Sähkötekniikka ja elektroniikka

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Koko: px
Aloita esitys sivulta:

Download "Sähkötekniikka ja elektroniikka"

Transkriptio

1 Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X)

2 Bipolaaritransistori BJT Versio Bipolar Junction Transistor, liekkö turhakin keksintö? BJT Nobel 1956 (Bell Labs, nykyisin Alcatel-Lucent) Bell Labs: Where vision and technology meet customers... Aalto ELEC: Where science and technology meet society Mikroelektroniikan lähtölaukaus IC 1959 (2 BJT, Texas Instruments), Nobel 2000 Operaatiovahvistin 1963 (9 BJT, Fairchild Semiconductor) Erilliskomponenttina tai anturina sekä bipolaarisissa mikropiireissä (opva, regulaattori, tietyt logiikkapiirit, ym.) Keskinkertainen integroitavuus, pikemminkin muita etuja Page 2 (28)

3 The Transistor Three: Schockley, Bardeen, Brattain Nobelisteja, Bardeenille toinen fysiikan Nobel 1972 suprajohtavuuden teoriasta Page 3 (28)

4 A Replica of the First Transistor, alinna Base Page 4 (28)

5 Bipolaaritransistori, Applications Signaalin vahvistaminen, esim. hifi-päätevahvistin Analogiset mikropiirit, mm. operaatiovahvistin, regulaattori Nopea kytkin, mm. hakkuriteholähteissä ja lähettimissä Nopeat logiikkapiirit (ECL) Signaalin generointi (oskillaattori) Anturi (lämpötila, valo) Page 5 (28)

6 Transistorityypit, npn vs. pnp Piirrosmerkki, rakenne, toimintaperiaate. Kanta (base), kollektori, emitteri. B C E n p n + βi B i B B C p n p + E Page 6 (28)

7 Transistor Man Selittää hyvin transistorin perustoiminnan, ks. seuraava sivu! "Tämän pikkumiehen elämäntehtävänä on yrittää toteuttaa yhtälöä I C = βi B, mutta ainoa asia, mitä hän voi tehdä, on kääntää säätövastuksen nuppia. Täten hän kykenee siirtymään oikosulusta (saturaatio) katkaistuun virtapiiriin (off-tila) tai mihin tahansa tilaan niiden välille." Kirjaa voi lukea elektronisena versiona, kirjoita Googleen hakusanoiksi: The art of electronics Horowitz Hill Page 7 (28)

8 Transistor Man (h FE = β) Operaatiovahvistinmiehen esikuva Horowitz and Hill, The Art of Electronics Page 8 (28)

9 Toiminta puolijohdetasolla cf. Diode E emittoi elektronit C:lle, joka kerää ne. Vain pieni osa menee B:lle. I C + C n B E p n + n p I B + I E U CB U BE U BE nu I C = I S e T n = 1 I B = 1 β I C Page 9 (28)

10 Virtavahvistus β (ja α) Current Gain Tässä oleellisin: pieni i B säätelee paljon suurempaa i C :tä "virtavahvistus"! i C CCCS i B u CE 0,3 V i βi B B i u BE 0,7 V E i E u BE nu i C = βi B = αi E = I S e T i E = i C + i B = (β + 1)i B i C β = α 100 ( ) 1 α α = β 0,99 (0,95...0,998) β + 1 Page 10 (28)

11 Ominaiskäyrät Characteristic Curves Epäideaalisuus johtuu ominaiskäyristä. i i C SAT LIN B tai i C βi B1 i B1 βi B2 i B2 CUTOFF 0,3 V u CE } {{ } 0,7 V CUTOFF u BE Page 11 (28)

12 Reverse vs. Forward Virtalähteen sisäisen vastuksen r o takia nousevat suorat β R << β = β F k = 1 r o Page 12 (28)

13 Ebers-Moll Equivalent Circuit vrt. dtf.pdf npn: B C I CD α F I ED IED U BC α R I CD E U BE I ED = I ( ) U S BE U e T 1 α F I CD = I ( ) U S BC U e T 1 α R Page 13 (28)

14 Toimintatilat, Operation Modes Sulkutila (E), lineaarinen toiminta, kyllästystila (0,3 V) 0 0 säätö > 0,7 V i B βi B E...0,3 V E Page 14 (28)

15 CUT, AKT or SAT as a function of E BB E BB + R B I B + U BE = 0 ja U CE R C I C + E CC = 0 β = 100 R B I 1 kω B 0,7 V E BB I C βi B R C 47 Ω 5 V U CE E CC C 0,5 V 0 ma β = 0 ma 5 V C/A 0,7 V 0 ma β = 0 ma 5 V A 1,2 V 0,5 ma β = 50 ma 2,65 V A/S 1,7 V 1 ma β = 100 ma 0,3 V S 2,0 V 1,3 ma 100 ma 0,3 V Page 15 (28)

16 Biasointi ja kytkentäkondensaattorit Biasointi eli "esijännittäminen"tarkoittaa tasavirtojen säätämistä niin, että päästään halutulle kohdalle ominaiskäyriä. Tasavirta otetaan jännitelähteestä tai vakiovirtalähteestä. Signaali tuo mukaan ajan funktiona muuttuvan virran. signaali i b C IB i B DC I C signaali i C i c C Page 16 (28)

17 Tasavirta- vs. piensignaalianalyysi Tämä tehtiin jo diodilla tehtävässä 74 I B = virran vakio-osa eli keskiarvo, d.c. i b = virran vaihteleva osa, a.c.-signaali i B = I B + i b = kokonaisvirta, d.c. + a.c. U BE +u be i C I S e nu T = U BE nu I S e T e } {{ } I C u be nu T i C = I C 1 + u be + 1 ( ) 2 ube +... nu T 2! nu } {{ T } 0 Taylorin sarja: d.c. + signaali + särö(t) distortion Tästä syntyy hybridi-π-sijaiskytkentä. Page 17 (28)

18 Kanavatransistori eli FET Field Effect Transistor Mikropiirit ja Mooren laki Mosfet on mikroelektroniikan tärkein pelinappula Kuka kertoisi tästä tiedotusvälineille!? FET-tyypit, rakenne ja toiminta Triodialue vs. saturaatioalue Yhtälöt ja parametrit Jänniteohjattu (elektroninen) kytkin Jännitteellä säädettävä vastus Fet signaalinkäsittelyssä Lisätietoa: Elektroniikka ja puolijohdekomponentit Page 18 (28)

19 Kanavatransistorit FETs avauskanavatransistori, sulkukanavatransistori ja liitoskanavatransistori G CMOS enmos avaus D S epmos avaus dnmos sulku dpmos sulku njfet liitos pjfet liitos G D S B (vain MOSFET) gate drain source body, bulk hila nielu lähde substraatti Page 19 (28)

20 Avauskanavatransistori, ENMOSFET keskitymme tähän tyyppiin N-Channel Enhancement-MOSFET (E-MOSFET) Kerrosvoileipä: metalli piidioksidi d puolijohde (pii, Si) elektroneja inversiokerros p n 32 nm prosessi d = 0,9 nm D + G S n + d n + L = 30 nm p W B n + = vahvasti seostettu n-puolijohde (paljon vapaita elektroneja) MOS = Metal-Oxide-Semiconductor FET = Field-Effect-Transistor MOSFET = IGFET = Insulated-Gate-FET Page 20 (28)

