, liekkö turhakin keksintö? BJT 23.12.1947 Nobel 1956 (Bell Labs, nykyisin Alcatel-Lucent)

Lisätiedot

PUOLIJOHTEET + + - - - + + + - - tyhjennysalue

PUOLIJOHTEET + + - - - + + + - - tyhjennysalue PUOLIJOHTEET n-tyypin- ja p-tyypin puolijohteet - puolijohteet ovat aineita, jotka johtavat sähköä huonommin kuin johteet, mutta paremmin kuin eristeet (= eristeen ja johteen välimuotoja) - resistiivisyydet

Lisätiedot

Näytteen liikkeen kontrollointi

Näytteen liikkeen kontrollointi LAPPEENRANNAN TEKNILLINEN YLIOPISTO Sähkötekniikan osasto Fysiikan laitos Kandidaatintyö Näytteen liikkeen kontrollointi Työn ohjaajana ja tarkastajana toimi diplomi-insinööri Hanna-Leena Varis. Lappeenrannassa

Lisätiedot

Sähköpajan elektroniikkaa

Sähköpajan elektroniikkaa Sähköpajan elektroniikkaa Kimmo Silvonen (X) "Virtalähde", teholähde, verkkolaite (wall-wart) Elektroniikkapiirit vaativat toimiakseen käyttöjännitteen. Paristot noin 1,5 V tai 3 V / kenno Ladattavat NiMH-akut

Lisätiedot

Analogiapiirit III. Keskiviikko 4.12.2002, klo. 12.15-14.00, TS128. Operaatiovahvistinrakenteet

Analogiapiirit III. Keskiviikko 4.12.2002, klo. 12.15-14.00, TS128. Operaatiovahvistinrakenteet Oulun yliopisto Sähkötekniikan osasto Analogiapiirit III Harjoitus 2. Keskiviikko 4.12.2002, klo. 12.15-14.00, TS128. Operaatiovahvistinrakenteet 1. Analysoi kuvan 1 operaatiotranskonduktanssivahvistimen

Lisätiedot

Taitaja2005/Elektroniikka. 1) Resistanssien sarjakytkentä kuormittaa a) enemmän b) vähemmän c) yhtä paljon sähkölähdettä kuin niiden rinnankytkentä

Taitaja2005/Elektroniikka. 1) Resistanssien sarjakytkentä kuormittaa a) enemmän b) vähemmän c) yhtä paljon sähkölähdettä kuin niiden rinnankytkentä 1) Resistanssien sarjakytkentä kuormittaa a) enemmän b) vähemmän c) yhtä paljon sähkölähdettä kuin niiden rinnankytkentä 2) Kahdesta rinnankytketystä sähkölähteestä a) kuormittuu enemmän se, kummalla on

Lisätiedot

FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe 27.4.2012 Vastaa kaikkiin viiteen kysymykseen

FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe 27.4.2012 Vastaa kaikkiin viiteen kysymykseen FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe 27.4.2012 Vastaa kaikkiin viiteen kysymykseen 1. Selitä lyhyesti a) Theveninin teoreema (2 p) b) Itseispuolijohde ja seostettu puolijohde. (2 p) c) Piirrä p-kanava

Lisätiedot

IGBT-TRANSISTORI. Janne Salonen. Opinnäytetyö Joulukuu 2013 Tietoliikennetekniikka Sulautetutjärjestelmät ja elektroniikka

IGBT-TRANSISTORI. Janne Salonen. Opinnäytetyö Joulukuu 2013 Tietoliikennetekniikka Sulautetutjärjestelmät ja elektroniikka IGBT-TRANSISTORI Janne Salonen Opinnäytetyö Joulukuu 2013 Tietoliikennetekniikka Sulautetutjärjestelmät ja elektroniikka TIIVISTELMÄ Tampereen ammattikorkeakoulu Tietoliikennetekniikka Sulautetutjärjestelmät

Lisätiedot

Sähköpajan elektroniikkaa

Sähköpajan elektroniikkaa Sähköpajan elektroniikkaa Kimmo Silvonen (X) Tämä viikko 25.-29.1.2016 Pajalla Ma klo 10.15-11.30 luento S1 Ma klo 11.30 alk. tutustuminen Sähköpajaan L215 (kahvi, tee) Ti klo 14.15 alk. tutust., lähtö

Lisätiedot

Aineopintojen laboratoriotyöt I. Ominaiskäyrät

Aineopintojen laboratoriotyöt I. Ominaiskäyrät Aineopintojen laboratoriotyöt I Ominaiskäyrät Aki Kutvonen Op.nmr 013185860 assistentti: Tommi Järvi työ tehty 31.10.2008 palautettu 28.11.2008 Tiivistelmä Tutkittiin elektroniikan peruskomponenttien jännite-virtaominaiskäyriä

Lisätiedot

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET ELEKTRONIIKAN PERUSTEET Juha Aaltonen Seppo Kousa Jyrki Stor-Pellinen A.T.S.S.: J.B.-B. 4 DRW: Spi CHK: JPA Elektroniikan Perusteet SHEET 193 OF 390 DRAWING NO:5.19 Sisällys 1 Johdanto.............................................

