Sähkötekniikka ja elektroniikka
|
|
- Amanda Eija Keskinen
- 8 vuotta sitten
- Katselukertoja:
Transkriptio
1 Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X)
2 Bipolaaritransistori BJT Versio Bipolar Junction Transistor, liekkö turhakin keksintö? BJT Nobel 1956 (Bell Labs, nykyisin Alcatel-Lucent) Bell Labs: Where vision and technology meet customers... Aalto ELEC: Where science and technology meet society Mikroelektroniikan lähtölaukaus IC 1959 (2 BJT, Texas Instruments), Nobel 2000 Operaatiovahvistin 1963 (9 BJT, Fairchild Semiconductor) Erilliskomponenttina tai anturina sekä bipolaarisissa mikropiireissä (opva, regulaattori, tietyt logiikkapiirit, ym.) Keskinkertainen integroitavuus, pikemminkin muita etuja Page 2 (28)
3 The Transistor Three: Schockley, Bardeen, Brattain Nobelisteja, Bardeenille toinen fysiikan Nobel 1972 suprajohtavuuden teoriasta Page 3 (28)
4 A Replica of the First Transistor, alinna Base Page 4 (28)
5 Bipolaaritransistori, Applications Signaalin vahvistaminen, esim. hifi-päätevahvistin Analogiset mikropiirit, mm. operaatiovahvistin, regulaattori Nopea kytkin, mm. hakkuriteholähteissä ja lähettimissä Nopeat logiikkapiirit (ECL) Signaalin generointi (oskillaattori) Anturi (lämpötila, valo) Page 5 (28)
6 Transistorityypit, npn vs. pnp Piirrosmerkki, rakenne, toimintaperiaate. Kanta (base), kollektori, emitteri. B C E n p n + βi B i B B C p n p + E Page 6 (28)
7 Transistor Man Selittää hyvin transistorin perustoiminnan, ks. seuraava sivu! "Tämän pikkumiehen elämäntehtävänä on yrittää toteuttaa yhtälöä I C = βi B, mutta ainoa asia, mitä hän voi tehdä, on kääntää säätövastuksen nuppia. Täten hän kykenee siirtymään oikosulusta (saturaatio) katkaistuun virtapiiriin (off-tila) tai mihin tahansa tilaan niiden välille." Kirjaa voi lukea elektronisena versiona, kirjoita Googleen hakusanoiksi: The art of electronics Horowitz Hill Page 7 (28)
8 Transistor Man (h FE = β) Operaatiovahvistinmiehen esikuva Horowitz and Hill, The Art of Electronics Page 8 (28)
9 Toiminta puolijohdetasolla cf. Diode E emittoi elektronit C:lle, joka kerää ne. Vain pieni osa menee B:lle. I C + C n B E p n + n p I B + I E U CB U BE U BE nu I C = I S e T n = 1 I B = 1 β I C Page 9 (28)
10 Virtavahvistus β (ja α) Current Gain Tässä oleellisin: pieni i B säätelee paljon suurempaa i C :tä "virtavahvistus"! i C CCCS i B u CE 0,3 V i βi B B i u BE 0,7 V E i E u BE nu i C = βi B = αi E = I S e T i E = i C + i B = (β + 1)i B i C β = α 100 ( ) 1 α α = β 0,99 (0,95...0,998) β + 1 Page 10 (28)
11 Ominaiskäyrät Characteristic Curves Epäideaalisuus johtuu ominaiskäyristä. i i C SAT LIN B tai i C βi B1 i B1 βi B2 i B2 CUTOFF 0,3 V u CE } {{ } 0,7 V CUTOFF u BE Page 11 (28)
12 Reverse vs. Forward Virtalähteen sisäisen vastuksen r o takia nousevat suorat β R << β = β F k = 1 r o Page 12 (28)
13 Ebers-Moll Equivalent Circuit vrt. dtf.pdf npn: B C I CD α F I ED IED U BC α R I CD E U BE I ED = I ( ) U S BE U e T 1 α F I CD = I ( ) U S BC U e T 1 α R Page 13 (28)
14 Toimintatilat, Operation Modes Sulkutila (E), lineaarinen toiminta, kyllästystila (0,3 V) 0 0 säätö > 0,7 V i B βi B E...0,3 V E Page 14 (28)
15 CUT, AKT or SAT as a function of E BB E BB + R B I B + U BE = 0 ja U CE R C I C + E CC = 0 β = 100 R B I 1 kω B 0,7 V E BB I C βi B R C 47 Ω 5 V U CE E CC C 0,5 V 0 ma β = 0 ma 5 V C/A 0,7 V 0 ma β = 0 ma 5 V A 1,2 V 0,5 ma β = 50 ma 2,65 V A/S 1,7 V 1 ma β = 100 ma 0,3 V S 2,0 V 1,3 ma 100 ma 0,3 V Page 15 (28)
16 Biasointi ja kytkentäkondensaattorit Biasointi eli "esijännittäminen"tarkoittaa tasavirtojen säätämistä niin, että päästään halutulle kohdalle ominaiskäyriä. Tasavirta otetaan jännitelähteestä tai vakiovirtalähteestä. Signaali tuo mukaan ajan funktiona muuttuvan virran. signaali i b C IB i B DC I C signaali i C i c C Page 16 (28)
17 Tasavirta- vs. piensignaalianalyysi Tämä tehtiin jo diodilla tehtävässä 74 I B = virran vakio-osa eli keskiarvo, d.c. i b = virran vaihteleva osa, a.c.-signaali i B = I B + i b = kokonaisvirta, d.c. + a.c. U BE +u be i C I S e nu T = U BE nu I S e T e } {{ } I C u be nu T i C = I C 1 + u be + 1 ( ) 2 ube +... nu T 2! nu } {{ T } 0 Taylorin sarja: d.c. + signaali + särö(t) distortion Tästä syntyy hybridi-π-sijaiskytkentä. Page 17 (28)
18 Kanavatransistori eli FET Field Effect Transistor Mikropiirit ja Mooren laki Mosfet on mikroelektroniikan tärkein pelinappula Kuka kertoisi tästä tiedotusvälineille!? FET-tyypit, rakenne ja toiminta Triodialue vs. saturaatioalue Yhtälöt ja parametrit Jänniteohjattu (elektroninen) kytkin Jännitteellä säädettävä vastus Fet signaalinkäsittelyssä Lisätietoa: Elektroniikka ja puolijohdekomponentit Page 18 (28)