21 Kynnysjännite ja kanavan virta Threshold Voltage Kanava voidaan avata ja sulkea osittain tai kokonaan hilaportin kautta u GS i D i G = 0 u DS > 0 i S ohjausjännite kanava käyttövoima i G = 0 i D = i S Kynnysjännite U t (t = threshold) u GS U t i D 0 u GS U t i D 0 Subthreshold-alue ja heikko inversio: matala jännite, pieni virta Page 21 (28)

22 Toiminta-alueet: Cut, Ohm, Tri, SAT(FET) SAT(BJT) MOSFETin johtavuusparametri K = 2 1 µ W nc OX Conductivity Parameter L I D Ohm Tri Sat (lin) Tri U GS2 U GS1 Cut Cutoff I D = 0, kun U GS U t U DS Ohmic (Triode) u DS << u GS U t : I D K[2(U GS U t )U DS ] Triode u DS u GS U t : I D = K[2(U GS U t )U DS U 2 DS ] Saturation u DS u GS U t : I D = K(U GS U t ) 2 Page 22 (28)

23 Hyvä esimerkki, kattaa DC-analyysin, STE s. 317, EPJK s. 213 Toiminta-alueet: C = Cut, S = Sat, T = Tri. SAT : I D = K(V GG U t ) 2 K = 1 ma/v 2 U t = 2 V R D 2 k I D V DD 10 V GG U GS U DS C/S 2,0 V U t 0 ma 10 V S 3,0 V 1,0 ma 8,0 V > U GS U t S/T 4,0 V 4,0 ma 2,0 V 4,0 2 T(S) 4,2 V 4,84 ma 0,32 V < 4,2 2 T 4,2 V 4,28 ma 1,449 V < 4,2 2 (seur. sivu) Page 23 (28)

24 Triodialueen käsittely (taulukon viimeinen rivi) Jatkoa edelliseltä sivulta. Eri virtayhtälö, koska ollaan TRI-alueella: TRI, OK I D = K [ 2(V GG U t )U DS U 2 ] V DD U DS DS = R D K 2(V } {{ } GG U t ) U } {{ }}{{} DS 2 2,2 x }{{} x 2 U 2 DS = V }{{} DD 10 R D U DS }{{} x 2x 2 9,8x + 10 = 0 x = 2,45 ± 1,001 U DS = x = 1,449 V< U GS U t = 2,2 V Page 24 (28)

25 Mikropiirien kehitys Integrated circuits MOSFET mikroprosessori IC (flip-flop, 2 kpl BJT, hybridi) 1959 Texas Instruments, Jack Kilby (taskulaskin), Nobel 2000 MOSFET 1960 (Bell Labs.) Etninen tausta: M. Atalla s ja D. Kahng k CMOS (= NMOS + PMOS) (RCA) Yleisin mikropiiriteknologia (CPU, GPU, DRAM, SSD, ym.) Intel 1968 ( More-Noise ) Gordon Moore ja Robert Noyce, Fairchild (IC myös 1959) Noycen IC oli monoliitti, menikö Nobel väärälle miehelle? 8 chipin tilaus 1969, vain 2 suunnittelijaa, piti keksiä Mikroprosessori 4004 vuonna 1971 Page 25 (28)

26 Mikropiirit, IC Luokittelu, esim. ULSI = Ultra Large Scale Integration Small, Medium, Large, Very Large, Ultra, Giant,... Gimme bigger words! BFL? Loogisia portteja Fettejä SSI < 10 < 10 2 MSI < 10 2 < 10 3 LSI < 10 3 < 10 4 VLSI < 10 4 < 10 5 ULSI < 10 5 < 10 6 GSI > 10 5 > 10 6 i7-980x Xeon 8-core Page 26 (28)

27 Moore s Law. Alamainen pyytää kuninkaalta riisinjyviä palkkioksi palveluksestaan; hölmö kuningas myöntyy! Olet nyt tässä IC 1959 µp PC 1983 Win 95 iphone -07 Ubuntu 2019? 1 jyvä shakkilaudan 1. ruutuun 2 jyvää 2. ruutuun jyvää 10. ruutuun vadillista jyviä vuonna Biljoona uima-altaallista jyviä 64. ruutuun (2053) Page 27 (28)

28 Ensi kerralla operaatiovahvistin Elektroniikan yleistyökalu Googlaa esim. "Opamps for everyone Texas Instruments (hyvä PDF-kirja). Toinen opas: Tämä viikko on labrojen A-viikko! Page 28 (28)

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X) 5.10.2015

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X) 5.10.2015 Sähköpaja Kimmo Silvonen (X) Elektroniikan komponentit Erilliskomponentit ja IC:t Passiivit: R C L Aktiiviset diskreetit ja IC:t Bipolaaritransistori BJT Kanavatransistorit FET Jänniteregulaattorit (pajan)

Lisätiedot

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T700504

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T700504 ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T700504 syksyllä 2014 OSA 2 Veijo Korhonen 4. Bipolaaritransistorit Toiminta Pienellä kantavirralla voidaan ohjata suurempaa kollektorivirtaa (kerroin β), toimii vahvistimena -

Lisätiedot

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X)

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X) Sähköpaja Kimmo Silvonen (X) Elektroniikan komponentit Erilliskomponentit ja IC:t Passiivit: R C L Aktiiviset erilliskomponentit (diskreetit) ja IC:t: Bipolaaritransistori BJT Moottorinohjaus, H-silta

Lisätiedot

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X)

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X) Sähköpaja Kimmo Silvonen (X) Elektroniikan komponentit Erilliskomponentit ja IC:t Passiivit: R C L Aktiiviset erilliskomponentit (diskreetit) ja IC:t: Bipolaaritransistori BJT Moottorinohjaus, H-silta

Lisätiedot

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X) 22.2.2016

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X) 22.2.2016 Sähköpaja Kimmo Silvonen (X) Elektroniikan komponentit Erilliskomponentit ja IC:t Passiivit: R C L Aktiiviset diskreetit ja IC:t Bipolaaritransistori BJT Kanavatransistorit FET Jänniteregulaattorit (pajan)

Lisätiedot

BL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan: CMOS-tekniikka ja siihen perustuvat logiikkapiiriperheet

BL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan: CMOS-tekniikka ja siihen perustuvat logiikkapiiriperheet BL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan: CMOS-tekniikka ja siihen perustuvat logiikkapiiriperheet Bittioperaatioiden toteuttamisesta Tarvitaan kolmea asiaa: 1. Menetelmät esittää ja siirtää bittejä

Lisätiedot

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T320003

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T320003 ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T320003 syksyllä 2013 OSA 2 Veijo Korhonen 4. Bipolaaritransistorit Toiminta Pienellä kantavirralla voidaan ohjata suurempaa kollektorivirtaa (kerroin β), toimii vahvistimena -

Lisätiedot

Sähkötekniikka ja elektroniikka

Sähkötekniikka ja elektroniikka Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X) Diodi ja puolijohteet Luento Ideaalidiodi = kytkin Puolijohdediodi = epälineaarinen vastus Sovelluksia, mm. ilmaisin ja LED, tasasuuntaus viimeis. viikolla

Lisätiedot

Transistoreiden merkinnät

Transistoreiden merkinnät Transistoreiden merkinnät Yleisesti: Eurooppalaisten valmistajien tunnukset muodostuvat yleisesti kirjain ja numeroyhdistelmistä Ensimmäinen kirjain ilmaisee puolijohdemateriaalin ja toinen kirjain ilmaisee