Lisätiedot

Elektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus

Elektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus Elektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus Antti Karjalainen, PRK 14.11.2013 Komponenttien esittelytaktiikka Toiminta, (Teoria), Käyttö jännite, virta, teho, taajuus, impedanssi ja näiden yksiköt:

Lisätiedot

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA S-55.00 SÄHKÖTKNIIKK J KTONIIKK Kimmo Silvonen alto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu C Välikoe on kääntöpuolella! Tentti 7.4.04. Tehtävät,, 4, 6, 7. Saat vastata vain neljään tehtävään! Sallitut:

Lisätiedot

Elektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus

Elektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus Elektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus Antti Karjalainen, PRK 30.10.2014 Komponenttien esittelytaktiikka Toiminta, (Teoria), Käyttö jännite, virta, teho, taajuus, impedanssi ja näiden yksiköt:

Lisätiedot

Sähkötekniikka ja elektroniikka

Sähkötekniikka ja elektroniikka Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X) Operaatiovahvistin Operational Amplifier Opva Opamp. Versio. Ideaalivahvistin elektroniikan peruslohkona Takaisinkytkentä Operaatiovahvistin vahvistaa

Lisätiedot

TEHOELEKTRONIIKKA DIODIT

TEHOELEKTRONIIKKA DIODIT TEHOELEKTRONIIKKA H. Honkanen Tehoelektroniikalla käsitetään elektroniikkaa, jolla käsitellään suuria tehoja, jännitteet ja virrat ovat suuria. Tehoelektroniikka poikkeaa pientehoelektroniikasta merkittävästi,

Lisätiedot

Sähkötekniikan perusteet

Sähkötekniikan perusteet Sähkötekniikan perusteet 1) Resistanssien rinnankytkentä kuormittaa a) enemmän b) vähemmän c) yhtä paljon sähkölähdettä kuin niiden sarjakytkentä 2) Jännitelähteiden sarjakytkentä a) suurentaa kytkennästä

Lisätiedot

SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA 1 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA txt-8 2017, Kimmo Silvonen Osa VIII, 13.11.2017 Otan mielelläni esim. sähköpostilla (kimmo.silvonen@aalto.fi) vastaan pieniäkin korjauksia (kuten painovirheet), tekstisisältötoiveita

Lisätiedot

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen S55.0 SÄHKÖTEKNKKA 9.5.000 Kimmo Silvonen Tentti: tehtävät,,5,8,9. välikoe: tehtävät,,,4,5. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0 Oletko muistanut vastata palautekyselyyn Voit täyttää lomakkeen nyt.. aske virta.

Lisätiedot

Sähkötekniikan perusteet

Sähkötekniikan perusteet Sähkötekniikan perusteet 1) Resistanssien rinnankytkentä kuormittaa a) enemmän b) vähemmän c) yhtä paljon sähkölähdettä kuin niiden sarjakytkentä 2) Jännitelähteiden sarjakytkentä a) suurentaa kytkennästä

Lisätiedot

DIODIN OMINAISKÄYRÄ TRANSISTORIN OMINAISKÄYRÄSTÖ

DIODIN OMINAISKÄYRÄ TRANSISTORIN OMINAISKÄYRÄSTÖ 1 IOIN OMINAISKÄYRÄ JA TRANSISTORIN OMINAISKÄYRÄSTÖ MOTIVOINTI Työ opettaa mittaamaan erityyppisten diodien ominaiskäyrät käyttämällä oskilloskooppia XYpiirturina Työssä opetellaan mittaamaan transistorin

Lisätiedot

AB LUOKAN AUDIOVAHVISTIMEN SUUNNITTELUOHJEITA

AB LUOKAN AUDIOVAHVISTIMEN SUUNNITTELUOHJEITA B LOKN DIOVHVISTIMEN SNNITTELOHJEIT H. Honkanen B luokassa toimiva vahvistinrakenne on käytetyin audiokäytössä ( lähes 00%. Komplementaaripariin perustuvassa rakenteessa ( B, B ja C luokan vahvistimet

Lisätiedot

OPERAATIOVAHVISTIN. Oulun seudun ammattikorkeakoulu Tekniikan yksikkö. Elektroniikan laboratoriotyö. Työryhmä Selostuksen kirjoitti 11.11.

OPERAATIOVAHVISTIN. Oulun seudun ammattikorkeakoulu Tekniikan yksikkö. Elektroniikan laboratoriotyö. Työryhmä Selostuksen kirjoitti 11.11. Oulun seudun ammattikorkeakoulu Tekniikan yksikkö Elektroniikan laboratoriotyö OPERAATIOVAHVISTIN Työryhmä Selostuksen kirjoitti 11.11.008 Kivelä Ari Tauriainen Tommi Tauriainen Tommi 1 TEHTÄVÄ Tutustuimme

Lisätiedot

Radioamatöörikurssi 2015

Radioamatöörikurssi 2015 Radioamatöörikurssi 2015 Polyteknikkojen Radiokerho Radiotekniikka 5.11.2015 Tatu Peltola, OH2EAT 1 / 25 Vahvistimet Vahvistin ottaa signaalin sisään ja antaa sen ulos suurempitehoisena Tehovahvistus,

Lisätiedot

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X) 22.2.2016

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X) 22.2.2016 Sähköpaja Kimmo Silvonen (X) Elektroniikan komponentit Erilliskomponentit ja IC:t Passiivit: R C L Aktiiviset diskreetit ja IC:t Bipolaaritransistori BJT Kanavatransistorit FET Jänniteregulaattorit (pajan)

Lisätiedot

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA S-55.00 SÄHKÖTKNIIKKA JA KTONIIKKA Tentti 4.5.2009: tehtävät,,4,6,9. välikoe: tehtävät,2,,4,5 2. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0 Saat vastata vain neljään tehtävään/koe. Sallitut: Kako, (gr.) laskin, (MAO)..

