ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T320003
|
|
- Juuso Saaristo
- 6 vuotta sitten
- Katselukertoja:
Transkriptio
1 ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T syksyllä 2013 OSA 2 Veijo Korhonen 4. Bipolaaritransistorit Toiminta Pienellä kantavirralla voidaan ohjata suurempaa kollektorivirtaa (kerroin β), toimii vahvistimena - Voidaan ajatella virralla ohjattavana säätövastuksena Toiminnan ääripäissä (sulku- ja kyllästystilassa) toimii kuten auki tai kiinni oleva kytkin - Voidaan ajatella virralla ohjattavana kytkimenä 1
2 Transistorin kolme toimintatilaa 1. Kantavirta = 0 Kuin auki oleva kytkin (ei johda) Transistori on sulkutilassa (cutoff) I B = 0 I C = 0 2. Kantavirta sopiva Ääripäiden välialueella Lineaarinen/aktiivinen alue I B > 0 3. Kantavirta = riittävän suuri Kuin kiinni oleva kytkin (johtaa hyvin) Transistori on kyllästystilassa (saturation) I B >> 0 I C = max Rakenne Bipolaaritransistori muodostuu joko kahdesta n- ja yhdestä p- puolijohteesta (npn) tai kahdesta p- ja yhdestä n-puolijohteesta (pnp) Kollektori (collector) ja emitteri (emitter) ovat saman tyyppistä puolijohdetta, joiden välissä on toista tyyppiä oleva kanta (base) 2
3 Mitoitussääntöjä (npn) Kollektorivirta suhteessa kantavirtaan eli virtavahvistus β I C = β I B (β = h FE ) Emitterivirta I E = I B + I C ( usein oletetaan I E I C ) Kanta-emitterijännite pii-transistorilla U BE 0.7 V (kynnysjännite) B I B U BE C E I C I E U CE pnp-transistorilla virtojen ja jännitteiden suunnat vaihtuvat Esimerkki NPN-transistorin käytöstä kytkimenä heikolla logiikkasignaalilla pitää ohjata LEDiä, ohjaussignaali on kuvan mukainen LED: kynnysjännite 2,0 V virta 25 ma Transistori (esim. BC337): β = 100 U CE sat = 0,2 V 4,5 V 0,5 V R B B C E +5 V R C 3
4 Kollektorivastuksen mitoitus Saturaatiotilassa LEDin läpi pitää saada virtaa 25 ma Kollektorivastuksen R C yli oleva jännite U RC = +5 V 2 V (LED) 0,2 V (U CE ) = 2,8 V Kollektorivastus R C = U RC / 25 ma = 112 Ω valitaan: R C = 100 Ω 4,5 V R B B C +5 V R C U RC 0,5 V E Kantavastuksen mitoitus Saturaatiotilassa kantavirran I B pitää vähintään olla: I B = I C / β = 25 ma / 100 = 250 µa Kantavastuksen R B yli oleva jännite U RB = +4,5 V 0,7 V = 3,8 V +5 V Kantavastus R B = U RB / 250 µa = 15,2 kω valitaan: R B = 15 kω 4,5 V R B B C R C 0,5 V U RB E 4
5 Darlington-pari suuri virtavahvistus β = β 1 β 2 Yleensä integroitu paketti, missä on lisätty suojausja nopeutusdiodit ja vastukset Differentiaalipari Käytetään vahvistamaan kahden signaalin erotusta Peruskytkentänä mm. operaatiovahvistimessa ja muissa mikropiireissä 5
