S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

Samankaltaiset tiedostot
S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

ELEC C4210 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Kimmo Silvonen

ELEC C4210 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Kimmo Silvonen

ELEC C4210 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

C 2. + U in C 1. (3 pistettä) ja jännite U C (t), kun kytkin suljetaan ajanhetkellä t = 0 (4 pistettä). Komponenttiarvot ovat

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

SATE2010 Dynaaminen kenttäteoria syksy /6 Laskuharjoitus 6 / Siirtojohdot ja transientit häviöttömissä siirtojohdoissa

ELEC-C4210 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Kimmo Silvonen

S Piirianalyysi 1 2. välikoe

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

Lineaarialgebra MATH.1040 / Piirianalyysiä 2

Tehtävä 1. a) sähkövirta = varausta per sekunti, I = dq dt = 1, A = 1, C s protonin varaus on 1, C

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S /142 Piirianalyysi 2 2. Välikoe

SMG-2100: SÄHKÖTEKNIIKKA

521384A RADIOTEKNIIKAN PERUSTEET Harjoitus 3

l s, c p T = l v = l l s c p. Z L + Z 0

Mittalaitetekniikka. NYMTES13 Vaihtosähköpiirit Jussi Hurri syksy 2014

Analogiapiirit III. Keskiviikko , klo , TS127. Jatkuva-aikaiset IC-suodattimet ja PLL-rakenteet

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

ELEC C4140 Kenttäteoria (syksy 2016)

Harjoitus 1. Tehtävä 1. Malliratkaisut. f(t) = e (t α) cos(ω 0 t + β) L[f(t)] = f(t)e st dt = e st t+α cos(ω 0 t + β)dt.

R = Ω. Jännite R:n yli suhteessa sisäänmenojännitteeseen on tällöin jännitteenjako = 1

SMG-2100: SÄHKÖTEKNIIKKA

RATKAISUT: 22. Vaihtovirtapiiri ja resonanssi

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

Sähkötekniikka ja elektroniikka

SMG-2100: SÄHKÖTEKNIIKKA

SMG-1100: PIIRIANALYYSI I

S Piirianalyysi 2 Tentti

Analogiapiirit III. Keskiviikko , klo , TS128. Operaatiovahvistinrakenteet

Analogiapiirit III. Keskiviikko , klo , TS128. Operaatiovahvistinrakenteet

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

SATE1040 Piirianalyysi IB kevät /6 Laskuharjoitus 5: Symmetrinen 3-vaihejärjestelmä

Sinin muotoinen signaali

SIGNAALITEORIAN KERTAUSTA 1

SÄHKÖENERGIATEKNIIIKKA. Harjoitus - luento 7. Tehtävä 1

ELEC-C6001 Sähköenergiatekniikka, laskuharjoitukset oppikirjan lukuun 10 liittyen.

( ) ( ) ( ) ( ) SMG-1100 Piirianalyysi I, kesäkurssi, harjoitus 1(3) Tehtävien ratkaisuehdotukset

S Piirianalyysi 2 Tentti

Erään piirikomponentin napajännite on nolla, eikä sen läpi kulje virtaa ajanhetkellä 0 jännitteen ja virran arvot ovat. 500t.

1. Tasavirtapiirit ja Kirchhoffin lait

Kun järjestelmää kuvataan operaattorilla T, sisäänmenoa muuttujalla u ja ulostuloa muuttujalla y, voidaan kirjoittaa. y T u.

Mat / Mat Matematiikan peruskurssi C3-I / KP3-I Harjoitus 5 / vko 42, loppuviikko, syksy 2008

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T700504

Lineaarialgebra MATH.1040 / Piirianalyysiä

Kuva 1: Vaihtovirtapiiri, jossa on sarjaan kytkettynä resistanssi, kapasitanssi ja induktanssi

DEE Sähkötekniikan perusteet

DEE-11110: SÄHKÖTEKNIIKAN PERUSTEET. Kirchhoffin lait Aktiiviset piirikomponentit Resistiiviset tasasähköpiirit

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

Aineopintojen laboratoriotyöt I. Ominaiskäyrät

14.1 Tasavirtapiirit ja Kirchhoffin lait R 1. I 1 I 3 liitos + - R 2. silmukka. Kuva 14.1: Liitoksen, haaran ja silmukan määrittely virtapiirissä.