Lisätiedot

Sähköpajan elektroniikkaa

Sähköpajan elektroniikkaa Sähköpajan elektroniikkaa Kimmo Silvonen (X) Pajan aukioloajat I periodilla Pajalla tehdään Arduino-harjoituksia ja projetia! Kimmolta voi pyytää pääsyä Pajalle ennen virallista alkamisaikaa. Aikoja voidaan

Lisätiedot

UNIVERSITY OF JYVÄSKYLÄ LABORATORY WORKS. For analog electronics FYSE400 Loberg D E P A R T M E N T O F P H Y S I C S

UNIVERSITY OF JYVÄSKYLÄ LABORATORY WORKS. For analog electronics FYSE400 Loberg D E P A R T M E N T O F P H Y S I C S UNIVESITY OF JYVÄSKYLÄ LABOATOY WOKS For analog electronics FYSE400 Loberg 2010 D E P A T M E N T O F P H Y S I C S 2 P a g e 3 P a g e 4 P a g e Contents 1 Shortly about Multisim... 7 2 Ominaiskäyrästön

Lisätiedot

Operaatiovahvistimen vahvistus voidaan säätää halutun suuruiseksi käyttämällä takaisinkytkentävastusta.

Operaatiovahvistimen vahvistus voidaan säätää halutun suuruiseksi käyttämällä takaisinkytkentävastusta. TYÖ 11. Operaatiovahvistin Operaatiovahvistin on mikropiiri ( koostuu useista transistoreista, vastuksista ja kondensaattoreista juotettuna pienelle piipalaselle ), jota voidaan käyttää useisiin eri kytkentöihin.

Lisätiedot

Elektroniikka. Mitä sähkö on. Käsitteistöä

Elektroniikka. Mitä sähkö on. Käsitteistöä Elektroniikka Mitä sähkö on Sähkö on elektronien liikettä atomista toiseen. Negatiivisesti varautuneet elektronit siirtyvät atomista toiseen. Tätä kutsutaan sähkövirraksi Sähkövirrasta puhuttaessa on sovittu,

Lisätiedot

1 Kohina. 2 Kohinalähteet. 2.1 Raekohina. 2.2 Terminen kohina

1 Kohina. 2 Kohinalähteet. 2.1 Raekohina. 2.2 Terminen kohina 1 Kohina Kohina on yleinen ongelma integroiduissa piireissä. Kohinaa aiheuttavat pienet virta- ja jänniteheilahtelut, jotka ovat komponenteista johtuvia. Myös ulkopuoliset lähteet voivat aiheuttaa kohinaa.

Lisätiedot

Analogiapiirit III. Keskiviikko , klo , TS128. Operaatiovahvistinrakenteet

Analogiapiirit III. Keskiviikko , klo , TS128. Operaatiovahvistinrakenteet Oulun yliopisto Sähkötekniikan osasto Analogiapiirit III Harjoitus 3. Keskiviikko 11.12.2002, klo. 12.15-14.00, TS128. Operaatiovahvistinrakenteet 1. a) Laske kuvan 1 käännetty kaskadi (folded-cascode)

Lisätiedot

Petri Kärhä 04/02/04. Luento 2: Kohina mittauksissa

Petri Kärhä 04/02/04. Luento 2: Kohina mittauksissa Kohinan ominaisuuksia Kohinamekanismit Terminen kohina Raekohina 1/f kohina (Kvantisointikohina) Kohinan käsittely Kohinakaistanleveys Kohinalähteiden yhteisvaikutus Signaali-kohina suhde Kohinaluku Kohinalämpötila

Lisätiedot

Automaation elektroniikka T103403, 3 op SAU14snS. Pekka Rantala kevät 2016

Automaation elektroniikka T103403, 3 op SAU14snS. Pekka Rantala kevät 2016 Automaation elektroniikka T103403, 3 op SAU14snS Pekka Rantala kevät 2016 Opinto-opas 2014 Osaamistavoitteet: Opintojakso perehdyttää opiskelijat automaatiotekniikan sovelluksissa käytettäviin elektroniikan

Lisätiedot

Mitataan kanavatransistorin ja bipolaaritransistorin ominaiskäyrät. Tutustutaan yhteisemitterikytketyn transistorivahvistimen ominaisuuksiin.