6 5. Kanavatransistorit Liitoskanavatransistori (Junction Field Effect Transistor, JFET) Toiminta Perustuu estosuuntaisen pn-rajapinnan tyhjennysalueen levenemiseen jännitteen funktiona Liitoskanavatransistorissa hilajännitteen (Gate) avulla voidaan säätää nielun (Drain) ja lähteen (Source) välisen kanavan resistanssia, jolloin kanavan läpi kulkeva virta pienenee Ohminen alue (linear region) Kanava on koko pituudeltaan auki ja lähde-nielu jännitteen U DS kasvaessa kanavassa kulkeva nieluvirta I D kasvaa Vakiovirta-alue (saturation region) Kun lähde-nielu jännite U DS kasvaa tarpeeksi suureksi, kanava kuristuu toisesta päästä kiinni ja nieluvirta I D pysyy vakiona 6
7 Jännitettä U GS, joka vaaditaan, että kanava on kuristunut koko pituudeltaan umpeen, kutsutaan kuristujännitteeksi (pinch-off voltage) U P Jos n-kanavaisen JFET:n hilan ja lähteen välinen jännite U GS menee negatiivisemmaksi kuin kuristusjännite U P, niin kanavan resistanssi kasvaa hyvin suureksi ja virta I D pienenee lähelle nollaa I D 0, jos U GS < - U P JFET johtaa ja kanavan kautta kulkee virtaa silloin, kun U GS on alueella - U P < U GS < 0 eli JFET on joko ohmisella tai vakiovirta-alueella 7
8 Rakenne n-kanava JFET:ssä lähde ja nielu ovat samassa n- puolijohteessa ja hila p-puolijohteissa kanavan päällä Rakenne p-kanava JFET:ssä lähde ja nielu ovat samassa p- puolijohteessa ja hila n- puolijohteissa kanavan päällä 8
9 JFETin piirisovellukset vahvistin kytkin differentiaalipari MOSFET Metall Oxide Semiconductor Field Effective Transistor Toiminta Sulkutyypin MOSFET:ssa hilajännite poistaa nielun ja lähteen välisen kanavan Avaustyypin MOSFET:ssa hilajännite synnyttää nielun ja lähteen välille kanavan n-mosfet: U GS > U fn (=kynnysjännite < 0,7 V) p- MOSFET: U GS < -U fp 9
10 Vakiovirta-alue (saturation region) U DS > U GS U f I D = K (U GS U f ) 2 Ohminen alue (linear region) U DS < U GS U f I D = K [2 (U GS U f ) U DS U DS2 ] 10
11 Rakenne MOSFET:ssa kanavan ja hilan välissä on eristävä oksidikerros joten hilavirta I G 0 Sulkutyypin MOSFET:ssa on lähteen ja nielun yhdistävä puolijohdekanava hilan alla Avaustyypin MOSFET:ssa ei ole puolijohdekanavaa hilan alla Sulkutyypin MOSFET Avaustyypin MOSFET 11
12 MOSFETin piirisovellukset Vahvistin Kytkin integroidut piirit: jännitteen jakaminen, vakiovirtageneraattori, differentiaalipari, MOS-vastukset, logiikkakytkennät (pienempi kynnysjännite kuin bipolaaritransistorilla) 6. Ideaalinen vahvistin (lisämateriaalia op.ampista, erillinen osa 1,5) Ideaalinen vahvistin on lineaarinen eli lähtösignaalin taso riippuu suoraan tulosignaalin tasosta jännitevahvistus A u = u out / u in Virtavahvistus A i = i out / i in Vahvistus voidaan ilmaista myös desibeleinä A [db] = 20 log 10 (A u tai i ) 12
13 Rakenne Ideaalinen jännitevahvistin Tuloresistanssi R in = ja siten tulovirta i in = 0 Lähtöresistanssi R out = 0 ja siten kuormaimpedanssi R l ei vaikuta lähtöjännitteen u out tasoon Lähtöjännite u out = A u u s i in u s R u out l ~ A u Vahvistimen piirisovellukset Signaalin vahvistaminen Lähde- ja kuormaimpedanssien erottaminen Oskillaattorit Suodattimet 13