Lisätiedot

Sähköpajan elektroniikkaa

Sähköpajan elektroniikkaa Sähköpajan elektroniikkaa Kimmo Silvonen (X) "Virtalähde", teholähde, verkkolaite (wall-wart) Elektroniikkapiirit vaativat toimiakseen käyttöjännitteen. Paristot noin 1,5 V tai 3 V / kenno Ladattavat NiMH-akut

Lisätiedot

Sähköpajan elektroniikkaa

Sähköpajan elektroniikkaa Sähköpajan elektroniikkaa Kimmo Silvonen (X) Tämä viikko 25.-29.1.2016 Pajalla Ma klo 10.15-11.30 luento S1 Ma klo 11.30 alk. tutustuminen Sähköpajaan L215 (kahvi, tee) Ti klo 14.15 alk. tutust., lähtö

Lisätiedot

FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe 27.4.2012 Vastaa kaikkiin viiteen kysymykseen

FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe 27.4.2012 Vastaa kaikkiin viiteen kysymykseen FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe 27.4.2012 Vastaa kaikkiin viiteen kysymykseen 1. Selitä lyhyesti a) Theveninin teoreema (2 p) b) Itseispuolijohde ja seostettu puolijohde. (2 p) c) Piirrä p-kanava

Lisätiedot

FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe (Vastaa kaikkiin viiteen tehtävään)

FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe (Vastaa kaikkiin viiteen tehtävään) FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe 16.3.2012 (Vastaa kaikkiin viiteen tehtävään) 1. Selitä lyhyesti (6 pistettä) a) pn-liitoksen virta-jännite-käyttäytyminen b) varauksenkuljettajien lukumäärä itseispuolijohteissa

Lisätiedot

Transistoriteknologian kehitys

Transistoriteknologian kehitys hyväksymispäivä arvosana arvostelija Transistoriteknologian kehitys Ilpo Järvinen Helsinki 20. maaliskuuta 2003 HELSINGIN YLIOPISTO Tietojenkäsittelytieteen laitos Sisältö i 1 Johdanto 1 2 Transistori

Lisätiedot

20 Kollektorivirta kun V 1 = 15V 10. 21 Transistorin virtavahvistus 10. 22 Transistorin ominaiskayrasto 10. 23 Toimintasuora ja -piste 10

20 Kollektorivirta kun V 1 = 15V 10. 21 Transistorin virtavahvistus 10. 22 Transistorin ominaiskayrasto 10. 23 Toimintasuora ja -piste 10 Sisältö 1 Johda kytkennälle Theveninin ekvivalentti 2 2 Simuloinnin ja laskennan vertailu 4 3 V CE ja V BE simulointituloksista 4 4 DC Sweep kuva 4 5 R 2 arvon etsintä 5 6 Simuloitu V C arvo 5 7 Toimintapiste

Lisätiedot

SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA 1 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA txt-8 2017, Kimmo Silvonen Osa VIII, 13.11.2017 Otan mielelläni esim. sähköpostilla (kimmo.silvonen@aalto.fi) vastaan pieniäkin korjauksia (kuten painovirheet), tekstisisältötoiveita

Lisätiedot

Aineopintojen laboratoriotyöt I. Ominaiskäyrät

Aineopintojen laboratoriotyöt I. Ominaiskäyrät Aineopintojen laboratoriotyöt I Ominaiskäyrät Aki Kutvonen Op.nmr 013185860 assistentti: Tommi Järvi työ tehty 31.10.2008 palautettu 28.11.2008 Tiivistelmä Tutkittiin elektroniikan peruskomponenttien jännite-virtaominaiskäyriä

Lisätiedot

Sähköpajan elektroniikkaa

Sähköpajan elektroniikkaa Sähköpajan elektroniikkaa Kimmo Silvonen (X) Pajan aukioloajat I periodilla Pajalla tehdään Arduino-harjoituksia ja projetia! Kimmolta voi pyytää pääsyä Pajalle ennen virallista alkamisaikaa. Aikoja voidaan

Lisätiedot

Sähkötekniikka ja elektroniikka

Sähkötekniikka ja elektroniikka Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X) Kokeet, harjoitustehtävät, palaute 2. välikoe ja tentti ma 7.12. klo 10.15-13, S1 Valitset kokeen aikana, suoritatko tentin Ilmoittaudu joka tapauksessa

Lisätiedot

S-55.1100 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S-55.1100 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA S-55.1100 SÄHKÖTKNIIKKA JA KTONIIKKA 2. välikoe 5.5.2008. Saa vasaa vain neljään ehävään! Kimmo Silven 1. aske vira. = 1 kω, = 2 kω, 3 = 4 kω, = 10 V. Diodin ominaiskayra, aseikko 0... 4 ma + 3 Teh. 2.

Lisätiedot

DIODIN OMINAISKÄYRÄ TRANSISTORIN OMINAISKÄYRÄSTÖ

DIODIN OMINAISKÄYRÄ TRANSISTORIN OMINAISKÄYRÄSTÖ 1 IOIN OMINAISKÄYRÄ JA TRANSISTORIN OMINAISKÄYRÄSTÖ MOTIVOINTI Työ opettaa mittaamaan erityyppisten diodien ominaiskäyrät käyttämällä oskilloskooppia XYpiirturina Työssä opetellaan mittaamaan transistorin

Lisätiedot

1. Tasavirtapiirit ja Kirchhoffin lait

1. Tasavirtapiirit ja Kirchhoffin lait Kimmo Silvonen, Sähkötekniikka ja elektroniikka, Otatieto 2003. Tasavirtapiirit ja Kirchhoffin lait Sähkötekniikka ja elektroniikka, sivut 5-62. Versio 3..2004. Kurssin Sähkötekniikka laskuharjoitus-,

Lisätiedot

Taitaja2005/Elektroniikka. 1) Resistanssien sarjakytkentä kuormittaa a) enemmän b) vähemmän c) yhtä paljon sähkölähdettä kuin niiden rinnankytkentä

Taitaja2005/Elektroniikka. 1) Resistanssien sarjakytkentä kuormittaa a) enemmän b) vähemmän c) yhtä paljon sähkölähdettä kuin niiden rinnankytkentä 1) Resistanssien sarjakytkentä kuormittaa a) enemmän b) vähemmän c) yhtä paljon sähkölähdettä kuin niiden rinnankytkentä 2) Kahdesta rinnankytketystä sähkölähteestä a) kuormittuu enemmän se, kummalla on

Lisätiedot

Elektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus

Elektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus Elektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus Antti Karjalainen, PRK 30.10.2014 Komponenttien esittelytaktiikka Toiminta, (Teoria), Käyttö jännite, virta, teho, taajuus, impedanssi ja näiden yksiköt:

Lisätiedot

Kaikki kytkennät tehdään kytkentäalustalle (bimboard) ellei muuta mainita.