Mitataan kanavatransistorin ja bipolaaritransistorin ominaiskäyrät. Tutustutaan yhteisemitterikytketyn transistorivahvistimen ominaisuuksiin. FYSE300 Elektroniikka 1 Elektroniikka 1:n (FYSE300) laboratorioharjoitukset sisältävät kaksi työtä: Työ 1: (osa A) Työ 2: (osa B) Peruskomponentit: vastus, diodi ja zenerdiodi. Tutkitaan vastuksen käyttöä

Lisätiedot

Radioamatöörikurssi 2011

Radioamatöörikurssi 2011 Radioamatöörikurssi 2011 Perusmittalaitteet / mittaaminen Peruskomponentit Vahvistinluokat Sähköturvallisuus NAC VHF kilpailudemo kello 2000-> Tiistai 1.11.2011 Paavo Leinonen, OH2GYT Perusmittalaitteet

Lisätiedot

Fyse302 Zenerdiodi, bipolaaritransistori ja yhteisemitterivahvistin

Fyse302 Zenerdiodi, bipolaaritransistori ja yhteisemitterivahvistin Tiia Monto Työ tehty: 8.4. ja 11.4. 2011 tiia.monto@jyu. 0407521856 Fyse302 Zenerdiodi, bipolaaritransistori ja yhteisemitterivahvistin Assistentti: Arvostellaan: Abstract Tutkimuksessa tarkasteltiin BZX7951-mallista

Lisätiedot

Kaikki kytkennät tehdään kytkentäalustalle (bimboard) ellei muuta mainita.

Kaikki kytkennät tehdään kytkentäalustalle (bimboard) ellei muuta mainita. FYSE300 Elektroniikka 1 (FYSE301 FYSE302) Elektroniikka 1:n (FYSE300) laboratorioharjoitukset sisältävät kaksi työtä, joista ensimmäinen sisältyy A-osaan (FYSE301) ja toinen B-osaan (FYSE302). Pelkän A-osan

Lisätiedot

TRANSISTORIASTEEN TOIMINTA- SUORAN MÄÄRITTÄMINEN

TRANSISTORIASTEEN TOIMINTA- SUORAN MÄÄRITTÄMINEN TRANSSTORASTEEN TOMNTA- SUORAN MÄÄRTTÄMNEN H. Honkanen Yhteisemitteri ( tai yhteissource ) kytketyn vahvistinasteen toimintasuoran määrittäminen. Toimintapisteen, eli lepopisteen, ja emitterin ( tai sourcen

Lisätiedot

Käytännön elektroniikkakomponentit ja niiden valinta Timo Dönsberg 1

Käytännön elektroniikkakomponentit ja niiden valinta Timo Dönsberg 1 Käytännön elektroniikkakomponentit ja niiden valinta 17.10.2016 Timo Dönsberg 1 Yleistä Yksikään komponentti ei ole ideaalinen Toleranssi Stabiilisuus Lämpötilariippuvuus Taajuusvaste Lineaarisuus Hajakapasitanssi

Lisätiedot

TASONSIIRTOJEN ja VAHVISTUKSEN SUUNNITTELU OPERAATIOVAHVISTINKYTKENNÖISSÄ

TASONSIIRTOJEN ja VAHVISTUKSEN SUUNNITTELU OPERAATIOVAHVISTINKYTKENNÖISSÄ TSONSTOJEN ja VHVSTKSEN SNNTTEL OPETOVHVSTKYTKENNÖSSÄ H. Honkanen. SMMMEN KÄYTTÖ - Summaimelle voidaan erikseen määrittää, omaan tuloonsa: - Signaalin jännitevahvistus ja - Tasonsiirto - Mahdollisuus kytkeä

Lisätiedot

1 f o. RC OSKILLAATTORIT ja PASSIIVISET SUODATTIMET. U r = I. t τ. t τ. 1 f O. KAJAANIN AMMATTIKORKEAKOULU Tekniikan ja liikenteen ala

1 f o. RC OSKILLAATTORIT ja PASSIIVISET SUODATTIMET. U r = I. t τ. t τ. 1 f O. KAJAANIN AMMATTIKORKEAKOULU Tekniikan ja liikenteen ala KAJAANIN AMMATTIKORKEAKOULU Tekniikan ja liikenteen ala TYÖ 7 ELEKTRONIIKAN LABORAATIOT H.Honkanen RC OSKILLAATTORIT ja PASSIIVISET SUODATTIMET TYÖN TAVOITE - Mitoittaa ja toteuttaa RC oskillaattoreita

Lisätiedot

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen S55.103 SÄHKÖTKNKK 21.12.2000 Kimmo Silvonen Tentti: tehtävät 1,3,4,8,9 1. välikoe: tehtävät 1,2,3,4,5 2. välikoe: tehtävät,7,8,9,10 Oletko jo ehtinyt vastata palautekyselyyn Voit täyttää lomakkeen nyt.

Lisätiedot

SÄHKÖSTATIIKKA JA MAGNETISMI. NTIETS12 Tasasähköpiirit Jussi Hurri syksy 2013

SÄHKÖSTATIIKKA JA MAGNETISMI. NTIETS12 Tasasähköpiirit Jussi Hurri syksy 2013 SÄHKÖSTATIIKKA JA MAGNETISMI NTIETS12 Tasasähköpiirit Jussi Hurri syksy 2013 1. RESISTANSSI Resistanssi kuvaa komponentin tms. kykyä vastustaa sähkövirran kulkua Johtimen tai komponentin jännite on verrannollinen

Lisätiedot

Oma nimesi Puolijohteet

Oma nimesi Puolijohteet Puolijohteet Puolijohdetekniikan perusteet Puolijohdeaineet Puolijohteet ovat oma selvä ryhmä johteiden ja eristeiden välissä. Puhtaista alkuaineista pii ja germanium käyttäytyvät puolijohteiden tavoin.