S Piirianalyysi 2 Tentti

Vcc. Vee. Von. Vip. Vop. Vin

Sähkötekniikka ja elektroniikka

S Piirianalyysi 2 1. Välikoe

FYSP1082/3 Vaihtovirtakomponentit

DEE Sähkötekniikan perusteet

Integrointi ja sovellukset

SÄHKÖENERGIATEKNIIIKKA. Harjoitus - luento 6. Tehtävä 1.

BM30A0240, Fysiikka L osa 4

Magneettinen energia

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

y (0) = 0 y h (x) = C 1 e 2x +C 2 e x e10x e 3 e8x dx + e x 1 3 e9x dx = e 2x 1 3 e8x 1 8 = 1 24 e10x 1 27 e10x = e 10x e10x

SMG-5250 Sähkömagneettinen yhteensopivuus (EMC) Jari Kangas Tampereen teknillinen yliopisto Elektroniikan laitos

Signaalit ja järjestelmät aika- ja taajuusalueissa

Differentiaali- ja integraalilaskenta 1 Ratkaisut 5. viikolle /

SMG-2100: SÄHKÖTEKNIIKKA. Kirchhoffin lait Aktiiviset piirikomponentit Resistiiviset tasasähköpiirit

Sähkötekniikka ja elektroniikka

Johdatus vaihtosähköön, sinimuotoiset suureet. DEE Piirianalyysi Risto Mikkonen

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

A B = 100, A = B = 0. D = 1.2. Ce (1.2 D. C (t D) 0, t < 0. t D. )} = Ae πjf D F{Π( t D )} = ADe πjf D sinc(df)

DEE Sähkötekniikan perusteet

Projekti 5 Systeemifunktiot ja kaksiportit. Kukin ryhmistä tarkastelee piiriä eri taajuuksilla. Ryhmäni taajuus on

Sähkötekniikka ja elektroniikka

Sähkövirran määrittelylausekkeesta

SMG-1100: PIIRIANALYYSI I. Verkkojen taajuusriippuvuus: suo(dat)timet

S Piirianalyysi 2 2. välikoe

Transkriptio:

S-55.1100 SÄHKÖTKNIIKKA A KTONIIKKA Tentti 0.1.006: tehtävät 1,3,4,6,8 1. välikoe: tehtävät 1,,3,4,5. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,10 Saat vastata vain neljään tehtävään/koe; ne sinun pitää itse valita! Kimmo Silvonen 1. aske jännite U. =1Ω, = =3Ω, =A, 1 =10V, =4V. U 1. Kytkin suljetaan hetkellä t =0. ännite u(t) kasvaa äärellisellä nopeudella ajan funktiona. Pulssin nousuaika määritellään niiden pisteiden aikaerona, joissa jännite on saavuttanut 10 % ja 90 % maksimiarvostaan. aske nousuaika sekunteina. Malliratkaisusta tulet myöhemmin näkemään, että vastaus on 0,35/kaistanleveys. = 1000 Ω, =1mF, U 0 =0, =10V. t =0 u 3. aske virta I. 1 =60 0 V, =80 0 V, = =40Ω, =H, ω =01/s. I 1 1 I 4. aske kompleksiset tehot S 1 = S = P 1 jq 1 ja S = S = P jq. = 100 90 V, I = 0 A, I = 0 10j A, (ω =rad/s, =Ω, =H, =0,1F). I I S 1 S I I 5. ännitelähde lähettää johdolle erittäin lyhyen pulssin (korkeus =10V). aske kohdassa u näkyvän järjestyksessä toisen jännitepulssin korkeus. S =60Ω, Z 1 =90Ω, Z =30Ω, =60Ω, t 1 = 10 µs, t = 100 µs. t 1 t S e u 1 Z 1 u Z u 3 Vastaa vain neljään tehtävään. Välikoeuusinnat ja tentit tarkastaa Kimmo. Käännä