Kaikki kytkennät tehdään kytkentäalustalle (bimboard) ellei muuta mainita. FYSE300 Elektroniikka 1 (FYSE301 FYSE302) Elektroniikka 1:n (FYSE300) laboratorioharjoitukset sisältävät kaksi työtä, joista ensimmäinen sisältyy A-osaan (FYSE301) ja toinen B-osaan (FYSE302). Pelkän A-osan

Lisätiedot

Sähkötekniikan perusteet

Sähkötekniikan perusteet Sähkötekniikan perusteet 1) Resistanssien rinnankytkentä kuormittaa a) enemmän b) vähemmän c) yhtä paljon sähkölähdettä kuin niiden sarjakytkentä 2) Jännitelähteiden sarjakytkentä a) suurentaa kytkennästä

Lisätiedot

IGBT-TRANSISTORI. Janne Salonen. Opinnäytetyö Joulukuu 2013 Tietoliikennetekniikka Sulautetutjärjestelmät ja elektroniikka

IGBT-TRANSISTORI. Janne Salonen. Opinnäytetyö Joulukuu 2013 Tietoliikennetekniikka Sulautetutjärjestelmät ja elektroniikka IGBT-TRANSISTORI Janne Salonen Opinnäytetyö Joulukuu 2013 Tietoliikennetekniikka Sulautetutjärjestelmät ja elektroniikka TIIVISTELMÄ Tampereen ammattikorkeakoulu Tietoliikennetekniikka Sulautetutjärjestelmät

Lisätiedot

FYSE301(Elektroniikka(1(A3osa,(kevät(2013(

FYSE301(Elektroniikka(1(A3osa,(kevät(2013( FYSE301(Elektroniikka(1(A3osa,(kevät(2013( 1/2 Loppukoe1.3.2013 vastaakaikkiinkysymyksiin(yhteensä48pistettä) 1. Kuvailelyhyesti a. Energialineaarisissapiirielementeissä:vastuksessa,kondensaattorissajakelassa(3

Lisätiedot

BL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan - Johdanto integroituihin digitaalipiireihin

BL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan - Johdanto integroituihin digitaalipiireihin BL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan - Johdanto integroituihin digitaalipiireihin Digitaalielektroniikka perustuu ohjattaviin kytkimiin Ohjattava kytkin, digitaalielektroniikan peruskomponentti

Lisätiedot

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET ELEKTRONIIKAN PERUSTEET Juha Aaltonen Seppo Kousa Jyrki Stor-Pellinen A.T.S.S.: J.B.-B. 4 DRW: Spi CHK: JPA Elektroniikan Perusteet SHEET 193 OF 390 DRAWING NO:5.19 Sisällys 1 Johdanto.............................................

Lisätiedot

Analogiapiirit III. Tentti 15.1.1999

Analogiapiirit III. Tentti 15.1.1999 Oulun yliopisto Elektroniikan laboratorio nalogiapiirit III Tentti 15.1.1999 1. Piirrä MOS-differentiaalipari ja johda lauseke differentiaaliselle lähtövirralle käyttäen MOS-transistorin virtayhtälöä (huom.

Lisätiedot

R = xw = W e (v SG V T )v SD. (4) (v SG V T )v SD. (5)

R = xw = W e (v SG V T )v SD. (4) (v SG V T )v SD. (5) S-69.128 Puolijohdetekniikan laboratoriotyöt syksy 1997 Leif Roschier 41913W (leif.roschier@hut.) Jani Lahtinen 46290H (jani.lahtinen@hut.) Eeva Kallio (ekkallio@cc.hut.) 25. elokuuta 1998 1 Sisältö 1

Lisätiedot

Elektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus

Elektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus Elektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus Antti Karjalainen, PRK 14.11.2013 Komponenttien esittelytaktiikka Toiminta, (Teoria), Käyttö jännite, virta, teho, taajuus, impedanssi ja näiden yksiköt:

Lisätiedot

PIIRIANALYYSI. Harjoitustyö nro 7. Kipinänsammutuspiirien mitoitus. Mika Lemström

PIIRIANALYYSI. Harjoitustyö nro 7. Kipinänsammutuspiirien mitoitus. Mika Lemström PIIRIANAYYSI Harjoitustyö nro 7 Kipinänsammutuspiirien mitoitus Mika emström Sisältö 1 Johdanto 3 2 RC-suojauspiiri 4 3 Diodi suojauspiiri 5 4 Johtopäätos 6 sivu 2 [6] Piirianalyysi Kipinänsammutuspiirien

Lisätiedot

Sähkötekniikka ja elektroniikka

Sähkötekniikka ja elektroniikka Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X) Operaatiovahvistin Operational Amplifier Opva Opamp. Versio. Ideaalivahvistin elektroniikan peruslohkona Takaisinkytkentä Operaatiovahvistin vahvistaa

Lisätiedot

Näytteen liikkeen kontrollointi

Näytteen liikkeen kontrollointi LAPPEENRANNAN TEKNILLINEN YLIOPISTO Sähkötekniikan osasto Fysiikan laitos Kandidaatintyö Näytteen liikkeen kontrollointi Työn ohjaajana ja tarkastajana toimi diplomi-insinööri Hanna-Leena Varis. Lappeenrannassa

Lisätiedot

ELEC-C6001 Sähköenergiatekniikka, laskuharjoitukset oppikirjan lukuun 10 liittyen.

ELEC-C6001 Sähköenergiatekniikka, laskuharjoitukset oppikirjan lukuun 10 liittyen. ELEC-C6001 Sähköenergiatekniikka, laskuharjoitukset oppikirjan lukuun 10 liittyen. X.X.2015 Tehtävä 1 Bipolaaritransistoria käytetään alla olevan kuvan mukaisessa kytkennässä, jossa V CC = 40 V ja kuormavastus

Lisätiedot

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA S-55.1100 SÄHKÖTKNIIKKA JA LKTONIIKKA 2. välikoe 14.12.2010. Saat vastata vain neljään tehtävään! Sallitut: Kako, (gr.) laskin, [MAOL], [sanakirjan käytöstä sovittava valvojan kanssa!] 1. Missä rajoissa

Lisätiedot

CC-ASTE. Kuva 1. Yksinkertainen CC-vahvistin, jossa virtavahvistus B + 1. Kuva 2. Yksinkertaisen CC-vahvistimen simulaatio

CC-ASTE. Kuva 1. Yksinkertainen CC-vahvistin, jossa virtavahvistus B + 1. Kuva 2. Yksinkertaisen CC-vahvistimen simulaatio CC-ASTE Yhteiskollektorivahvistin eli emitteriseuraaja on vahvistinkytkentä, jota käytetään jännitepuskurina. Sisääntulo on kannassa ja ulostulo emitterissä. Koska transistorin kannan ja emitterin välinen

Lisätiedot

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA S-55.00 SÄHKÖTKNIIKK J KTONIIKK Kimmo Silvonen alto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu C Välikoe on kääntöpuolella! Tentti 7.4.04. Tehtävät,, 4, 6, 7. Saat vastata vain neljään tehtävään! Sallitut:

Lisätiedot

ELEC-E8421 Tehoelektroniikan komponentit 1 (9) Tentti , kello 13: :00, sali AS1

ELEC-E8421 Tehoelektroniikan komponentit 1 (9) Tentti , kello 13: :00, sali AS1 ELEC-E8421 Tehoelektroniikan komponentit 1 (9) Tentti 15.12.216, kello 13:... 16:, sali AS1 Papereihin Tentissä sallitut apuvälineet - sukunimi ja etunimet - kynät, kumit jne. - opiskelijanumero - taskulaskin

Lisätiedot

TRANSISTORIPARAMETRIT

TRANSISTORIPARAMETRIT TRANSISTORIPARAMETRIT H. Honkanen Transistorin ominaisuuksien matemaattisen käsittelyn maollistamiseksi on luotu parametrit, jotka kuvaavat transistorin käyttäytymistä. Transistoriparametreja ovat -, r-