Lisätiedot

Radioamatöörikurssi 2013

Radioamatöörikurssi 2013 Radioamatöörikurssi 2013 Polyteknikkojen Radiokerho Radiotekniikka 21.11.2013 Tatu, OH2EAT 1 / 19 Vahvistimet Vahvistin ottaa signaalin sisään ja antaa sen ulos suurempitehoisena Tehovahvistus, db Jännitevahvistus

Lisätiedot

Sähkötekiikka muistiinpanot

Sähkötekiikka muistiinpanot Sähkötekiikka muistiinpanot Tuomas Nylund 6.9.2007 1 6.9.2007 1.1 Sähkövirta Symboleja ja vastaavaa: I = sähkövirta (tasavirta) Tasavirta = Virran arvo on vakio koko tarkasteltavan ajan [ I ] = A = Ampeeri

Lisätiedot

Vahvistimet ja lineaaripiirit. Operaatiovahvistin

Vahvistimet ja lineaaripiirit. Operaatiovahvistin Vahvistimet ja lineaaripiirit Kotitentti 3 (2007) Petri Kärhä 20/01/2008 Vahvistimet ja lineaaripiirit 1 Operaatiovahvistin (Operational Amplifier, OpAmp) Perusvahvistin, toiminta oletetaan suunnittelussa

Lisätiedot

KOLMIVAIHEINEN PWM-VAIHTOSUUNTAAJA OPETUSKÄYTTÖÖN

KOLMIVAIHEINEN PWM-VAIHTOSUUNTAAJA OPETUSKÄYTTÖÖN TAMPEREEN AMMATTIKORKEAKOULU Sähkötekniikan koulutusohjelma Sähkövoimatekniikka Tutkintotyö, KOLMIVAIHEINEN PWM-VAIHTOSUUNTAAJA OPETUSKÄYTTÖÖN Työn valvoja Yliopettaja Väinö Bergman Työn teettäjä Tampereen

Lisätiedot

Hakkuriteholähde. Hakkuriteholähteet. 28.03.2011 Timo Lepola

Hakkuriteholähde. Hakkuriteholähteet. 28.03.2011 Timo Lepola Hakkuriteholähde Hakkuriteholähteet imo Lepola Hakkuriteholähde Lineaarinen teholähde Kookas ja painava muuntaja imo Lepola 2 Hakkuriteholähde Lineaarinen teholähde Isot kondensaattorit ja transistorit

Lisätiedot

TYÖ 2: OPERAATIOVAHVISTIMEN PERUSKYTKENTÖJÄ

TYÖ 2: OPERAATIOVAHVISTIMEN PERUSKYTKENTÖJÄ TYÖ 2: OPERAATIOVAHVISTIMEN PERUSKYTKENTÖJÄ Työselostus xxx yyy, ZZZZZsn 25.11.20nn Automaation elektroniikka OAMK Tekniikan yksikkö SISÄLLYS SISÄLLYS 2 1 JOHDANTO 3 2 LABORATORIOTYÖN TAUSTA JA VÄLINEET

Lisätiedot

Sähköautoprojekti Pienoissähköauto Elektroniikan kokoonpano Moottoriohjain. http://www.elwis.fi

Sähköautoprojekti Pienoissähköauto Elektroniikan kokoonpano Moottoriohjain. http://www.elwis.fi Sähköautoprojekti Pienoissähköauto Elektroniikan kokoonpano Moottoriohjain http://www.elwis.fi Sisällys Elektroniikan osalista... 3 Tarvittavat työkalut... 3 Elektroniikan rakentaminen... 4 1. Piirilevyn

Lisätiedot

LOPPURAPORTTI 19.11.2007. Lämpötilahälytin. 0278116 Hans Baumgartner xxxxxxx nimi nimi

LOPPURAPORTTI 19.11.2007. Lämpötilahälytin. 0278116 Hans Baumgartner xxxxxxx nimi nimi LOPPURAPORTTI 19.11.2007 Lämpötilahälytin 0278116 Hans Baumgartner xxxxxxx nimi nimi KÄYTETYT MERKINNÄT JA LYHENTEET... 3 JOHDANTO... 4 1. ESISELOSTUS... 5 1.1 Diodi anturina... 5 1.2 Lämpötilan ilmaisu...

Lisätiedot

Radioamatöörikurssi 2014

Radioamatöörikurssi 2014 Radioamatöörikurssi 2014 Polyteknikkojen Radiokerho Radiotekniikka 4.11.2014 Tatu, OH2EAT 1 / 25 Vahvistimet Vahvistin ottaa signaalin sisään ja antaa sen ulos suurempitehoisena Tehovahvistus, db Jännitevahvistus

Lisätiedot

Vahvistimet. A-luokka. AB-luokka

Vahvistimet. A-luokka. AB-luokka Vahvistimet A-luokka A-luokan vahvistimen molemmat päätevahvistin tarnsistorit johtavat, vaikke vahvistinta käytettäisi. Vahvistinta käytettäessä jatkuva lepovirta muuttuu ja näin vältytään kytkentäsäröltä

Lisätiedot

Diodit. I = Is * (e U/n*Ut - 1) Ihanteellinen diodi

Diodit. I = Is * (e U/n*Ut - 1) Ihanteellinen diodi Diodit Puolijohdediodilla on tasasuuntaava ominaisuus, se päästää virran lävitseen vain yhdessä suunnassa. Puolijohdediodissa on samassa puolijohdepalassa sekä p-tyyppistä että n-tyyppistä puolijohdetta.