19 Kanavatransistorit FETs avauskanavatransistori, sulkukanavatransistori ja liitoskanavatransistori G CMOS enmos avaus D S epmos avaus dnmos sulku dpmos sulku njfet liitos pjfet liitos G D S B (vain MOSFET) gate drain source body, bulk hila nielu lähde substraatti Page 19 (28)
20 Avauskanavatransistori, ENMOSFET keskitymme tähän tyyppiin N-Channel Enhancement-MOSFET (E-MOSFET) Kerrosvoileipä: metalli piidioksidi d puolijohde (pii, Si) elektroneja inversiokerros p n 32 nm prosessi d = 0,9 nm D + G S n + d n + L = 30 nm p W B n + = vahvasti seostettu n-puolijohde (paljon vapaita elektroneja) MOS = Metal-Oxide-Semiconductor FET = Field-Effect-Transistor MOSFET = IGFET = Insulated-Gate-FET Page 20 (28)
21 Kynnysjännite ja kanavan virta Threshold Voltage Kanava voidaan avata ja sulkea osittain tai kokonaan hilaportin kautta u GS i D i G = 0 u DS > 0 i S ohjausjännite kanava käyttövoima i G = 0 i D = i S Kynnysjännite U t (t = threshold) u GS U t i D 0 u GS U t i D 0 Subthreshold-alue ja heikko inversio: matala jännite, pieni virta Page 21 (28)
22 Toiminta-alueet: Cut, Ohm, Tri, SAT(FET) SAT(BJT) MOSFETin johtavuusparametri K = 2 1 µ W nc OX Conductivity Parameter L I D Ohm Tri Sat (lin) Tri U GS2 U GS1 Cut Cutoff I D = 0, kun U GS U t U DS Ohmic (Triode) u DS << u GS U t : I D K[2(U GS U t )U DS ] Triode u DS u GS U t : I D = K[2(U GS U t )U DS U 2 DS ] Saturation u DS u GS U t : I D = K(U GS U t ) 2 Page 22 (28)
23 Hyvä esimerkki, kattaa DC-analyysin, STE s. 317, EPJK s. 213 Toiminta-alueet: C = Cut, S = Sat, T = Tri. SAT : I D = K(V GG U t ) 2 K = 1 ma/v 2 U t = 2 V R D 2 k I D V DD 10 V GG U GS U DS C/S 2,0 V U t 0 ma 10 V S 3,0 V 1,0 ma 8,0 V > U GS U t S/T 4,0 V 4,0 ma 2,0 V 4,0 2 T(S) 4,2 V 4,84 ma 0,32 V < 4,2 2 T 4,2 V 4,28 ma 1,449 V < 4,2 2 (seur. sivu) Page 23 (28)
24 Triodialueen käsittely (taulukon viimeinen rivi) Jatkoa edelliseltä sivulta. Eri virtayhtälö, koska ollaan TRI-alueella: TRI, OK I D = K [ 2(V GG U t )U DS U 2 ] V DD U DS DS = R D K 2(V } {{ } GG U t ) U } {{ }}{{} DS 2 2,2 x }{{} x 2 U 2 DS = V }{{} DD 10 R D U DS }{{} x 2x 2 9,8x + 10 = 0 x = 2,45 ± 1,001 U DS = x = 1,449 V< U GS U t = 2,2 V Page 24 (28)
25 Mikropiirien kehitys Integrated circuits MOSFET mikroprosessori IC (flip-flop, 2 kpl BJT, hybridi) 1959 Texas Instruments, Jack Kilby (taskulaskin), Nobel 2000 MOSFET 1960 (Bell Labs.) Etninen tausta: M. Atalla s ja D. Kahng k CMOS (= NMOS + PMOS) (RCA) Yleisin mikropiiriteknologia (CPU, GPU, DRAM, SSD, ym.) Intel 1968 ( More-Noise ) Gordon Moore ja Robert Noyce, Fairchild (IC myös 1959) Noycen IC oli monoliitti, menikö Nobel väärälle miehelle? 8 chipin tilaus 1969, vain 2 suunnittelijaa, piti keksiä Mikroprosessori 4004 vuonna 1971 Page 25 (28)
26 Mikropiirit, IC Luokittelu, esim. ULSI = Ultra Large Scale Integration Small, Medium, Large, Very Large, Ultra, Giant,... Gimme bigger words! BFL? Loogisia portteja Fettejä SSI < 10 < 10 2 MSI < 10 2 < 10 3 LSI < 10 3 < 10 4 VLSI < 10 4 < 10 5 ULSI < 10 5 < 10 6 GSI > 10 5 > 10 6 i7-980x Xeon 8-core Page 26 (28)
27 Moore s Law. Alamainen pyytää kuninkaalta riisinjyviä palkkioksi palveluksestaan; hölmö kuningas myöntyy! Olet nyt tässä IC 1959 µp PC 1983 Win 95 iphone -07 Ubuntu 2019? 1 jyvä shakkilaudan 1. ruutuun 2 jyvää 2. ruutuun jyvää 10. ruutuun vadillista jyviä vuonna Biljoona uima-altaallista jyviä 64. ruutuun (2053) Page 27 (28)
28 Ensi kerralla operaatiovahvistin Elektroniikan yleistyökalu Googlaa esim. "Opamps for everyone Texas Instruments (hyvä PDF-kirja). Toinen opas: Tämä viikko on labrojen A-viikko! Page 28 (28)
Sähkötekniikka ja elektroniikka
Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X), versio 2 Kanavatransistori eli FET Luento Field Effect Transistor Mikropiirit ja Mooren laki Mosfet on mikroelektroniikan tärkein pelinappula Kuka kertoisi
LisätiedotSähköpaja. Kimmo Silvonen (X) 5.10.2015
Sähköpaja Kimmo Silvonen (X) Elektroniikan komponentit Erilliskomponentit ja IC:t Passiivit: R C L Aktiiviset diskreetit ja IC:t Bipolaaritransistori BJT Kanavatransistorit FET Jänniteregulaattorit (pajan)
LisätiedotELEKTRONIIKAN PERUSTEET T700504
ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T700504 syksyllä 2014 OSA 2 Veijo Korhonen 4. Bipolaaritransistorit Toiminta Pienellä kantavirralla voidaan ohjata suurempaa kollektorivirtaa (kerroin β), toimii vahvistimena -
LisätiedotSähköpaja. Kimmo Silvonen (X)
Sähköpaja Kimmo Silvonen (X) Elektroniikan komponentit Erilliskomponentit ja IC:t Passiivit: R C L Aktiiviset erilliskomponentit (diskreetit) ja IC:t: Bipolaaritransistori BJT Moottorinohjaus, H-silta
LisätiedotSähköpaja. Kimmo Silvonen (X)
Sähköpaja Kimmo Silvonen (X) Elektroniikan komponentit Erilliskomponentit ja IC:t Passiivit: R C L Aktiiviset erilliskomponentit (diskreetit) ja IC:t: Bipolaaritransistori BJT Moottorinohjaus, H-silta
LisätiedotSähköpaja. Kimmo Silvonen (X) 22.2.2016
