S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

Samankaltaiset tiedostot
S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

ELEC C4210 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Kimmo Silvonen

ELEC C4210 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

ELEC C4210 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Kimmo Silvonen

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu

Jakso 15. Vaihtovirrat. Sarja- ja lineaaripiirit. Maxwellin yhtälöt

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

R = Ω. Jännite R:n yli suhteessa sisäänmenojännitteeseen on tällöin jännitteenjako = 1

C 2. + U in C 1. (3 pistettä) ja jännite U C (t), kun kytkin suljetaan ajanhetkellä t = 0 (4 pistettä). Komponenttiarvot ovat

Analogiapiirit III. Keskiviikko , klo , TS127. Jatkuva-aikaiset IC-suodattimet ja PLL-rakenteet

Sähkötekniikka ja elektroniikka

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

Jakso 10. Tasavirrat. Tasaantumisilmiöt. Vaihtovirrat. Sarja- ja lineaaripiirit. Maxwellin yhtälöt. (Kuuluu kurssiin Sähkömagnetismi, LuTK)

Vcc. Vee. Von. Vip. Vop. Vin

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T700504

FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe (Vastaa kaikkiin viiteen tehtävään)

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

Capacity Utilization

Sähkötekniikka ja elektroniikka

S SÄHKÖTEKNIIKKA

Energian säilymislain perusteella elektronin rekyylienergia on fotnien energioiden erotus: (1)

Lineaarialgebra MATH.1040 / Piirianalyysiä 2

Harjoitus 1. Tehtävä 1. Malliratkaisut. f(t) = e (t α) cos(ω 0 t + β) L[f(t)] = f(t)e st dt = e st t+α cos(ω 0 t + β)dt.

Analogiapiirit III. Keskiviikko , klo , TS128. Operaatiovahvistinrakenteet

OPERAATIOVAHVISTIMET 2. Operaatiovahvistimen ominaisuuksia

Sähkötekniikka ja elektroniikka

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T320003

The CCR Model and Production Correspondence

Moduloivat toimimoottorit AME 10, AME 20, AME 30 AME 13, AME 23, AME 33 - jousipalautteinen

1 db Compression point

1. a) Piiri sisältää vain resistiivisiä komponentteja, joten jännitteenjaon tulos on riippumaton taajuudesta.

Differentiaaliyhtälöt, Syksy 2015 Harjoitus 2, Ratkaisut Ratkaise separoituvat differentiaaliyhtälöt. a) y = y

The Viking Battle - Part Version: Finnish

a) I f I d Eri kohinavirtakomponentit vahvistimen otossa (esim.

Analogiapiirit III. Keskiviikko , klo , TS128. Operaatiovahvistinrakenteet

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

Aineopintojen laboratoriotyöt I. Ominaiskäyrät

Radioamatöörikurssi 2017

Taitaja2008, Elektroniikkalajin semifinaali

1. Tasavirtapiirit ja Kirchhoffin lait

On instrument costs in decentralized macroeconomic decision making (Helsingin Kauppakorkeakoulun julkaisuja ; D-31)

Kaikki kytkennät tehdään kytkentäalustalle (bimboard) ellei muuta mainita.

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

SMG-2100: SÄHKÖTEKNIIKKA

Taitaja2005/Elektroniikka. 1) Resistanssien sarjakytkentä kuormittaa a) enemmän b) vähemmän c) yhtä paljon sähkölähdettä kuin niiden rinnankytkentä

FYSE301(Elektroniikka(1(A3osa,(kevät(2013(

4. kierros. 1. Lähipäivä

Tee konseptiin pisteytysruudukko! Muista kirjata nimesi ja ryhmäsi. Lue ohjeet huolellisesti

Sähkötekniikka ja elektroniikka

Efficiency change over time

Radioamatöörikurssi 2015

Taitaja2004/Elektroniikka Semifinaali

Arduino. Kimmo Silvonen (X)

d) Jos edellä oleva pari vie 10 V:n signaalia 12 bitin siirtojärjestelmässä, niin aiheutuuko edellä olevissa tapauksissa virheitä?