Lisätiedot

PERUSRAKENTEET Forward converter, Myötävaihemuunnin ( BUCK regulaattori )

PERUSRAKENTEET Forward converter, Myötävaihemuunnin ( BUCK regulaattori ) HAKKRIKYTKENNÄT H. Honkanen PERSRAKENTEET Forward converter, Myötävaihemuunnin ( BCK regulaattori ) Toiminta: Kun kytkin ( = päätetransistori ) on johtavassa tilassa, siirtyy virta I 1 kelan kautta kondensaattoriin

Lisätiedot

OPERAATIOVAHVISTIMET 2. Operaatiovahvistimen ominaisuuksia

OPERAATIOVAHVISTIMET 2. Operaatiovahvistimen ominaisuuksia KAJAANIN AMMATTIKORKEAKOULU Tekniikan ja liikenteen ala TYÖ 11 ELEKTRONIIKAN LABORAATIOT H.Honkanen OPERAATIOVAHVISTIMET 2. Operaatiovahvistimen ominaisuuksia TYÖN TAVOITE Tutustua operaatiovahvistinkytkentään

Lisätiedot

Vcc. Vee. Von. Vip. Vop. Vin

Vcc. Vee. Von. Vip. Vop. Vin 5-87.2020 Elektroniikka II Tentti ja välikoeuusinnat 27.05.2011 1. Våitikokeen tehtiivät l-4,2. välikokeen tehtävät 5-8 ja tentin tehtävät l,2,6ja 8. Kirjoita nimesi ja opiskelijanumerosi jokaiseen paperiin

Lisätiedot

FysE301/A Peruskomponentit: vastus, diodi ja kanavatransistori

FysE301/A Peruskomponentit: vastus, diodi ja kanavatransistori Tiia Monto Työ tehty:.3. ja 8.3.00 tiia.monto@jyu. 040758560 FysE30/A Peruskomponentit: vastus, diodi ja kanavatransistori Assistentti: Arvostellaan: Abstract Työssä tutkittiin vastusta, diodia ja transistoria.

Lisätiedot

IIZE3010 Elektroniikan perusteet Harjoitustyö. Pasi Vähämartti, C1303, IST4SE

IIZE3010 Elektroniikan perusteet Harjoitustyö. Pasi Vähämartti, C1303, IST4SE IIZE3010 Elektroniikan perusteet Harjoitustyö Pasi Vähämartti, C1303, IST4SE 2 (11) Sisällysluettelo: 1. Tehtävänanto...3 2. Peruskytkentä...4 2.1. Peruskytkennän käyttäytymisanalyysi...5 3. Jäähdytyksen

Lisätiedot

Taitaja2008, Elektroniikkalajin semifinaali 24.1.2008

Taitaja2008, Elektroniikkalajin semifinaali 24.1.2008 Taitaja2008, Elektroniikkalajin semifinaali 24.1.2008 Kilpailijan nimi: 1) Oheisen kytkennän kokonaisresistanssi on n. 33 Ohm 150 Ohm a) 70 Ohmia b) 100 Ohmia c) 120 Ohmia 120 Ohm 2) Oheisen kytkennän

Lisätiedot

DR-3528FX30-12W COOL WHITE 3528(1210) 30 LED/m 8mm 2.4W 6000-7000K DC 12V IP20 3M Teippi

DR-3528FX30-12W COOL WHITE 3528(1210) 30 LED/m 8mm 2.4W 6000-7000K DC 12V IP20 3M Teippi SAFETY HOUSE ELECTRONICS www.safetyelectronics.net myynti@safetyhouse.net 040-7017600 Nauhan Teho/ Värin Malli nro. Väri LED:in tyyppi LED:iä / metri Jännite leveys metri lämpö SMD 3528 LED nauha, 5M/Rulla

Lisätiedot

7.5.2 Varauskontrollianalyysi (Charge Control Analysis) Emitteriin täytyy lisäksi syöttää rekombinaatioon tarvittava virta Q N Q I I CI ) Q I.

7.5.2 Varauskontrollianalyysi (Charge Control Analysis) Emitteriin täytyy lisäksi syöttää rekombinaatioon tarvittava virta Q N Q I I CI ) Q I. 7.5.2 Varauskontrollianalyysi (Charge Control Analysis) 106 Varastoitunut varaus normaalimuodossa, Q N Varastoitunut varaus käänteisessä muodossa,q 1 I CN = Q N τ tn, τ tn on aukon kulkuaika kannassa normaalimuodossa

Lisätiedot

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu S-55.00 SÄHKÖTKNIIKKA JA KTONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakol Kimmo Silvonen Tentti 30.5.03: tehtävät,3,4,6,0.. välikoe: tehtävät,,3,4,5.. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0. Saat vastata vain

Lisätiedot

TASASUUNTAUS JA PUOLIJOHTEET

TASASUUNTAUS JA PUOLIJOHTEET TASASUUNTAUS JA PUOLIJOHTEET (YO-K06+13, YO-K09+13, YO-K05-11,..) Tasasuuntaus Vaihtovirran suunta muuttuu jaksollisesti. Tasasuuntaus muuttaa sähkövirran kulkemaan yhteen suuntaan. Tasasuuntaus toteutetaan