Lisätiedot

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu S-55.00 SÄHKÖTKNKKA JA LKTONKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu Kimmo Silvonen Tentti 4.5.0: tehtävät,3,4,6,8.. välikoe: tehtävät,,3,4,5.. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0. Saat vastata vain neljään

Lisätiedot

UNIVERSITY OF JYVÄSKYLÄ LABORATORY WORKS. For analog electronics FYSE400 Loberg D E P A R T M E N T O F P H Y S I C S

UNIVERSITY OF JYVÄSKYLÄ LABORATORY WORKS. For analog electronics FYSE400 Loberg D E P A R T M E N T O F P H Y S I C S UNIVESITY OF JYVÄSKYLÄ LABOATOY WOKS For analog electronics FYSE400 Loberg 2010 D E P A T M E N T O F P H Y S I C S 2 P a g e 3 P a g e 4 P a g e Contents 1 Shortly about Multisim... 7 2 Ominaiskäyrästön

Lisätiedot

Sähköautoprojekti Pienoissähköauto Elektroniikan kokoonpano Moottoriohjain. http://www.elwis.fi

Sähköautoprojekti Pienoissähköauto Elektroniikan kokoonpano Moottoriohjain. http://www.elwis.fi Sähköautoprojekti Pienoissähköauto Elektroniikan kokoonpano Moottoriohjain http://www.elwis.fi Sisällys Elektroniikan osalista... 3 Tarvittavat työkalut... 3 Elektroniikan rakentaminen... 4 1. Piirilevyn

Lisätiedot

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X)

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X) Sähköpaja Kimmo Silvonen (X) Loppusyksyn 2016 ohjelma Ma 28.11. Viimeinen luento Pyydä tarvittaessa pääsyä Pajalle normiaikojen ulkopuolella! Ma 5.12. Paja on auki ainakin klo 12-18 Ti 6.12. Koulu on kiinni

Lisätiedot

Käännös, linkitys ja lataus

Käännös, linkitys ja lataus Luento 10 (verkkoluento 10) Käännös, linkitys ja lataus Ohjelmasta prosessiin Käännösyksikkö Kääntämisen vaiheet Makrot, literaalit Staattinen ja dynaaminen linkitys Nimien sidonta Lausekielestä suoritukseen

Lisätiedot

LOPPURAPORTTI 19.11.2007. Lämpötilahälytin. 0278116 Hans Baumgartner xxxxxxx nimi nimi

LOPPURAPORTTI 19.11.2007. Lämpötilahälytin. 0278116 Hans Baumgartner xxxxxxx nimi nimi LOPPURAPORTTI 19.11.2007 Lämpötilahälytin 0278116 Hans Baumgartner xxxxxxx nimi nimi KÄYTETYT MERKINNÄT JA LYHENTEET... 3 JOHDANTO... 4 1. ESISELOSTUS... 5 1.1 Diodi anturina... 5 1.2 Lämpötilan ilmaisu...

Lisätiedot

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA S-55.1100 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTONIIKKA. väliko 13.1.005. Saat vastata vain nljään thtävään! Kimmo Silvonn 1. Kuvan kaksiportin -paramtrit tunntaan, samoin kuormavastus ja lähtöjännit U. Lask jännit.

Lisätiedot

3. Esittele kirjassa esitetyt puolijohdetehokomponenttien jäähdytysmenetelmät ja -laitteet sekä niiden keskinäiset edut ja haitat.

3. Esittele kirjassa esitetyt puolijohdetehokomponenttien jäähdytysmenetelmät ja -laitteet sekä niiden keskinäiset edut ja haitat. S-81.312 Tehoelektroniikan komponentit J. Niiranen 1 (9) Tentti 2.1.214, kello 16... 19, sali S4 Papereihin Tentissä sallitut apuvälineet - sukunimi ja etunimet - kynät, kumit jne. - opiskelijanumero -

Lisätiedot

Taitaja2004/Elektroniikka Semifinaali 19.11.2003

Taitaja2004/Elektroniikka Semifinaali 19.11.2003 Taitaja2004/Elektroniikka Semifinaali 19.11.2003 Teoriatehtävät Nimi: Oppilaitos: Ohje: Tehtävät ovat suurimmaksi osaksi vaihtoehtotehtäviä, mutta tarkoitus on, että lasket tehtävät ja valitset sitten

Lisätiedot

Elektroniikka. Mitä sähkö on. Käsitteistöä

Elektroniikka. Mitä sähkö on. Käsitteistöä Elektroniikka Mitä sähkö on Sähkö on elektronien liikettä atomista toiseen. Negatiivisesti varautuneet elektronit siirtyvät atomista toiseen. Tätä kutsutaan sähkövirraksi Sähkövirrasta puhuttaessa on sovittu,

Lisätiedot

10. Kytkentäohje huonetermostaateille

10. Kytkentäohje huonetermostaateille . Kytkentäohje huonetermostaateille TERMOSTAATTIE JA TOIMILAITTEIDE KYTKETÄ JA KYT KE TÄ KO TE LOI HI 2 1 2 2 1 WehoFloor-termostaatti 3222 soveltuvaa kaapelia 3 1, mm 2. joh timet keskusyk sikköön käsikirjassa

Lisätiedot

Automaation elektroniikka T103403, 3 op SAU14snS. Pekka Rantala kevät 2016

Automaation elektroniikka T103403, 3 op SAU14snS. Pekka Rantala kevät 2016 Automaation elektroniikka T103403, 3 op SAU14snS Pekka Rantala kevät 2016 Opinto-opas 2014 Osaamistavoitteet: Opintojakso perehdyttää opiskelijat automaatiotekniikan sovelluksissa käytettäviin elektroniikan

Lisätiedot

1 Kohina. 2 Kohinalähteet. 2.1 Raekohina. 2.2 Terminen kohina

1 Kohina. 2 Kohinalähteet. 2.1 Raekohina. 2.2 Terminen kohina 1 Kohina Kohina on yleinen ongelma integroiduissa piireissä. Kohinaa aiheuttavat pienet virta- ja jänniteheilahtelut, jotka ovat komponenteista johtuvia. Myös ulkopuoliset lähteet voivat aiheuttaa kohinaa.

Lisätiedot

Sähkötekniikan perusteet

Sähkötekniikan perusteet Sähkötekniikan perusteet 1) Resistanssien rinnankytkentä kuormittaa a) enemmän b) vähemmän c) yhtä paljon sähkölähdettä kuin niiden sarjakytkentä 2) Jännitelähteiden sarjakytkentä a) suurentaa kytkennästä

Lisätiedot

LABORAATIO 1, YLEISMITTARI JA PERUSMITTAUKSET

LABORAATIO 1, YLEISMITTARI JA PERUSMITTAUKSET KAJAANIN AMMATTIKORKEAKOULU Tekniikan ja liikenteen ala VAHVAVIRTATEKNIIKAN LABORAATIOT H.Honkanen LABORAATIO 1, YLEISMITTARI JA PERUSMITTAUKSET YLEISTÄ YLEISMITTARIN OMINAISUUKSISTA: Tässä laboratoriotyössä

Lisätiedot

S Tehoelektroniikan komponentit J. Niiranen 1 (13) Tentti , kello , sali S4

S Tehoelektroniikan komponentit J. Niiranen 1 (13) Tentti , kello , sali S4 S-81.312 Tehoelektroniikan komponentit J. Niiranen 1 (13) Tentti 17.3.214, kello 16... 19, sali S4 Papereihin Tentissä sallitut apuvälineet - sukunimi ja etunimet - kynät, kumit jne. - opiskelijanumero

Lisätiedot

Operaatiovahvistimen vahvistus voidaan säätää halutun suuruiseksi käyttämällä takaisinkytkentävastusta.