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

VIM RM1 VAL / SKC VIBRATION MONITOR RMS-MITTAUSJÄRJESTELMÄLLE KÄSIKIRJA. VIM-RM1 FI.docx / BL 1(5)

S Piirianalyysi 2 2. välikoe

20 Kollektorivirta kun V 1 = 15V Transistorin virtavahvistus Transistorin ominaiskayrasto Toimintasuora ja -piste 10

Ensimmäisen kertaluvun differentiaaliyhtälö on lineaarinen, jos se voidaan kirjoittaa muotoon. + p(x)y = r(x) (28)

Rahoitusriskit ja johdannaiset Matti Estola Luento 5. Termiinihinnan määräytyminen

Automaation elektroniikka T103403, 3 op AUT2sn. Pekka Rantala syksy Opinto-opas 2012

Harjoitus Etsi seuraavien autonomisten yhtälöiden kriittiset pisteet ja tutki niiden stabiliteettia:

Operatioanalyysi 2011, Harjoitus 4, viikko 40

Théveninin teoreema. Vesa Linja-aho (versio 1.0) R 1 + R 2

RADIOTEKNIIKKA 1 HARJOITUSTYÖ S-2009 (VERSIO2)

LYTH-CONS CONSISTENCY TRANSMITTER

Operaatiovahvistimen vahvistus voidaan säätää halutun suuruiseksi käyttämällä takaisinkytkentävastusta.

ELEC-C4210 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Kimmo Silvonen

e n 4πε S Fysiikka III (Est) 2 VK

S Sähkön jakelu ja markkinat S Electricity Distribution and Markets

12. Stabiilisuus. Olkoon takaisinkytketyn vahvistimen vahvistus A F (s) :

OPERAATIOVAHVISTIN. Oulun seudun ammattikorkeakoulu Tekniikan yksikkö. Elektroniikan laboratoriotyö. Työryhmä Selostuksen kirjoitti

1 Kohina. 2 Kohinalähteet. 2.1 Raekohina. 2.2 Terminen kohina

Transkriptio:

S-55.1100 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTONIIKKA. väliko 13.1.005. Saat vastata vain nljään thtävään! Kimmo Silvonn 1. Kuvan kaksiportin -paramtrit tunntaan, samoin kuormavastus ja lähtöjännit U. Lask jännit. Ω, U 4V, 11 10Ω, 0Ω, 1 1 10Ω. + I 1 I U. Kuvassa on Winin silta -oskillaattori yksinkrtaistttuna. Mrkitsmällä C-piirjä Z:lla, voidaan analyysi thdä plkillä raaliluvuilla. Lask lähtöjännit u O impdanssin ja Z B funktiona. 1, 1 1Ω, 1V. + Z B 1 u 1 u O 3. Jos diodia syöttään vakiovirralla, muuttuu sn jännithäviö lämpötilan funktiona suraavasti: U(T ) U(T 0 ) n [U(T 0 ) 1, V]+n [U(T 0 ) 1, V] T/T 0 missä U(T 0 ) on diodin jännit lämpötilassa T 0. Muutos johtuu rityissti saturaatiovirran I S lämpötilariippuvuudsta, vaikka U T :n lämpötilariippuvuus vaikuttaakin vastakkaisn suuntaan. Kuinka moninkrtaisksi I S kasvaa, kun lämpötila nous T 0 T 0 +10K? T 0 90 K, n, U(T 0 )0,6V. vakio U(T ) 4. Lask ohisn vahvistimn jännitvahvistus A u / signaalitaajuudlla. Transistorill käyttään kuvan sijaiskytkntää. Kondnsaattorit ja tasajännitlähtt olttaan oikosuluiksi. toimii signaalilähtnä ja lähtöjännittnä. Pint kirjaimt ja pint alaindksit korostavat sitä, ttä tasavirtakomponnttia i otta laskuihin mukaan. r π,5kω, β 17, B 100 kω, C 5kΩ, E 1kΩ. B C r π β E 5. Jos laskt tämän thtävän, jätä yksi thtävistä 1-4 pois! Koska ohisn ftin U GS U DS, toimii s ilman muuta saturaatio- li vakiovirta-alulla. Lask virta I D. 1 1kΩ, 10 kω, E 10V, U t V, K 0,5mA/V. I D 1 E Tämänkin välikokn voi uusia tai suorittaa ma 9.1.006. Kothtävin ratkaisut ovat ilmoitustaululla. Kurssin palautjärjstlmä on avattu, käy osoittssa http://palaut..hut.f i, autat khittämään kurssia ja saat yhdn lisäpistn!