6. aske jännite U impedanssin Z funktiona. Huomaa, että U = I ; joudut vain eliminoimaan virrat I 1 ja I yhtälöistä pois. =1A, =1Ω. U 0 Z I 1 Z I 1 0 I 7. Piirissä on lähdejännite, jossa pieni sinisignaali ratsastaa suuremman tasajännitteen päällä: e IN (t) =(40,sin ωt) V. U D 0,7 V. aske dynaamisen resistanssin r d avulla vastuksen jännite u OUT (t). Aaltomuodon vähäistä muuttumista ei oteta huomioon. = 5600 Ω, I D =0,589 ma, nu T =50mV. e IN (t) u OUT (t) i D (t) 8. aske tasajännite U. =3,7kΩ, =1,kΩ, =0,356 kω, β = 100, U B =0,7V, =5V. Tehtävä 9: V U 5V,5 V 4 9. Kuvan piiristä tunnetaan kolme tasajännitettä. Tutki, toimiiko FT saturaatio- vai triodialueella. aske sen jälkeen virta I D. = =1MΩ, K =ma/v, U t =V. 10. Kelalle pätee käämivuon säilymislaki i = U t, missä jännite U saa vuorotellen jaksollisesti arvon U 1 tai U. Kondensaattorille pätee varauksen säilymislaki u = Q, missä varaus Q on vaaka-akselin yläpuolella olevan kolmion pinta-ala: Q = 1 i T. aske hakkuriteholähteen (step-down) rippelijännite u. U 1 =10V, U = 5 V, =10µF, =1mH, T =4µs. i i T Q t ON i t t 0...t ON : U 1 i i >0 t = t ON i u t ON...T : U i i <0 t = T t ON i u u u t Vastaa neljään tehtävään. atkaisut ilmoitustaululla ja netissä. Seuraava tentti tammikuussa. Hauskaa oulua!

S-55.1100 SÄHKÖTKNIIKKA A KTONIIKKA Tentti 0.1.006: tehtävät 1,3,4,6,8 1. välikoe: tehtävät 1,,3,4,5. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,10 Saat vastata vain neljään tehtävään/koe; ne sinun pitää itse valita! Kimmo Silvonen 1. aske jännite U. =1Ω, = =3Ω, =A, 1 =10V, =4V. U I 1 1 I 1 1 1 I 1 (I 1 ) =0 I 1 = 1 =A (1) U = (I 1 ) = 1 V (). Kytkin suljetaan hetkellä t =0. ännite u(t) kasvaa äärellisellä nopeudella ajan funktiona. Pulssin nousuaika määritellään niiden pisteiden aikaerona, joissa jännite on saavuttanut 10 % ja 90 % maksimiarvostaan. aske nousuaika sekunteina. Mm. juuri ilmestyneen Prosessori-lehden mukaan vastaus on 0,35/kaistanleveys. = 1000 Ω, =1mF, U 0 =0, =10V. t =0 i u i u =0 (3) du dt u =0 u = B A et/τ (4) (0 A ) τ et/τ ( B A e ) t/τ =0 (5) }{{} B }{{} A A τ e t/τ = A τ et/τ (6) u(t) = A e t (7) u(0) = A e 0 = U0 A =0 A = (8) u(t) = ( ) 1 e t u(t) = ( ) 1 e t (9) ( e t u(t) =1 t = ln 1 u(t) ) (10) t = t 90% t 10% = ln (1 0,9) ln (1 0,1) (11) t = (ln 0,9 ln 0,1) = ln9=,197 s (1) Vastaus yllä! os olisi sinimuotoinen lähde, voitaisiin laskea kompleksinen siirtofunktio 1 U = jω 1 1 = jω 1 U 1 = (13) (ω) 1 jω auseke saa arvon 1, kun ω = 1 eli f = 1 (puolen tehon ylärajataajuus). Koska alarajataajuus on nolla, sanaa kaistanleveys käytetään tässä ylärajataajuuden synonyyminä; näin tehdään π usein silloin, kun alarajataajuus on paljon pienempi kuin ylärajataajuus. Siispä: t = ln 9 = ln 9 πf = 0,35 (14) f