Lisätiedot

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu S-55.00 SÄHKÖTKNKKA JA LKTONKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu Kimmo Silvonen Tentti 4.5.0: tehtävät,3,4,6,8.. välikoe: tehtävät,,3,4,5.. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0. Saat vastata vain neljään

Lisätiedot

TIEP114 Tietokoneen rakenne ja arkkitehtuuri, 3 op. FT Ari Viinikainen

TIEP114 Tietokoneen rakenne ja arkkitehtuuri, 3 op. FT Ari Viinikainen TIEP114 Tietokoneen rakenne ja arkkitehtuuri, 3 op FT Ari Viinikainen Tietokoneen rakenne Keskusyksikkö, CPU Keskusmuisti Aritmeettislooginen yksikkö I/O-laitteet Kontrolliyksikkö Tyypillinen Von Neumann

Lisätiedot

Elektroniikka ja sähkötekniikka

Elektroniikka ja sähkötekniikka Elektroniikka ja sähkötekniikka Sähköisiltä ilmiöiltä ei voi välttyä, vaikka ei käsittelisikään sähkölaitteita. Esimerkiksi kokolattiamatto, muovinen penkki, piirtoheitinkalvo tai porraskaide tulevat sähköisiksi,

Lisätiedot

Multivibraattorit. Bistabiili multivibraattori:

Multivibraattorit. Bistabiili multivibraattori: Multivibraattorit Elektroniikan piiri jota käytetään erilaisissa kahden tason systeemeissä kuten oskillaattorit, ajastimet tai kiikkut. Multivibraattorissa on vahvistava elementtti ja ristiinkytketyt rvastukset

Lisätiedot

20 Kollektorivirta kun V 1 = 15V 10. 21 Transistorin virtavahvistus 10. 22 Transistorin ominaiskayrasto 10. 23 Toimintasuora ja -piste 10

20 Kollektorivirta kun V 1 = 15V 10. 21 Transistorin virtavahvistus 10. 22 Transistorin ominaiskayrasto 10. 23 Toimintasuora ja -piste 10 Sisältö 1 Johda kytkennälle Theveninin ekvivalentti 2 2 Simuloinnin ja laskennan vertailu 4 3 V CE ja V BE simulointituloksista 4 4 DC Sweep kuva 4 5 R 2 arvon etsintä 5 6 Simuloitu V C arvo 5 7 Toimintapiste

Lisätiedot

Analogiapiirit III. Keskiviikko , klo , TS127. Jatkuva-aikaiset IC-suodattimet ja PLL-rakenteet

Analogiapiirit III. Keskiviikko , klo , TS127. Jatkuva-aikaiset IC-suodattimet ja PLL-rakenteet Oulun yliopisto Sähkötekniikan osasto Analogiapiirit III Harjoitus 8. Keskiviikko 5.2.2003, klo. 12.15-14.00, TS127. Jatkuva-aikaiset IC-suodattimet ja PLL-rakenteet 1. Mitoita kuvan 1 2. asteen G m -C

Lisätiedot

Fysiikan laboratoriotyöt 1, työ nro: 3, Vastuksen ja diodin virta-jänniteominaiskäyrät

Fysiikan laboratoriotyöt 1, työ nro: 3, Vastuksen ja diodin virta-jänniteominaiskäyrät Fysiikan laboratoriotyöt 1, työ nro: 3, Vastuksen ja diodin virta-jänniteominaiskäyrät Tekijä: Mikko Laine Tekijän sähköpostiosoite: miklaine@student.oulu.fi Koulutusohjelma: Fysiikka Mittausten suorituspäivä:

Lisätiedot

1. Tasavirtapiirit ja Kirchhoffin lait

1. Tasavirtapiirit ja Kirchhoffin lait Kimmo Silvonen, Sähkötekniikka ja elektroniikka, Otatieto 2003. Tasavirtapiirit ja Kirchhoffin lait Sähkötekniikka ja elektroniikka, sivut 5-62. Versio 3..2004. Kurssin Sähkötekniikka laskuharjoitus-,

Lisätiedot

' ' MJE3055~ i'.. "' f'... r-...

' ' MJE3055~ i'.. ' f'... r-... \ FYSE4 ANALOGELEKTRONKAN LOPPUTENTT 21 1 Tehtiivii (a) Liitteessa on esitetty ote n-kanavaisen fetin BS17 datalehdesta. Piirra sen sisaltaien tietojen perusteella fetin SOA (Safe Operating Area) kun Vvs>2.5V

Lisätiedot

BL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan - Johdanto integroituihin digitaalipiireihin

BL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan - Johdanto integroituihin digitaalipiireihin BL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan - Johdanto integroituihin digitaalipiireihin Digitaalielektroniikka perustuu ohjattaviin kytkimiin Ohjattava kytkin, digitaalielektroniikan peruskomponentti

Lisätiedot

a) I f I d Eri kohinavirtakomponentit vahvistimen otossa (esim. http://www.osioptoelectronics.com/)

a) I f I d Eri kohinavirtakomponentit vahvistimen otossa (esim. http://www.osioptoelectronics.com/) a) C C p e n sn V out p d jn sh C j i n V out Käytetyt symbolit & vakiot: P = valoteho [W], λ = valodiodin ilmaisuvaste eli responsiviteetti [A/W] d = pimeävirta [A] B = kohinakaistanleveys [Hz] T = lämpötila