Operaatiovahvistimen vahvistus voidaan säätää halutun suuruiseksi käyttämällä takaisinkytkentävastusta. TYÖ 11. Operaatiovahvistin Operaatiovahvistin on mikropiiri ( koostuu useista transistoreista, vastuksista ja kondensaattoreista juotettuna pienelle piipalaselle ), jota voidaan käyttää useisiin eri kytkentöihin.

Lisätiedot

amiedu DIGITAALITEKNIIKAN PERUSPORTIT 2 Sivu 1 (7)

amiedu DIGITAALITEKNIIKAN PERUSPORTIT 2 Sivu 1 (7) amiedu DIGITLITEKNIIKN PEUSPOTIT 2 Sivu (7) ND -gate J - portti NND -gate EI-J - portti O -gate TI - portti NO -gate EI-TI - portti & & > > 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 = * =, eli = on vain, jos = ja

Lisätiedot

' ' MJE3055~ i'.. "' f'... r-...

' ' MJE3055~ i'.. ' f'... r-... \ FYSE4 ANALOGELEKTRONKAN LOPPUTENTT 21 1 Tehtiivii (a) Liitteessa on esitetty ote n-kanavaisen fetin BS17 datalehdesta. Piirra sen sisaltaien tietojen perusteella fetin SOA (Safe Operating Area) kun Vvs>2.5V

Lisätiedot

TIEP114 Tietokoneen rakenne ja arkkitehtuuri, 3 op. FT Ari Viinikainen

TIEP114 Tietokoneen rakenne ja arkkitehtuuri, 3 op. FT Ari Viinikainen TIEP114 Tietokoneen rakenne ja arkkitehtuuri, 3 op FT Ari Viinikainen Tietokoneen rakenne Keskusyksikkö, CPU Keskusmuisti Aritmeettislooginen yksikkö I/O-laitteet Kontrolliyksikkö Tyypillinen Von Neumann

Lisätiedot

Sähkötekniikka ja elektroniikka

Sähkötekniikka ja elektroniikka Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X) Siirtojohdot, Transmission Lines Luento, vrt. laboratoriotyö nr. 3. Siirtojohdon käsite Esim. antenni- tai muu koaksiaalikaapeli, ATK-verkko Aaltojen

Lisätiedot

TRANSISTORIASTEEN TOIMINTA- SUORAN MÄÄRITTÄMINEN

TRANSISTORIASTEEN TOIMINTA- SUORAN MÄÄRITTÄMINEN TRANSSTORASTEEN TOMNTA- SUORAN MÄÄRTTÄMNEN H. Honkanen Yhteisemitteri ( tai yhteissource ) kytketyn vahvistinasteen toimintasuoran määrittäminen. Toimintapisteen, eli lepopisteen, ja emitterin ( tai sourcen

Lisätiedot

C 2. + U in C 1. (3 pistettä) ja jännite U C (t), kun kytkin suljetaan ajanhetkellä t = 0 (4 pistettä). Komponenttiarvot ovat

C 2. + U in C 1. (3 pistettä) ja jännite U C (t), kun kytkin suljetaan ajanhetkellä t = 0 (4 pistettä). Komponenttiarvot ovat S-87.2 Tentti 6..2007 ratkaisut Vastaa kaikkiin neljään tehtävään! C 2 I J 2 C C U C Tehtävä atkaise virta I ( pistettä), siirtofunktio F(s) = Uout ( pistettä) ja jännite U C (t), kun kytkin suljetaan

Lisätiedot

SÄHKÖENERGIATEKNIIIKKA. Harjoitus - luento 7. Tehtävä 1

SÄHKÖENERGIATEKNIIIKKA. Harjoitus - luento 7. Tehtävä 1 SÄHKÖENERGIATEKNIIIKKA Harjoitus - luento 7 Tehtävä 1 Bipolaaritransistoria käytetään alla olevan kuvan mukaisessa kytkennässä, jossa V CC = 40 V ja kuormavastus R L = 10 ς. Kyllästysalueella kollektori-emitterijännite

Lisätiedot

Taitaja2008, Elektroniikkalajin semifinaali 24.1.2008

Taitaja2008, Elektroniikkalajin semifinaali 24.1.2008 Taitaja2008, Elektroniikkalajin semifinaali 24.1.2008 Kilpailijan nimi: 1) Oheisen kytkennän kokonaisresistanssi on n. 33 Ohm 150 Ohm a) 70 Ohmia b) 100 Ohmia c) 120 Ohmia 120 Ohm 2) Oheisen kytkennän

Lisätiedot

Sähkötekiikka muistiinpanot

Sähkötekiikka muistiinpanot Sähkötekiikka muistiinpanot Tuomas Nylund 6.9.2007 1 6.9.2007 1.1 Sähkövirta Symboleja ja vastaavaa: I = sähkövirta (tasavirta) Tasavirta = Virran arvo on vakio koko tarkasteltavan ajan [ I ] = A = Ampeeri

Lisätiedot

SÄHKÖTEKNIIKAN KOULUTUSOHJELMA KANDIDAATINTYÖ. n-kanavaisen MOSFET-transistorin mittaaminen ja MATLABilla mallintaminen

SÄHKÖTEKNIIKAN KOULUTUSOHJELMA KANDIDAATINTYÖ. n-kanavaisen MOSFET-transistorin mittaaminen ja MATLABilla mallintaminen SÄHKÖTEKNIIKAN KOULUTUSOHJELMA KANDIDAATINTYÖ n-kanavaisen MOSFET-transistorin mittaaminen ja MATLABilla mallintaminen Tekijä Valvoja Janne Juusola Timo Rahkonen Maaliskuu 2017 Juusola J. (2017) n-kanavaisen

Lisätiedot

Vastksen ja diodin virta-jännite-ominaiskäyrät sekä valodiodi

Vastksen ja diodin virta-jännite-ominaiskäyrät sekä valodiodi Sivu 1/10 Fysiikan laboratoriotyöt 1 Työ numero 3 Vastksen ja diodin virta-jännite-ominaiskäyrät sekä valodiodi Työn suorittaja: Antero Lehto 1724356 Työ tehty: 24.2.2005 Uudet mittaus tulokset: 11.4.2011

Lisätiedot

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen S55.0 SÄHKÖTEKNKKA 9.5.000 Kimmo Silvonen Tentti: tehtävät,,5,8,9. välikoe: tehtävät,,,4,5. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0 Oletko muistanut vastata palautekyselyyn Voit täyttää lomakkeen nyt.. aske virta.