3. aske virta I. 1 =60 0 V, =80 0 V, = =40Ω, =H, ω =01/s. I 1 1 I 1 I 1 (I 1 I )=0 I 1 = 1 I jωi (I 1 I )=0 (jω )I 1 I =0 (15) 80 (j40 40)I 40 60 40I =0 4040 (16) 80 30 I = j40 40 0 = 5 5( j4) = j4 164 =0,5j1,0 =1,1 63,4 A (17) 4. aske kompleksiset tehot S 1 = S = P 1 jq 1 ja S = S = P jq. = 100 90 V, I = 0 A, I = 0 10j A, (ω =rad/s, =Ω, =H, =0,1F). I I S 1 S I I S 1 = U 1 I = (I I ) = 100j(j10) = 1000 VA (18) S = U I = I = 100j(0 j10) = 1000 j000 VA (19) 5. ännitelähde lähettää johdolle erittäin lyhyen pulssin (korkeus =10V). aske kohdassa u näkyvän järjestyksessä toisen jännitepulssin korkeus. S =60Ω, Z 1 =90Ω, Z =30Ω, =60Ω, t 1 = 10 µs, t = 100 µs. t 1 t S e ρ 1 u 1 (0) Z 1 τ a ρ τ b u ρ Z ρ 3 u 3 Kun pulssi saavuttaa ensimmäisen kerran kohdan u, osa siitä heijastuu vasemmalle kertoimella ρ = Z Z 1 Z Z 1 ja osa jatkaa oikealle kertoimella τ a. Heijastunut ja läpäissyt pulssi heijastuvat uudestaan johtojen päistä. os jännitelähde on ideaalinen, on alkupään heijastuskerroin ρ 1 = SZ 1 S Z 1. Tätä tietoa ei kuitenkaan tarvita, koska oikealta kertoimella ρ 3 heijastuva pulssi saavuttaa tarkastelukohdan aikaisemmin, ja juuri tätä heijastunutta pulssia kysyttiin. Oikealta kohtaan u saapuva pulssi heijastuu tästä takaisin oikealle kertoimella ρ = ρ. dellä mainittu pulssi jatkaa myös vasemmalle johdolle kertoimella τ b =1ρ. Kohdassa u näkyy vasemmalle katsottaessa tämä vasemmalle jatkava pulssi ja oikealle katsottaessa tulevan ja heijastuneen pulssin summa. ajapinnan vasemmalla ja oikealla puolella vaikuttaa yhtä korkea jännite. oka tapauksessa siis kerroin τ b tai (1 ρ ) on otettava myös huomioon. ohdolle lähtevä pulssi u 1 (0) lasketaan jännitteenjakajan kaavalla: u ( t 1 t )=u 1 (0) τ a ρ 3 τ b (0) Z 1 Z Z Z 1 = e =1,5 V S Z }{{ 1 Z } Z }{{ 1 } Z Z }{{} 1 Z }{{ } (1) u 1 (0)=6 τ a = 1 ρ 3 = 1 3 τ b = 3