S-55.1100 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTONIIKKA. mid-trm xam 13.1.005. Plas, answr only four problms! Kimmo Silvonn 1. Th -paramtrs of th two-port shown, as wll as, load rsistor and output voltag U ar known. Find voltag. Ω, U 4V, 11 10Ω, 0Ω, 1 1 10Ω. + I 1 I U. A simplifid Win bridg oscillator is dpictd. By rplacing C-circuits by Z, th analysis can b don by using solly ral numbrs. Find output voltag u O as a function of impdancs and Z B. 1, 1 1Ω, 1V. + Z B 1 u 1 u O 3. If a constant currnt is supplid through a diod its voltag drop changs as a function of tmpratur, as follows: U(T ) U(T 0 ) n [U(T 0 ) 1, V]+n [U(T 0 ) 1, V] T/T 0 whr U(T 0 ) is th diod voltag at tmpratur T 0. Th chang is causd by th tmpratur dpndnc of saturation currnt I S, although th chang in U T partly compnsats th voltag drop chang. How much will I S incras if tmpratur riss from T 0 T 0 +10K? T 0 90 K, n, U(T 0 )0,6V. constant U(T ) 4. Find signal voltag gain A u / of th amplifir. An quivalnt circuit of th transistor is shown. Larg capacitors and d.c. voltagourcs ar assumd short circuits. is a signal sourc, and is considrd th output voltag. Lowr cas lttrs and subscripts mphasi th fact that d.c. voltags and currnts ar compltly nglctd. r π,5kω, β 17, B 100 kω, C 5kΩ, E 1kΩ. B C r π β E 5. If you dcid to answr this on, plas, dlt on of th prvious problms! Bcaus U GS U DS, th ft oprats surly on thaturation (constant currnt) rgion. Find currnt I D. 1 1kΩ, 10kΩ, E 10V, U t V, K 0,5mA/V. I D 1 E This mid-trm xam can b rnwd on Mo 9.1.006. Th rsults ar on th information board. You will gt on xtra point by giving fdback at http://palaut..hut.f i (if you havn t don it, yt)! It will also hlp us nhanc th cours.

S-55.1100 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTONIIKKA. väliko 13.1.005. Saat vastata vain nljään thtävään! Kimmo Silvonn 1. Kuvan kaksiportin -paramtrit tunntaan, samoin kuormavastus ja lähtöjännit U. Lask jännit. Ω, U 4V, 11 10Ω, 0Ω, 1 1 10Ω. 11 1 1 + I 1 I 0 10 U E 6 1 1 siprookkisssa piirissä 1 1. Tällöin oikalla olva sijaiskytkntä on mahdollinn (huomaa, ttä -lohkon sisäinn kytkntä voi olla paljon monimutkaismpi, mutta silti s voidaan määritllä nljän (tässä kolmn) -paramtrin avulla. Tässä thtävässä sijaiskytkntää i kuitnkaan tarvita. I U 0,5 A (1) { U1 11 I 1 + 1 I () U 1 I 1 + I 11 I 1 1 U U 1 I 1 U I 1 1+ 1 U 4,4 A 11 1+ U 1 1 U 4V (4). Kuvassa on Winin silta -oskillaattori yksinkrtaistttuna. Mrkitsmällä C-piirjä Z:lla, voidaan analyysi thdä plkillä raaliluvuilla. Lask lähtöjännit u O impdanssin ja Z B funktiona. 1, 1 1Ω, 1V. v + Z i A A + Z B v i 1 1 u 1 u O v + v u 1 (5) i 1 u 1 u 1 u 1 1 1+ 1 A (6) i A u 1 u 1 (7) Z B u 1 + u 1 (8) Z B Z B Z A 1 A + 1 AZ B 1 3 Z B Z B Z B (9) Yllä vastaus, sittn vähän lisätitoa; Winin sillassa C-piirit ovat suraavat: (3) 1 + 1 Z B + 1 +1 +1 (s jω) (10) (11)