Lisätiedot

SÄHKÖTEKNIIKAN KOULUTUSOHJELMA KANDIDAATINTYÖ. n-kanavaisen MOSFET-transistorin mittaaminen ja MATLABilla mallintaminen

SÄHKÖTEKNIIKAN KOULUTUSOHJELMA KANDIDAATINTYÖ. n-kanavaisen MOSFET-transistorin mittaaminen ja MATLABilla mallintaminen SÄHKÖTEKNIIKAN KOULUTUSOHJELMA KANDIDAATINTYÖ n-kanavaisen MOSFET-transistorin mittaaminen ja MATLABilla mallintaminen Tekijä Valvoja Janne Juusola Timo Rahkonen Maaliskuu 2017 Juusola J. (2017) n-kanavaisen

Lisätiedot

Radioamatöörikurssi 2016

Radioamatöörikurssi 2016 Radioamatöörikurssi 2016 Radiotekniikan komponentit 9.11.2016 Tatu Peltola, OH2EAT 1 / 30 Vahvistimet Vahvistin ottaa signaalin sisään ja antaa sen ulos suurempitehoisena Tehovahvistus, db Jännitevahvistus

Lisätiedot

Ongelmia mittauksissa Ulkoiset häiriöt

Ongelmia mittauksissa Ulkoiset häiriöt Ongelmia mittauksissa Ulkoiset häiriöt Häiriöt peittävät mitattavia signaaleja Häriölähteitä: Sähköverkko 240 V, 50 Hz Moottorit Kytkimet Releet, muuntajat Virtalähteet Loisteputkivalaisimet Kännykät Radiolähettimet,

Lisätiedot

SMG-4450 Aurinkosähkö

SMG-4450 Aurinkosähkö SMG-4450 Aurinkosähkö Kolmannen luennon aihepiirit Aurinkokennon ja diodin toiminnallinen ero: Puolijohdeaurinkokenno ja diodi ovat molemmat pn-liitoksia. Mietitään aluksi, mikä on toiminnallinen ero näiden

Lisätiedot

Tehoelektroniikan opetussolu

Tehoelektroniikan opetussolu Tehoelektroniikan opetussolu Opinnäytetyö Mikko Niskanen Sähkötekniikan koulutusohjelma Teollisuuden sähköasennukset ja automaatio Hyväksytty.. SAVONIA-AMMATTIKORKEAKOULU TEKNIIKKA KUOPIO Koulutusohjelma

Lisätiedot

FYSE301(Elektroniikka(1(A3osa,(kevät(2013(

FYSE301(Elektroniikka(1(A3osa,(kevät(2013( FYSE301(Elektroniikka(1(A3osa,(kevät(2013( 1/2 Loppukoe1.3.2013 vastaakaikkiinkysymyksiin(yhteensä48pistettä) 1. Kuvailelyhyesti a. Energialineaarisissapiirielementeissä:vastuksessa,kondensaattorissajakelassa(3

Lisätiedot

Käytännön radiotekniikkaa: Epälineaarinen komponentti ja signaalien siirtely taajuusalueessa (+ laboratoriotyön 2 esittely)

Käytännön radiotekniikkaa: Epälineaarinen komponentti ja signaalien siirtely taajuusalueessa (+ laboratoriotyön 2 esittely) Käytännön radiotekniikkaa: Epälineaarinen komponentti ja signaalien siirtely taajuusalueessa (+ laboratoriotyön 2 esittely) ELEC-C5070 Elektroniikkapaja, 21.9.2015 Huom: Kurssissa on myöhemmin erikseen

Lisätiedot

Sähkötekniikka ja elektroniikka

Sähkötekniikka ja elektroniikka Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X) Kokeet, harjoitustehtävät, palaute 2. välikoe ja tentti ma 7.12. klo 10.15-13, S1 Valitset kokeen aikana, suoritatko tentin Ilmoittaudu joka tapauksessa

Lisätiedot

Energianhallinta. Energiamittari. Malli EM10 DIN. Tuotekuvaus. Tilausohje EM10 DIN AV8 1 X O1 PF. Mallit

Energianhallinta. Energiamittari. Malli EM10 DIN. Tuotekuvaus. Tilausohje EM10 DIN AV8 1 X O1 PF. Mallit Energianhallinta Energiamittari Malli EM10 DIN Luokka 1 (kwh) EN62053-21 mukaan Luokka B (kwh) EN50470-3 mukaan Energiamittari Energia: 6 numeroa Energian mittaukset: kokonais kwh TRMS mittaukset vääristyneelle

Lisätiedot

PUOLIJOHTEISTA. Yleistä

PUOLIJOHTEISTA. Yleistä 39 PUOLIJOHTEISTA Yleistä Pyrittäessä löytämään syy kiinteiden aineiden erilaiseen sähkön johtavuuteen joudutaan perehtymään aineen kidehilassa olevien atomien elektronisiin energiatiloihin. Seuraavassa

Lisätiedot

Analogiapiirit III. Tentti 15.1.1999

Analogiapiirit III. Tentti 15.1.1999 Oulun yliopisto Elektroniikan laboratorio nalogiapiirit III Tentti 15.1.1999 1. Piirrä MOS-differentiaalipari ja johda lauseke differentiaaliselle lähtövirralle käyttäen MOS-transistorin virtayhtälöä (huom.

Lisätiedot