Sähköpaja Kimmo Silvonen (X) Elektroniikan komponentit Erilliskomponentit ja IC:t Passiivit: R C L Aktiiviset diskreetit ja IC:t Bipolaaritransistori BJT Kanavatransistorit FET Jänniteregulaattorit (pajan)
LisätiedotBL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan: CMOS-tekniikka ja siihen perustuvat logiikkapiiriperheet
BL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan: CMOS-tekniikka ja siihen perustuvat logiikkapiiriperheet Bittioperaatioiden toteuttamisesta Tarvitaan kolmea asiaa: 1. Menetelmät esittää ja siirtää bittejä
LisätiedotELEKTRONIIKAN PERUSTEET T320003
ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T320003 syksyllä 2013 OSA 2 Veijo Korhonen 4. Bipolaaritransistorit Toiminta Pienellä kantavirralla voidaan ohjata suurempaa kollektorivirtaa (kerroin β), toimii vahvistimena -
LisätiedotSähkötekniikka ja elektroniikka
Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X) Diodi ja puolijohteet Luento Ideaalidiodi = kytkin Puolijohdediodi = epälineaarinen vastus Sovelluksia, mm. ilmaisin ja LED, tasasuuntaus viimeis. viikolla
LisätiedotTransistoreiden merkinnät
Transistoreiden merkinnät Yleisesti: Eurooppalaisten valmistajien tunnukset muodostuvat yleisesti kirjain ja numeroyhdistelmistä Ensimmäinen kirjain ilmaisee puolijohdemateriaalin ja toinen kirjain ilmaisee
LisätiedotSähköpajan elektroniikkaa
Sähköpajan elektroniikkaa Kimmo Silvonen (X) "Virtalähde", teholähde, verkkolaite (wall-wart) Elektroniikkapiirit vaativat toimiakseen käyttöjännitteen. Paristot noin 1,5 V tai 3 V / kenno Ladattavat NiMH-akut
LisätiedotSähköpajan elektroniikkaa
Sähköpajan elektroniikkaa Kimmo Silvonen (X) Tämä viikko 25.-29.1.2016 Pajalla Ma klo 10.15-11.30 luento S1 Ma klo 11.30 alk. tutustuminen Sähköpajaan L215 (kahvi, tee) Ti klo 14.15 alk. tutust., lähtö
LisätiedotFYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe (Vastaa kaikkiin viiteen tehtävään)
FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe 16.3.2012 (Vastaa kaikkiin viiteen tehtävään) 1. Selitä lyhyesti (6 pistettä) a) pn-liitoksen virta-jännite-käyttäytyminen b) varauksenkuljettajien lukumäärä itseispuolijohteissa
LisätiedotFYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe 27.4.2012 Vastaa kaikkiin viiteen kysymykseen
FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe 27.4.2012 Vastaa kaikkiin viiteen kysymykseen 1. Selitä lyhyesti a) Theveninin teoreema (2 p) b) Itseispuolijohde ja seostettu puolijohde. (2 p) c) Piirrä p-kanava
LisätiedotTransistoriteknologian kehitys
hyväksymispäivä arvosana arvostelija Transistoriteknologian kehitys Ilpo Järvinen Helsinki 20. maaliskuuta 2003 HELSINGIN YLIOPISTO Tietojenkäsittelytieteen laitos Sisältö i 1 Johdanto 1 2 Transistori
Lisätiedot20 Kollektorivirta kun V 1 = 15V 10. 21 Transistorin virtavahvistus 10. 22 Transistorin ominaiskayrasto 10. 23 Toimintasuora ja -piste 10
Sisältö 1 Johda kytkennälle Theveninin ekvivalentti 2 2 Simuloinnin ja laskennan vertailu 4 3 V CE ja V BE simulointituloksista 4 4 DC Sweep kuva 4 5 R 2 arvon etsintä 5 6 Simuloitu V C arvo 5 7 Toimintapiste
LisätiedotSähköpajan elektroniikkaa
Sähköpajan elektroniikkaa Kimmo Silvonen (X) Pajan aukioloajat I periodilla Pajalla tehdään Arduino-harjoituksia ja projetia! Kimmolta voi pyytää pääsyä Pajalle ennen virallista alkamisaikaa. Aikoja voidaan
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA
S-55.1100 SÄHKÖTKNIIKKA JA LKTONIIKKA Tentti 15.5.2006: tehtävät 1,3,5,7,10 1. välikoe: tehtävät 1,2,3,4,5 2. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,10 Saat vastata vain neljään tehtävään/koe; ne sinun pitää itse valita!
LisätiedotAineopintojen laboratoriotyöt I. Ominaiskäyrät
Aineopintojen laboratoriotyöt I Ominaiskäyrät Aki Kutvonen Op.nmr 013185860 assistentti: Tommi Järvi työ tehty 31.10.2008 palautettu 28.11.2008 Tiivistelmä Tutkittiin elektroniikan peruskomponenttien jännite-virtaominaiskäyriä
LisätiedotSÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA
1 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA txt-8 2017, Kimmo Silvonen Osa VIII, 13.11.2017 Otan mielelläni esim. sähköpostilla (kimmo.silvonen@aalto.fi) vastaan pieniäkin korjauksia (kuten painovirheet), tekstisisältötoiveita
LisätiedotSähkötekniikka ja elektroniikka
Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X) Kokeet, harjoitustehtävät, palaute 2. välikoe ja tentti ma 7.12. klo 10.15-13, S1 Valitset kokeen aikana, suoritatko tentin Ilmoittaudu joka tapauksessa
LisätiedotS-55.1100 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA
S-55.1100 SÄHKÖTKNIIKKA JA KTONIIKKA 2. välikoe 5.5.2008. Saa vasaa vain neljään ehävään! Kimmo Silven 1. aske vira. = 1 kω, = 2 kω, 3 = 4 kω, = 10 V. Diodin ominaiskayra, aseikko 0... 4 ma + 3 Teh. 2.