Z B ( +1) 3 j ( ωc 1 ωc j ( ωc 1 ωc + 1 + (1) ) + ) (13) Kulmataajuudlla ω 1 mn nimittäjä äärttömäksi; piiri on pästabiili ja alkaa värähdllä tällä taajuudlla jännittn arvosta riippumatta (oskillaattorissa i ol input-jännitttä, C 0). Värähtly on sinimuotoista, jos vahvistus A on tismalln oika (Sähkötkniikka ja lktroniikka, s. 187). Vahvistus A astllaan vastustn 1 ja muodostamalla ngatiivislla takaisinkytknnällä, C-piirit ja Z B muodostavat värähtlyyn tarvittavan positiivisn takaisinkytknnän. Kirjan kuvassa 58 (s. 401) tämä vastaa tilanntta 1+AB 0li A 3ja B 1 (tässä tilantssa kysinn lohkokaavio toimii, vaikka B<0). Äärttömän vahvistuksn priaat on ylispätvä siniaalto-oskillattorin 3 analyysimntlmä. 3. Jos diodia syöttään vakiovirralla, muuttuu sn jännithäviö lämpötilan funktiona suraavasti: U(T ) U(T 0 ) n [U(T 0 ) 1, V]+n [U(T 0 ) 1, V] T/T 0 missä U(T 0 ) on diodin jännit lämpötilassa T 0. Muutos johtuu rityissti saturaatiovirran I S lämpötilariippuvuudsta, vaikka U T :n lämpötilariippuvuus vaikuttaakin vastakkaisn suuntaan. Kuinka moninkrtaisksi I S kasvaa, kun lämpötila nous T 0 T 0 +10K? T 0 90 K, n, U(T 0 )0,6V. vakio U(T ) U(90) 0,6 [0,6 1,] + [0,6 1,] T 0 /T 0 0,6 V (titysti) (14) U(300) 0,6 [0,6 1,] + [0,6 1,] 300/90 0,5586 V (15) I I S0 U(90) nu T 0 U T 0 kt 0 q 4,990 mv (16) I I S U(300) nu T U T kt 5,85 mv q (17) I S U(300) nu T I S0 U(90) nu T 0 (18) I S U(90) nu T 0 3,3 (19) I S0 U(300) nu T 4. Lask ohisn vahvistimn jännitvahvistus A u / signaalitaajuudlla. Transistorill käyttään kuvan sijaiskytkntää. Kondnsaattorit ja tasajännitlähtt olttaan oikosuluiksi. toimii signaalilähtnä ja lähtöjännittnä. Pint kirjaimt ja pint alaindksit korostavat sitä, ttä tasavirtakomponnttia i otta laskuihin mukaan. r π,5kω, β 17, B 100 kω, C 5kΩ, E 1kΩ. Laskuharjoitusthtävä: A u 4,90 r π β B E C

5. Jos laskt tämän thtävän, jätä yksi thtävistä 1-4 pois! Koska ohisn ftin U GS U DS, toimii s ilman muuta saturaatio- li vakiovirta-alulla. Lask virta I D. 1 1kΩ, 10 kω, E 10V, U t V, K 0,5 ma/v. 0 I D 1 U DS E Mrkitään: U GS U DS x U GS U DS I }{{} G U GS U DS (0) 0 I D K(U GS U t ) (U DS >U GS U t ) (1) U DS 1 (I D + I G )+E 0 () I D E U DS 1 K(U GS U t ) (3) 10 x 1 K (x) (4) 0 x x 4x +4 (5) x x 160 x 1± 1+16 (6) { 5,1 V >Ut OK U GS (7) 3,1 V <U t EI I D 4,88 ma (8)