6. aske jännite U impedanssin Z 1 = Z = Z funktiona. Huomaa, että U = I ; joudut vain eliminoimaan virrat I 1 ja I yhtälöistä pois. =1A, = = =1Ω. U Z 1 0 I 1 Z I 1 0 I 0Z I 1 =0 I 1 = Z () ZI 1 I 0=0 I = Z I 1 = Z Z (3) U 00I =0 U = I = Z Z = V Z (4) Ω Huomaa, että virtalähteestä katsottuna piiri näyttää impedanssilta Z a (vrt. Antonioun piiri, GI, kirjan s. 436). Z a = U = Z 1 Z (5) os Z 1 ja Z ovat kondensaattoreita, on tuloksena negatiivinen taajuudesta voimakkaasti riippuva ( ) 1 ω resistanssi (FDN, frequency dependent negative resistor). os suodattimen kaikki impedanssit jaetaan s:llä (s =jω), muuttuvat kelat vastuksiksi, vastukset kondensaattoreiksi, ja kondensaattorit FDN:ksi. Idea tehtävään tuli DN urope -lehden numerosta 11/006, s. 81-8, jossa kuvan piiri oli osana erästä suodatinta. 7. Piirissä on lähdejännite, jossa pieni sinisignaali ratsastaa suuremman tasajännitteen päällä: e IN (t) = (40,sin ωt) V. U D 0,7 V. aske dynaamisen resistanssin r d avulla vastuksen jännite u OUT (t). Aaltomuodon vähäistä muuttumista ei oteta huomioon. = 5600 Ω, I D = 0,589 ma, nu T =50mV. e IN (t) u OUT (t) i D (t) r d = nu T I D =84,8 Ω (6) u out = 0, sin ωt r d (7) u OUT (t) =U D u ac =( U D )u out =(3,30,197 sin ωt) V (8)

8. aske tasajännite U. =3,7 kω, =1, kω, =0,356 kω, β = 100, U B =0,7 V, =5V. U U U B (β 1)I B =0 I B = U U B (β 1) (9) U ( I }{{} 1 U I B ) =0 (30) U U U U B (β 1) =0 (31) U B U = (β1) 1 =3,7 V (I B =83,4 µa) (3) (β1) :n virta (1 ma) on sama kuin toisen välikokeen vasemman transistorin kollektorivirta. Korvasin siis toisen trankun vastuksella, jotta tehtävä olisi vähemmän työläs. 9. Kuvan piiristä tunnetaan kolme tasajännitettä. Tutki, toimiiko FT saturaatio- vai triodialueella. aske sen jälkeen virta I D. = =1MΩ, K =ma/v, U t =V. 5V V 4,5 V V S =V (33) V D =,5 V U DS = V D V S =0,5 V (34) V G =5V U GS = V G V S =3V U t OK (35) U DS <U GS U t TI (36) I D = K[(U GS U t )U DS UDS] =1,5 ma (37) Koska =,on =10V. = 7,5 V I D =5kΩ, 4 = V I D = 4 3 kω.

10. Kelalle pätee käämivuon säilymislaki i = U t, missä jännite U saa vuorotellen jaksollisesti arvon U 1 tai U. Kondensaattorille pätee varauksen säilymislaki u = Q, missä varaus Q on vaaka-akselin yläpuolella olevan kolmion pinta-ala: Q = 1 i T. aske hakkuriteholähteen (step-down) rippelijännite u. U 1 =10V, U = 5 V, =10µF, =1mH, T =4µs. i i T Q t ON u i t t u t 0...t ON : U 1 i i >0 t = t ON i u t ON...T : U i i <0 t = T t ON i = U 1 t ON = U (T t ON ) t ON = U T =8µs U 1 U (38) i = U 1 t ON i = U 1t ON =80mA (39) u = 1 i T (40) u = it 8 = U 1t ON T 8 =4mV (41) Tämä tulos pätee vain jatkuvassa toiminnassa (vrt. kirja). On hieman säälittävää, että johtavissakin tehoelektroniikan oppikirjoissa (esim. Mohan, Undeland, obbins) hakkuriteholähteiden rippelijännitteet on esitetty vain harvoissa erikoistapauksissa, mutta ei edes tavallisimpien rakenteiden kaikissa toimintamuodoissa. Ohessa kytkentäkaavio kokonaisena. Kuormavirta on yksinkertaisuuden vuoksi oletettu vakioksi, kuten yleensäkin. ännite U = U OUT oletetaan myös vakioksi, kun tarkastellaan kelan jännitettä (rippeli on pientä). 15 V i i i = vakio i 5V I OUT i u