LisätiedotDIODIN OMINAISKÄYRÄ TRANSISTORIN OMINAISKÄYRÄSTÖ
1 IOIN OMINAISKÄYRÄ JA TRANSISTORIN OMINAISKÄYRÄSTÖ MOTIVOINTI Työ opettaa mittaamaan erityyppisten diodien ominaiskäyrät käyttämällä oskilloskooppia XYpiirturina Työssä opetellaan mittaamaan transistorin
Lisätiedot1. Tasavirtapiirit ja Kirchhoffin lait
Kimmo Silvonen, Sähkötekniikka ja elektroniikka, Otatieto 2003. Tasavirtapiirit ja Kirchhoffin lait Sähkötekniikka ja elektroniikka, sivut 5-62. Versio 3..2004. Kurssin Sähkötekniikka laskuharjoitus-,
LisätiedotSähkötekniikan perusteet
Sähkötekniikan perusteet 1) Resistanssien rinnankytkentä kuormittaa a) enemmän b) vähemmän c) yhtä paljon sähkölähdettä kuin niiden sarjakytkentä 2) Jännitelähteiden sarjakytkentä a) suurentaa kytkennästä
LisätiedotTaitaja2005/Elektroniikka. 1) Resistanssien sarjakytkentä kuormittaa a) enemmän b) vähemmän c) yhtä paljon sähkölähdettä kuin niiden rinnankytkentä
1) Resistanssien sarjakytkentä kuormittaa a) enemmän b) vähemmän c) yhtä paljon sähkölähdettä kuin niiden rinnankytkentä 2) Kahdesta rinnankytketystä sähkölähteestä a) kuormittuu enemmän se, kummalla on
LisätiedotElektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus
Elektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus Antti Karjalainen, PRK 30.10.2014 Komponenttien esittelytaktiikka Toiminta, (Teoria), Käyttö jännite, virta, teho, taajuus, impedanssi ja näiden yksiköt:
LisätiedotKaikki kytkennät tehdään kytkentäalustalle (bimboard) ellei muuta mainita.
FYSE300 Elektroniikka 1 (FYSE301 FYSE302) Elektroniikka 1:n (FYSE300) laboratorioharjoitukset sisältävät kaksi työtä, joista ensimmäinen sisältyy A-osaan (FYSE301) ja toinen B-osaan (FYSE302). Pelkän A-osan
LisätiedotIGBT-TRANSISTORI. Janne Salonen. Opinnäytetyö Joulukuu 2013 Tietoliikennetekniikka Sulautetutjärjestelmät ja elektroniikka
IGBT-TRANSISTORI Janne Salonen Opinnäytetyö Joulukuu 2013 Tietoliikennetekniikka Sulautetutjärjestelmät ja elektroniikka TIIVISTELMÄ Tampereen ammattikorkeakoulu Tietoliikennetekniikka Sulautetutjärjestelmät
LisätiedotFYSE301(Elektroniikka(1(A3osa,(kevät(2013(
FYSE301(Elektroniikka(1(A3osa,(kevät(2013( 1/2 Loppukoe1.3.2013 vastaakaikkiinkysymyksiin(yhteensä48pistettä) 1. Kuvailelyhyesti a. Energialineaarisissapiirielementeissä:vastuksessa,kondensaattorissajakelassa(3
LisätiedotBL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan - Johdanto integroituihin digitaalipiireihin
BL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan - Johdanto integroituihin digitaalipiireihin Digitaalielektroniikka perustuu ohjattaviin kytkimiin Ohjattava kytkin, digitaalielektroniikan peruskomponentti
LisätiedotPIIRIANALYYSI. Harjoitustyö nro 7. Kipinänsammutuspiirien mitoitus. Mika Lemström
PIIRIANAYYSI Harjoitustyö nro 7 Kipinänsammutuspiirien mitoitus Mika emström Sisältö 1 Johdanto 3 2 RC-suojauspiiri 4 3 Diodi suojauspiiri 5 4 Johtopäätos 6 sivu 2 [6] Piirianalyysi Kipinänsammutuspiirien
LisätiedotAnalogiapiirit III. Tentti 15.1.1999
Oulun yliopisto Elektroniikan laboratorio nalogiapiirit III Tentti 15.1.1999 1. Piirrä MOS-differentiaalipari ja johda lauseke differentiaaliselle lähtövirralle käyttäen MOS-transistorin virtayhtälöä (huom.
LisätiedotELEKTRONIIKAN PERUSTEET
ELEKTRONIIKAN PERUSTEET Juha Aaltonen Seppo Kousa Jyrki Stor-Pellinen A.T.S.S.: J.B.-B. 4 DRW: Spi CHK: JPA Elektroniikan Perusteet SHEET 193 OF 390 DRAWING NO:5.19 Sisällys 1 Johdanto.............................................