Lisätiedot

TA-Slider 160. Toimilaitteet Digitaalisesti määriteltävä, suhteellisesti säätävä, yksitoiminen (push) toimilaite 160/200 N

TA-Slider 160. Toimilaitteet Digitaalisesti määriteltävä, suhteellisesti säätävä, yksitoiminen (push) toimilaite 160/200 N TA-Slider 160 Toimilaitteet Digitaalisesti määriteltävä, suhteellisesti säätävä, yksitoiminen (push) toimilaite 160/200 N TA-Slider 160 Digitaalisesti määriteltävät toimilaitteet usealla asettelumahdollisuudella

Lisätiedot

AB LUOKAN AUDIOVAHVISTIMEN SUUNNITTELUOHJEITA

AB LUOKAN AUDIOVAHVISTIMEN SUUNNITTELUOHJEITA B LOKN DIOVHVISTIMEN SNNITTELOHJEIT H. Honkanen B luokassa toimiva vahvistinrakenne on käytetyin audiokäytössä ( lähes 00%. Komplementaaripariin perustuvassa rakenteessa ( B, B ja C luokan vahvistimet

Lisätiedot

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA S-55.00 SÄHKÖTKNIIKKA JA KTONIIKKA Kimmo Silvonen Tentti 2.2.200: tehtävät,3,4,7,0.. välikoe: tehtävät,2,3,4,5. 2. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0. Saat vastata vain neljään tehtävään/koe. Sallitut: Kako,

Lisätiedot

PERUSRAKENTEET Forward converter, Myötävaihemuunnin ( BUCK regulaattori )

PERUSRAKENTEET Forward converter, Myötävaihemuunnin ( BUCK regulaattori ) HAKKRIKYTKENNÄT H. Honkanen PERSRAKENTEET Forward converter, Myötävaihemuunnin ( BCK regulaattori ) Toiminta: Kun kytkin ( = päätetransistori ) on johtavassa tilassa, siirtyy virta I 1 kelan kautta kondensaattoriin

Lisätiedot

Ongelma(t): Mihin perustuu tietokoneiden suorituskyky ja sen jatkuva kasvu? Mitkä tekijät rajoittavat suorituskyvyn parantamista ja mitkä niistä ovat

Ongelma(t): Mihin perustuu tietokoneiden suorituskyky ja sen jatkuva kasvu? Mitkä tekijät rajoittavat suorituskyvyn parantamista ja mitkä niistä ovat Ongelma(t): Mihin perustuu tietokoneiden suorituskyky ja sen jatkuva kasvu? Mitkä tekijät rajoittavat suorituskyvyn parantamista ja mitkä niistä ovat ehdottomia? 2012-2013 Lasse Lensu 2 Nykyiset tietokoneet

Lisätiedot

PUOLIJOHTEET + + - - - + + + - - tyhjennysalue

PUOLIJOHTEET + + - - - + + + - - tyhjennysalue PUOLIJOHTEET n-tyypin- ja p-tyypin puolijohteet - puolijohteet ovat aineita, jotka johtavat sähköä huonommin kuin johteet, mutta paremmin kuin eristeet (= eristeen ja johteen välimuotoja) - resistiivisyydet

Lisätiedot

4B. Tasasuuntauksen tutkiminen oskilloskoopilla.

4B. Tasasuuntauksen tutkiminen oskilloskoopilla. TURUN AMMATTIKORKEAKOULU TYÖOHJE 1 4B. Tasasuuntauksen tutkiminen oskilloskoopilla. Teoriaa oskilloskoopista Oskilloskooppi on laite, joka muuttaa sähköisen signaalin näkyvään muotoon. Useimmiten sillä

Lisätiedot

ELEKTRONISET TOIMINNOT

ELEKTRONISET TOIMINNOT LUENTO 2 ALUKSI OLI... EHKÄ MIELENKIINTOISIN SUUNNITTELIJAN TEHTÄVÄ ON TOTEUTTAA LAITE (JA EHKÄ MENETELMÄKIN) JONKIN ONGELMAN RATKAISEMISEEN PUHTAALTA PÖYDÄLTÄ EI (AINAKAAN SAMALLA PERIAATTEELLA) VALMIITA

Lisätiedot

SMG-2100: SÄHKÖTEKNIIKKA

SMG-2100: SÄHKÖTEKNIIKKA SMG-2100: SÄHKÖTEKNIIKKA Vastusten kytkennät Energialähteiden muunnokset sarjaankytkentä rinnankytkentä kolmio-tähti-muunnos jännitteenjako virranjako Käydään läpi vastusten keskinäisten kytkentöjen erilaiset

Lisätiedot

http://www.angelniemenankkuri.com/index.php?page=ilu/nuoret/ajankohtaista&select=3&head=nuori%20...

http://www.angelniemenankkuri.com/index.php?page=ilu/nuoret/ajankohtaista&select=3&head=nuori%20... Sivu 1/28 " #%% ((%% ( * +, " -. / " - ("*0 "# % "# (( # # ( ( * # +,,-. /0,-,,2 3 #4 3 % % 5 5 * 4 % 3 6 4 4 44( ( % #"" #"#"# + 7. 4 %%2%%3 % 4 9#:200; 1 5242%% 1,1200/,/,/ (43%% 1 ("*01,01200/,202200/

Lisätiedot

Sähkötekniikka ja elektroniikka

Sähkötekniikka ja elektroniikka Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X) Piiriteoria Circuit Theory. Työkalut Tools Luento Oppikirja: Sähkötekniikka ja piiriteoria. Tämän viikon teoria on yleispätevää eikä rajoitu DC-analyysiin!

Lisätiedot

Energianhallinta. Energiamittari. Malli EM10 DIN. Tuotekuvaus. Tilausohje EM10 DIN AV8 1 X O1 PF. Mallit

Energianhallinta. Energiamittari. Malli EM10 DIN. Tuotekuvaus. Tilausohje EM10 DIN AV8 1 X O1 PF. Mallit Energianhallinta Energiamittari Malli EM10 DIN Luokka 1 (kwh) EN62053-21 mukaan Luokka B (kwh) EN50470-3 mukaan Energiamittari Energia: 6 numeroa Energian mittaukset: kokonais kwh TRMS mittaukset vääristyneelle

Lisätiedot

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA S-55.11 SÄHKÖTKNIIKKA JA LKTONIIKKA 2. väliko 14.12.26. Saat vastata vain nljään thtävään! Kimmo Silvonn 1. Millä välillä vaihtl opraatiovahvistimn lähtöjännit, jos =1 +û sin ωt. =2, û =5. 2 Thtävä 2.

Lisätiedot

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu S-55.00 SÄHKÖTKNIIKKA JA KTONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakol Kimmo Silvonen Tentti 30.5.03: tehtävät,3,4,6,0.. välikoe: tehtävät,,3,4,5.. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0. Saat vastata vain

Lisätiedot

Teholähteet ja muuntajat Phaseo Poweria automaatioon!