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA
S-55.00 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Tentti 6.5.007: tehtävät,3,4,6,0. välikoe: tehtävät,,3,4,5. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0 Saat vastata vain neljään tehtävään/koe; ne sinun pitää itse valita! Kimmo
LisätiedotNäytteen liikkeen kontrollointi
LAPPEENRANNAN TEKNILLINEN YLIOPISTO Sähkötekniikan osasto Fysiikan laitos Kandidaatintyö Näytteen liikkeen kontrollointi Työn ohjaajana ja tarkastajana toimi diplomi-insinööri Hanna-Leena Varis. Lappeenrannassa
LisätiedotCC-ASTE. Kuva 1. Yksinkertainen CC-vahvistin, jossa virtavahvistus B + 1. Kuva 2. Yksinkertaisen CC-vahvistimen simulaatio
CC-ASTE Yhteiskollektorivahvistin eli emitteriseuraaja on vahvistinkytkentä, jota käytetään jännitepuskurina. Sisääntulo on kannassa ja ulostulo emitterissä. Koska transistorin kannan ja emitterin välinen
LisätiedotR = xw = W e (v SG V T )v SD. (4) (v SG V T )v SD. (5)
S-69.128 Puolijohdetekniikan laboratoriotyöt syksy 1997 Leif Roschier 41913W (leif.roschier@hut.) Jani Lahtinen 46290H (jani.lahtinen@hut.) Eeva Kallio (ekkallio@cc.hut.) 25. elokuuta 1998 1 Sisältö 1
LisätiedotSähkötekniikka ja elektroniikka
Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X) Operaatiovahvistin Operational Amplifier Opva Opamp. Versio. Ideaalivahvistin elektroniikan peruslohkona Takaisinkytkentä Operaatiovahvistin vahvistaa
LisätiedotElektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus
Elektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus Antti Karjalainen, PRK 14.11.2013 Komponenttien esittelytaktiikka Toiminta, (Teoria), Käyttö jännite, virta, teho, taajuus, impedanssi ja näiden yksiköt:
LisätiedotELEC-C6001 Sähköenergiatekniikka, laskuharjoitukset oppikirjan lukuun 10 liittyen.
ELEC-C6001 Sähköenergiatekniikka, laskuharjoitukset oppikirjan lukuun 10 liittyen. X.X.2015 Tehtävä 1 Bipolaaritransistoria käytetään alla olevan kuvan mukaisessa kytkennässä, jossa V CC = 40 V ja kuormavastus
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA
S-55.1100 SÄHKÖTKNIIKKA JA LKTONIIKKA 2. välikoe 14.12.2010. Saat vastata vain neljään tehtävään! Sallitut: Kako, (gr.) laskin, [MAOL], [sanakirjan käytöstä sovittava valvojan kanssa!] 1. Missä rajoissa
LisätiedotS Tehoelektroniikan komponentit J. Niiranen 1 (12) Tentti , kello , sali S3
S8.3 Tehoelektroniikan komponentit J. Niiranen () Tentti 8.3.3, kello 9..., sali S3 Papereihin Tentissä sallitut apuvälineet sukunimi ja etunimet kynät, kumit jne. opiskelijanumero taskulaskin koulutusohjelma.
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA
S-55.00 SÄHKÖTKNIIKK J KTONIIKK Kimmo Silvonen alto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu C Välikoe on kääntöpuolella! Tentti 7.4.04. Tehtävät,, 4, 6, 7. Saat vastata vain neljään tehtävään! Sallitut:
LisätiedotELEC-E8421 Tehoelektroniikan komponentit 1 (9) Tentti , kello 13: :00, sali AS1
ELEC-E8421 Tehoelektroniikan komponentit 1 (9) Tentti 15.12.216, kello 13:... 16:, sali AS1 Papereihin Tentissä sallitut apuvälineet - sukunimi ja etunimet - kynät, kumit jne. - opiskelijanumero - taskulaskin
LisätiedotTRANSISTORIPARAMETRIT
TRANSISTORIPARAMETRIT H. Honkanen Transistorin ominaisuuksien matemaattisen käsittelyn maollistamiseksi on luotu parametrit, jotka kuvaavat transistorin käyttäytymistä. Transistoriparametreja ovat -, r-
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu
S-55.00 SÄHKÖTKNKKA JA LKTONKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu Kimmo Silvonen Tentti 4.5.0: tehtävät,3,4,6,8.. välikoe: tehtävät,,3,4,5.. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0. Saat vastata vain neljään
LisätiedotSähköautoprojekti Pienoissähköauto Elektroniikan kokoonpano Moottoriohjain. http://www.elwis.fi
Sähköautoprojekti Pienoissähköauto Elektroniikan kokoonpano Moottoriohjain http://www.elwis.fi Sisällys Elektroniikan osalista... 3 Tarvittavat työkalut... 3 Elektroniikan rakentaminen... 4 1. Piirilevyn
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA
S-55.1100 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTONIIKKA. väliko 13.1.005. Saat vastata vain nljään thtävään! Kimmo Silvonn 1. Kuvan kaksiportin -paramtrit tunntaan, samoin kuormavastus ja lähtöjännit U. Lask jännit.
LisätiedotUNIVERSITY OF JYVÄSKYLÄ LABORATORY WORKS. For analog electronics FYSE400 Loberg D E P A R T M E N T O F P H Y S I C S
UNIVESITY OF JYVÄSKYLÄ LABOATOY WOKS For analog electronics FYSE400 Loberg 2010 D E P A T M E N T O F P H Y S I C S 2 P a g e 3 P a g e 4 P a g e Contents 1 Shortly about Multisim... 7 2 Ominaiskäyrästön
LisätiedotSähköpaja. Kimmo Silvonen (X)
Sähköpaja Kimmo Silvonen (X) Loppusyksyn 2016 ohjelma Ma 28.11. Viimeinen luento Pyydä tarvittaessa pääsyä Pajalle normiaikojen ulkopuolella! Ma 5.12. Paja on auki ainakin klo 12-18 Ti 6.12. Koulu on kiinni
LisätiedotLOPPURAPORTTI 19.11.2007. Lämpötilahälytin. 0278116 Hans Baumgartner xxxxxxx nimi nimi
LOPPURAPORTTI 19.11.2007 Lämpötilahälytin 0278116 Hans Baumgartner xxxxxxx nimi nimi KÄYTETYT MERKINNÄT JA LYHENTEET... 3 JOHDANTO... 4 1. ESISELOSTUS... 5 1.1 Diodi anturina... 5 1.2 Lämpötilan ilmaisu...
LisätiedotKäännös, linkitys ja lataus
Luento 10 (verkkoluento 10) Käännös, linkitys ja lataus Ohjelmasta prosessiin Käännösyksikkö Kääntämisen vaiheet Makrot, literaalit Staattinen ja dynaaminen linkitys Nimien sidonta Lausekielestä suoritukseen
Lisätiedot1 Kohina. 2 Kohinalähteet. 2.1 Raekohina. 2.2 Terminen kohina
1 Kohina Kohina on yleinen ongelma integroiduissa piireissä. Kohinaa aiheuttavat pienet virta- ja jänniteheilahtelut, jotka ovat komponenteista johtuvia. Myös ulkopuoliset lähteet voivat aiheuttaa kohinaa.
LisätiedotELEC C4210 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA
Kimmo Silvonen, Aalto ELEC 2. välikoe 12.12.2016. Saat vastata vain neljään tehtävään! 1. Tasajännitelähde liitetään parijohtoon hetkellä t 0. Lakse kuormavastuksen jännite u 2 (t) hetkellä t 3,1 t ottamalla
Lisätiedot3. Esittele kirjassa esitetyt puolijohdetehokomponenttien jäähdytysmenetelmät ja -laitteet sekä niiden keskinäiset edut ja haitat.
S-81.312 Tehoelektroniikan komponentit J. Niiranen 1 (9) Tentti 2.1.214, kello 16... 19, sali S4 Papereihin Tentissä sallitut apuvälineet - sukunimi ja etunimet - kynät, kumit jne. - opiskelijanumero -
Lisätiedot10. Kytkentäohje huonetermostaateille
. Kytkentäohje huonetermostaateille TERMOSTAATTIE JA TOIMILAITTEIDE KYTKETÄ JA KYT KE TÄ KO TE LOI HI 2 1 2 2 1 WehoFloor-termostaatti 3222 soveltuvaa kaapelia 3 1, mm 2. joh timet keskusyk sikköön käsikirjassa
LisätiedotTaitaja2004/Elektroniikka Semifinaali 19.11.2003
Taitaja2004/Elektroniikka Semifinaali 19.11.2003 Teoriatehtävät Nimi: Oppilaitos: Ohje: Tehtävät ovat suurimmaksi osaksi vaihtoehtotehtäviä, mutta tarkoitus on, että lasket tehtävät ja valitset sitten
LisätiedotElektroniikka. Mitä sähkö on. Käsitteistöä
Elektroniikka Mitä sähkö on Sähkö on elektronien liikettä atomista toiseen. Negatiivisesti varautuneet elektronit siirtyvät atomista toiseen. Tätä kutsutaan sähkövirraksi Sähkövirrasta puhuttaessa on sovittu,
LisätiedotELEC C4210 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Kimmo Silvonen
LC C21 SÄHKÖTKNKKA JA LKTONKKA Kimmo Silvonen 2. välikoe 8.12.21. Tehtävät 1 5. Saat vastata vain neljään tehtävään! Sallitut: Kako, [gr.] laskin, [MAOL], [sanakirjan käytöstä on sovittava valvojan kanssa!]
LisätiedotKIMMO SILVONEN ELEKTRONIIKKA JA SÄHKÖTEKNIIKKA
KIMMO SILVONEN ELEKTRONIIKKA JA SÄHKÖTEKNIIKKA Teos on saanut tukea Suomen tietokirjailijat ry:ltä Copyright 2018 Tekijä & Gaudeamus / Otatieto Gaudeamus Oy www.gaudeamus.fi Kansi: Leena Kilpi Kannen kuva:
LisätiedotAutomaation elektroniikka T103403, 3 op SAU14snS. Pekka Rantala kevät 2016
Automaation elektroniikka T103403, 3 op SAU14snS Pekka Rantala kevät 2016 Opinto-opas 2014 Osaamistavoitteet: Opintojakso perehdyttää opiskelijat automaatiotekniikan sovelluksissa käytettäviin elektroniikan
LisätiedotSähkötekniikan perusteet
Sähkötekniikan perusteet 1) Resistanssien rinnankytkentä kuormittaa a) enemmän b) vähemmän c) yhtä paljon sähkölähdettä kuin niiden sarjakytkentä 2) Jännitelähteiden sarjakytkentä a) suurentaa kytkennästä
LisätiedotTRANSISTORIASTEEN TOIMINTA- SUORAN MÄÄRITTÄMINEN
TRANSSTORASTEEN TOMNTA- SUORAN MÄÄRTTÄMNEN H. Honkanen Yhteisemitteri ( tai yhteissource ) kytketyn vahvistinasteen toimintasuoran määrittäminen. Toimintapisteen, eli lepopisteen, ja emitterin ( tai sourcen
LisätiedotS Tehoelektroniikan komponentit J. Niiranen 1 (13) Tentti , kello , sali S4
S-81.312 Tehoelektroniikan komponentit J. Niiranen 1 (13) Tentti 17.3.214, kello 16... 19, sali S4 Papereihin Tentissä sallitut apuvälineet - sukunimi ja etunimet - kynät, kumit jne. - opiskelijanumero
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA
S-55.00 SÄHKÖTKNKKA A KTONKKA Kimmo Silvonen Tentti 20.5.200: tehtävät,3,5,6,8.. välikoe: tehtävät,2,3,4,5. 2. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0. Saat vastata vain neljään tehtävään/koe. Sallitut: Kako, (gr.)
LisätiedotOperaatiovahvistimen vahvistus voidaan säätää halutun suuruiseksi käyttämällä takaisinkytkentävastusta.
TYÖ 11. Operaatiovahvistin Operaatiovahvistin on mikropiiri ( koostuu useista transistoreista, vastuksista ja kondensaattoreista juotettuna pienelle piipalaselle ), jota voidaan käyttää useisiin eri kytkentöihin.
Lisätiedot' ' MJE3055~ i'.. "' f'... r-...