Teholähteet ja muuntajat Phaseo Poweria automaatioon! Teholähteet ja muuntajat Phaseo Poweria automaatioon! Simply Smart! Nerokkuutta ja älyä, joka tekee käytöstä helppoa Tämän päivän vaatimuksiin... Verkkokatkot Sähkökatkokset aiheuttavat koneisiin ja laitteisiin

Lisätiedot

vikataajuus lämpötilassa T vikataajuus lämpötilassa T = 75 C 20 40 60 80 100 120 140 Lämpötila, C

vikataajuus lämpötilassa T vikataajuus lämpötilassa T = 75 C 20 40 60 80 100 120 140 Lämpötila, C 3 1. Johdanto Lähes kaikki moderniin elämään kuuluvat hyökkeet leluista tietokoneisiin sisältävät elektroniikkaa. Tarkasteltaessa yksittäisen useista erilaisista sähkö- ja elektroniikkapiireistä koostuvan

Lisätiedot

l s, c p T = l v = l l s c p. Z L + Z 0

l s, c p T = l v = l l s c p. Z L + Z 0 1.1 i k l s, c p Tasajännite kytketään hetkellä t 0 johtoon, jonka pituus on l ja jonka kapasitanssi ja induktanssi pituusyksikköä kohti ovat c p ja l s. Mieti, kuinka virta i käyttäytyy ajan t funktiona

Lisätiedot

Sirpa Lehtola Michael Benford Wolf-Rainer Windisch. English for Electrical and Electronics Professionals. Helsingissä Kustannusosakeyhtiö Otava 1

Sirpa Lehtola Michael Benford Wolf-Rainer Windisch. English for Electrical and Electronics Professionals. Helsingissä Kustannusosakeyhtiö Otava 1 Sirpa Lehtola Michael Benford Wolf-Rainer Windisch English for Electrical and Electronics Professionals Helsingissä Kustannusosakeyhtiö Otava Hyvä kirjan käyttäjä Expert English for Electrical and Electronics

Lisätiedot

Fysiikan laboratoriotyöt 1, työ nro: 3, Vastuksen ja diodin virta-jänniteominaiskäyrät

Fysiikan laboratoriotyöt 1, työ nro: 3, Vastuksen ja diodin virta-jänniteominaiskäyrät Fysiikan laboratoriotyöt 1, työ nro: 3, Vastuksen ja diodin virta-jänniteominaiskäyrät Tekijä: Mikko Laine Tekijän sähköpostiosoite: miklaine@student.oulu.fi Koulutusohjelma: Fysiikka Mittausten suorituspäivä:

Lisätiedot

Ongelma(t): Mihin perustuu tietokoneiden suorituskyky ja sen jatkuva kasvu? Mitkä tekijät rajoittavat suorituskyvyn parantamista ja mitkä niistä ovat

Ongelma(t): Mihin perustuu tietokoneiden suorituskyky ja sen jatkuva kasvu? Mitkä tekijät rajoittavat suorituskyvyn parantamista ja mitkä niistä ovat Ongelma(t): Mihin perustuu tietokoneiden suorituskyky ja sen jatkuva kasvu? Mitkä tekijät rajoittavat suorituskyvyn parantamista ja mitkä niistä ovat ehdottomia? 2013-2014 Lasse Lensu 2 Nykyiset tietokoneet

Lisätiedot

Johdatus radiotekniikkaan. Ville Viikari ELEC-C5070 Elektroniikkapaja

Johdatus radiotekniikkaan. Ville Viikari ELEC-C5070 Elektroniikkapaja Johdatus radiotekniikkaan Ville Viikari ELEC-C5070 Elektroniikkapaja Sisältö Johdanto radiotekniikkaan Epälineaarisuuden hyödyntäminen RFIDssä Esimerkkejä radiotekniikan tutkimuksesta Radiotieteen ja tekniikan

Lisätiedot

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA S-55.00 SÄHKÖTKNIIKKA JA KTONIIKKA Tentti 4.5.2009: tehtävät,,4,6,9. välikoe: tehtävät,2,,4,5 2. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0 Saat vastata vain neljään tehtävään/koe. Sallitut: Kako, (gr.) laskin, (MAO)..

Lisätiedot

EV011 EV012 EV002 EV004 EV100 EV102 1 mod. 1 mod. 4 mod. 4 mod. 5 mod. 5 mod. 230 V AC (+10%/-15%), 50 HZ 6 W 6 W 6 W 6 W 15 W 15 W

EV011 EV012 EV002 EV004 EV100 EV102 1 mod. 1 mod. 4 mod. 4 mod. 5 mod. 5 mod. 230 V AC (+10%/-15%), 50 HZ 6 W 6 W 6 W 6 W 15 W 15 W himmentimet Mitta moduleina imellisjännite Tehohäviö nimelliskuormalla Himmennysperiaate Kuorman tyyppi hehkulamput 3 V halogeenilamput pienj. halog.lamput muuntajalla pienj. halog.lamput el. muuntajalla

Lisätiedot

KANDIDAATINTYÖ. Tuukka Junnikkala SÄHKÖTEKNIIKAN KOULUTUSOHJELMA

KANDIDAATINTYÖ. Tuukka Junnikkala SÄHKÖTEKNIIKAN KOULUTUSOHJELMA KANDIDAATINTYÖ Tuukka Junnikkala SÄHKÖTEKNIIKAN KOULUTUSOHJELMA 2015 KANDIDAATINTYÖ Tuukka Junnikkala Ohjaajat: Kari Määttä, Antti Mäntyniemi SÄHKÖTEKNIIKAN KOULUTUSOHJELMA 2015 Junnikkala T. (2015) Kandidaatintyö.

Lisätiedot

1 a) Eristeiden, puolijohteiden ja metallien tyypilliset energiakaistarakenteet.

1 a) Eristeiden, puolijohteiden ja metallien tyypilliset energiakaistarakenteet. a) ristid, puolijohtid ja talli tyypillist rgiakaistaraktt. i) NRGIAKAISTAT: (lktroi sallitut rgiatilat) Kaksiatoi systi: pottiaalirgia atoi väliatka fuktioa pot rpulsiivi kopotti -lktroit hylkivät toisiaa

Lisätiedot

Sähköopin kolme perussuuretta

Sähköopin kolme perussuuretta Sähköopin kolme perussuuretta Suure Tunnus Yksikkö Yksikön lyhenne Jännite U Voltti V Sähkövirta I Ampeeri A Resistanssi R Ohmi Ω Jännite on kahden pisteen välinen sähköinen potentiaaliero. Jännite saa

Lisätiedot

Nimi: Ratkaise tehtävät sivun alalaitaan. (paperi nro 1) 1. Valitse oikea toisen asteen yhtälön ratkaisukaava: (a) b ± b 4ac 2a. (b) b ± b 2 4ac 2a

Nimi: Ratkaise tehtävät sivun alalaitaan. (paperi nro 1) 1. Valitse oikea toisen asteen yhtälön ratkaisukaava: (a) b ± b 4ac 2a. (b) b ± b 2 4ac 2a paperi nro 0 a b ± b 2 4ac b b ± b 2 + 4ac c b ± b 4ac d b ± b 2 4ac 2. Ratkaise toisen asteen yhtälö x 2 + 7x 12 = 0. 3. Ratkaise epäyhtälö 3x 2 30x > 0 4. Ratkaise epäyhtälö 5x 2 + 5 < 0 paperi nro 1

Lisätiedot

Elektroniikan alkeita lyhyt versio

Elektroniikan alkeita lyhyt versio Elektroniikan alkeita lyhyt versio Elektroniikka Elektroniikka on oppia elektronien liikkeestä. Kaikki olemassa oleva aine muodostuu atomeista. Atomi puolestaan muodostuu ytimestä, jossa on positiivisesti

Lisätiedot

Multivibraattorit. Bistabiili multivibraattori:

Multivibraattorit. Bistabiili multivibraattori: Multivibraattorit Elektroniikan piiri jota käytetään erilaisissa kahden tason systeemeissä kuten oskillaattorit, ajastimet tai kiikkut. Multivibraattorissa on vahvistava elementtti ja ristiinkytketyt rvastukset

Lisätiedot