\ FYSE4 ANALOGELEKTRONKAN LOPPUTENTT 21 1 Tehtiivii (a) Liitteessa on esitetty ote n-kanavaisen fetin BS17 datalehdesta. Piirra sen sisaltaien tietojen perusteella fetin SOA (Safe Operating Area) kun Vvs>2.5V
Lisätiedotamiedu DIGITAALITEKNIIKAN PERUSPORTIT 2 Sivu 1 (7)
amiedu DIGITLITEKNIIKN PEUSPOTIT 2 Sivu (7) ND -gate J - portti NND -gate EI-J - portti O -gate TI - portti NO -gate EI-TI - portti & & > > 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 = * =, eli = on vain, jos = ja
LisätiedotC 2. + U in C 1. (3 pistettä) ja jännite U C (t), kun kytkin suljetaan ajanhetkellä t = 0 (4 pistettä). Komponenttiarvot ovat
S-87.2 Tentti 6..2007 ratkaisut Vastaa kaikkiin neljään tehtävään! C 2 I J 2 C C U C Tehtävä atkaise virta I ( pistettä), siirtofunktio F(s) = Uout ( pistettä) ja jännite U C (t), kun kytkin suljetaan
LisätiedotTIEP114 Tietokoneen rakenne ja arkkitehtuuri, 3 op. FT Ari Viinikainen
TIEP114 Tietokoneen rakenne ja arkkitehtuuri, 3 op FT Ari Viinikainen Tietokoneen rakenne Keskusyksikkö, CPU Keskusmuisti Aritmeettislooginen yksikkö I/O-laitteet Kontrolliyksikkö Tyypillinen Von Neumann
LisätiedotSähkötekniikka ja elektroniikka
Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X) Siirtojohdot, Transmission Lines Luento, vrt. laboratoriotyö nr. 3. Siirtojohdon käsite Esim. antenni- tai muu koaksiaalikaapeli, ATK-verkko Aaltojen
LisätiedotLABORAATIO 1, YLEISMITTARI JA PERUSMITTAUKSET
KAJAANIN AMMATTIKORKEAKOULU Tekniikan ja liikenteen ala VAHVAVIRTATEKNIIKAN LABORAATIOT H.Honkanen LABORAATIO 1, YLEISMITTARI JA PERUSMITTAUKSET YLEISTÄ YLEISMITTARIN OMINAISUUKSISTA: Tässä laboratoriotyössä
LisätiedotSÄHKÖENERGIATEKNIIIKKA. Harjoitus - luento 7. Tehtävä 1
SÄHKÖENERGIATEKNIIIKKA Harjoitus - luento 7 Tehtävä 1 Bipolaaritransistoria käytetään alla olevan kuvan mukaisessa kytkennässä, jossa V CC = 40 V ja kuormavastus R L = 10 ς. Kyllästysalueella kollektori-emitterijännite
LisätiedotSähkötekiikka muistiinpanot
Sähkötekiikka muistiinpanot Tuomas Nylund 6.9.2007 1 6.9.2007 1.1 Sähkövirta Symboleja ja vastaavaa: I = sähkövirta (tasavirta) Tasavirta = Virran arvo on vakio koko tarkasteltavan ajan [ I ] = A = Ampeeri
LisätiedotTaitaja2008, Elektroniikkalajin semifinaali 24.1.2008
Taitaja2008, Elektroniikkalajin semifinaali 24.1.2008 Kilpailijan nimi: 1) Oheisen kytkennän kokonaisresistanssi on n. 33 Ohm 150 Ohm a) 70 Ohmia b) 100 Ohmia c) 120 Ohmia 120 Ohm 2) Oheisen kytkennän
LisätiedotAB LUOKAN AUDIOVAHVISTIMEN SUUNNITTELUOHJEITA
B LOKN DIOVHVISTIMEN SNNITTELOHJEIT H. Honkanen B luokassa toimiva vahvistinrakenne on käytetyin audiokäytössä ( lähes 00%. Komplementaaripariin perustuvassa rakenteessa ( B, B ja C luokan vahvistimet
LisätiedotSÄHKÖTEKNIIKAN KOULUTUSOHJELMA KANDIDAATINTYÖ. n-kanavaisen MOSFET-transistorin mittaaminen ja MATLABilla mallintaminen
SÄHKÖTEKNIIKAN KOULUTUSOHJELMA KANDIDAATINTYÖ n-kanavaisen MOSFET-transistorin mittaaminen ja MATLABilla mallintaminen Tekijä Valvoja Janne Juusola Timo Rahkonen Maaliskuu 2017 Juusola J. (2017) n-kanavaisen
LisätiedotElektroniikan komponentit
Elektroniikan komponentit Elektroniikka ja sähköoppi Klas Granqvist Akun Tehdas / Oy Aku s Factory Ltd Elektroniikka Elektroniikan parissa käsitellään huomattavasti pienempiä ja heikompia järjestelmiä
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen
S55.0 SÄHKÖTEKNKKA 9.5.000 Kimmo Silvonen Tentti: tehtävät,,5,8,9. välikoe: tehtävät,,,4,5. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0 Oletko muistanut vastata palautekyselyyn Voit täyttää lomakkeen nyt.. aske virta.
LisätiedotSähkötekniikka ja elektroniikka
Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X) Piiriteoria Circuit Theory. Työkalut Tools Luento Oppikirja: Sähkötekniikka ja piiriteoria. Tämän viikon teoria on yleispätevää eikä rajoitu DC-analyysiin!
LisätiedotVastksen ja diodin virta-jännite-ominaiskäyrät sekä valodiodi
Sivu 1/10 Fysiikan laboratoriotyöt 1 Työ numero 3 Vastksen ja diodin virta-jännite-ominaiskäyrät sekä valodiodi Työn suorittaja: Antero Lehto 1724356 Työ tehty: 24.2.2005 Uudet mittaus tulokset: 11.4.2011
LisätiedotTA-Slider 160. Toimilaitteet Digitaalisesti määriteltävä, suhteellisesti säätävä, yksitoiminen (push) toimilaite 160/200 N
TA-Slider 160 Toimilaitteet Digitaalisesti määriteltävä, suhteellisesti säätävä, yksitoiminen (push) toimilaite 160/200 N TA-Slider 160 Digitaalisesti määriteltävät toimilaitteet usealla asettelumahdollisuudella
LisätiedotPERUSRAKENTEET Forward converter, Myötävaihemuunnin ( BUCK regulaattori )
HAKKRIKYTKENNÄT H. Honkanen PERSRAKENTEET Forward converter, Myötävaihemuunnin ( BCK regulaattori ) Toiminta: Kun kytkin ( = päätetransistori ) on johtavassa tilassa, siirtyy virta I 1 kelan kautta kondensaattoriin
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA
S-55.00 SÄHKÖTKNIIKKA JA KTONIIKKA Kimmo Silvonen Tentti 2.2.200: tehtävät,3,4,7,0.. välikoe: tehtävät,2,3,4,5. 2. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0. Saat vastata vain neljään tehtävään/koe. Sallitut: Kako,
LisätiedotOngelma(t): Mihin perustuu tietokoneiden suorituskyky ja sen jatkuva kasvu? Mitkä tekijät rajoittavat suorituskyvyn parantamista ja mitkä niistä ovat
Ongelma(t): Mihin perustuu tietokoneiden suorituskyky ja sen jatkuva kasvu? Mitkä tekijät rajoittavat suorituskyvyn parantamista ja mitkä niistä ovat ehdottomia? 2012-2013 Lasse Lensu 2 Nykyiset tietokoneet
LisätiedotPUOLIJOHTEET + + - - - + + + - - tyhjennysalue
PUOLIJOHTEET n-tyypin- ja p-tyypin puolijohteet - puolijohteet ovat aineita, jotka johtavat sähköä huonommin kuin johteet, mutta paremmin kuin eristeet (= eristeen ja johteen välimuotoja) - resistiivisyydet
Lisätiedot4B. Tasasuuntauksen tutkiminen oskilloskoopilla.
TURUN AMMATTIKORKEAKOULU TYÖOHJE 1 4B. Tasasuuntauksen tutkiminen oskilloskoopilla. Teoriaa oskilloskoopista Oskilloskooppi on laite, joka muuttaa sähköisen signaalin näkyvään muotoon. Useimmiten sillä
LisätiedotELEKTRONISET TOIMINNOT
LUENTO 2 ALUKSI OLI... EHKÄ MIELENKIINTOISIN SUUNNITTELIJAN TEHTÄVÄ ON TOTEUTTAA LAITE (JA EHKÄ MENETELMÄKIN) JONKIN ONGELMAN RATKAISEMISEEN PUHTAALTA PÖYDÄLTÄ EI (AINAKAAN SAMALLA PERIAATTEELLA) VALMIITA
LisätiedotSMG-2100: SÄHKÖTEKNIIKKA
SMG-2100: SÄHKÖTEKNIIKKA Vastusten kytkennät Energialähteiden muunnokset sarjaankytkentä rinnankytkentä kolmio-tähti-muunnos jännitteenjako virranjako Käydään läpi vastusten keskinäisten kytkentöjen erilaiset
Lisätiedothttp://www.angelniemenankkuri.com/index.php?page=ilu/nuoret/ajankohtaista&select=3&head=nuori%20...
Sivu 1/28 " #%% ((%% ( * +, " -. / " - ("*0 "# % "# (( # # ( ( * # +,,-. /0,-,,2 3 #4 3 % % 5 5 * 4 % 3 6 4 4 44( ( % #"" #"#"# + 7. 4 %%2%%3 % 4 9#:200; 1 5242%% 1,1200/,/,/ (43%% 1 ("*01,01200/,202200/
LisätiedotEnergianhallinta. Energiamittari. Malli EM10 DIN. Tuotekuvaus. Tilausohje EM10 DIN AV8 1 X O1 PF. Mallit
Energianhallinta Energiamittari Malli EM10 DIN Luokka 1 (kwh) EN62053-21 mukaan Luokka B (kwh) EN50470-3 mukaan Energiamittari Energia: 6 numeroa Energian mittaukset: kokonais kwh TRMS mittaukset vääristyneelle
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA
S-55.11 SÄHKÖTKNIIKKA JA LKTONIIKKA 2. väliko 14.12.26. Saat vastata vain nljään thtävään! Kimmo Silvonn 1. Millä välillä vaihtl opraatiovahvistimn lähtöjännit, jos =1 +û sin ωt. =2, û =5. 2 Thtävä 2.
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu
S-55.00 SÄHKÖTKNIIKKA JA KTONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakol Kimmo Silvonen Tentti 30.5.03: tehtävät,3,4,6,0.. välikoe: tehtävät,,3,4,5.. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0. Saat vastata vain
LisätiedotTeholähteet ja muuntajat Phaseo Poweria automaatioon!
Teholähteet ja muuntajat Phaseo Poweria automaatioon! Simply Smart! Nerokkuutta ja älyä, joka tekee käytöstä helppoa Tämän päivän vaatimuksiin... Verkkokatkot Sähkökatkokset aiheuttavat koneisiin ja laitteisiin
Lisätiedotl s, c p T = l v = l l s c p. Z L + Z 0
1.1 i k l s, c p Tasajännite kytketään hetkellä t 0 johtoon, jonka pituus on l ja jonka kapasitanssi ja induktanssi pituusyksikköä kohti ovat c p ja l s. Mieti, kuinka virta i käyttäytyy ajan t funktiona
LisätiedotSirpa Lehtola Michael Benford Wolf-Rainer Windisch. English for Electrical and Electronics Professionals. Helsingissä Kustannusosakeyhtiö Otava 1
Sirpa Lehtola Michael Benford Wolf-Rainer Windisch English for Electrical and Electronics Professionals Helsingissä Kustannusosakeyhtiö Otava Hyvä kirjan käyttäjä Expert English for Electrical and Electronics
Lisätiedotvikataajuus lämpötilassa T vikataajuus lämpötilassa T = 75 C 20 40 60 80 100 120 140 Lämpötila, C
3 1. Johdanto Lähes kaikki moderniin elämään kuuluvat hyökkeet leluista tietokoneisiin sisältävät elektroniikkaa. Tarkasteltaessa yksittäisen useista erilaisista sähkö- ja elektroniikkapiireistä koostuvan
LisätiedotFysiikan laboratoriotyöt 1, työ nro: 3, Vastuksen ja diodin virta-jänniteominaiskäyrät
Fysiikan laboratoriotyöt 1, työ nro: 3, Vastuksen ja diodin virta-jänniteominaiskäyrät Tekijä: Mikko Laine Tekijän sähköpostiosoite: miklaine@student.oulu.fi Koulutusohjelma: Fysiikka Mittausten suorituspäivä:
LisätiedotOngelma(t): Mihin perustuu tietokoneiden suorituskyky ja sen jatkuva kasvu? Mitkä tekijät rajoittavat suorituskyvyn parantamista ja mitkä niistä ovat
Ongelma(t): Mihin perustuu tietokoneiden suorituskyky ja sen jatkuva kasvu? Mitkä tekijät rajoittavat suorituskyvyn parantamista ja mitkä niistä ovat ehdottomia? 2013-2014 Lasse Lensu 2 Nykyiset tietokoneet
Lisätiedot