14 7. CMOS-logiikkapiirit Complementary Metal Oxide Semicontuctor, CMOS Keksitty 1963 (Frank Wanlass, Fairchild Semicontuctor) Ensimmäiset piirit teki RCA vuonna 1968 Alunperin hidas mutta pienitehoinen vaihtoehto TTL:lle esim. rannekelloissa Nykyisin mikropiirien käytetyin teknologia Tiheä (pienet rakenteet) Nopea (pienet rakenteet = pienet varaukset) Pieni tehonkulutus (pienet varaukset = pienet tehohäviöt) Myös analogia- ja mixed-signal -piirit 14
15 7.1 Toiminta Toiminta perustuu avaustyyppisten MOSFET:ien käyttämiseen kytkiminä P-MOSFET avautuu, kun hilajännite on kynnysjännitteen verran alle lähdejännitteen (=käyttöjännite) N-MOSFET avautuu, kun hilajännite on kynnysjännitteen verran yli lähdejännitteen (=maapotentiaali) CMOS-piiri kuluttaa tehoa vain tilaa vaihtaessaan, koska staattisen tilan vuotovirrat ovat hyvin pieniä P k*f clk *U Rakenne Transistorit on yhdistetty pareittain (P-MOSFET ja N- MOSFET) symmetrisesti Transistoreista toinen on aina auki, toinen kiinni. P-MOSFET:n lähde ja N-MOSFET:n nielu on yhdistetty lähtöön invertteri NAND 15
16 Piirisovellukset 74HC/HCT-logiikkaperhe 74HC04: hex inverter (kuusi invertteriä) 74HC74: dual D flip flop (kaksi D-kiikkua) 4000-logiikkaperhe 16
17 8. Tehoelektroniikan komponentit Suuriakin virtoja ja jännitteitä kestäviä komponentteja Esim. diodi, transistori, tyristori (thyristor), triakki (triac), diac Tyristorit Useista pn-rajapinnoista muodostuvia kytkinkomponentteja Käytetään kytkemään suuria jännitteitä (kv) ja virtoja ( < ka), eli teho voi olla jopa 1 MW) Kytkentänopeus pieni (< 100 Hz) Tyristori = diodi, jolla on hila (gate) = SCR = Silicon Controlled Rectifier hila I G anodi katodi Tyristori saadaan johtavaksi, kun 1. Hilan kautta annetaan virtapulssi (yleensä tehdään näin) TAI 2. Myötäsuuntainen jännite on tarpeeksi suuri (I G = 0) (harvemmin tehdään näin) Tyristori sammuu, kun Myötäsuuntainen jännite menee tarpeeksi pieneksi 17
18 Tyristorin ominaiskäyrä I F Estosuuntainen läpilyöntijännite I G2 > I G1 I G1 > I G0 I G0 = 0 U R Reverse Myötäsuuntainen läpilyöntijännite U F Forward Tehonsäätö liipaistavalla komponentilla, yleinen periaate kuorma liipaisupiiri tyristori tai triakki 230 VAC 18
19 Tyristorin liipaisukohdan vaikutus Liipaisuhetket Liipaisuhetket Tyristori 19
20 Triakki = kaksi tyristoria vastakkain hila T1 T2 Triakki voidaan saada johtavaksi molempiin suuntiin Teknisesti haastavampi kuin tyristori Ei yhtä isoille arvoille kuin tyristori Voidaan käyttää pienen kuorman ohjaamiseen, esim. lampun himmentimenä Triakin liipaisu Liipaisuhetket 20
21 Triakki (Triac) T1 n n p n p n n Gate T2 21
ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T700504
ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T700504 syksyllä 2014 OSA 2 Veijo Korhonen 4. Bipolaaritransistorit Toiminta Pienellä kantavirralla voidaan ohjata suurempaa kollektorivirtaa (kerroin β), toimii vahvistimena -
LisätiedotTransistoreiden merkinnät
Transistoreiden merkinnät Yleisesti: Eurooppalaisten valmistajien tunnukset muodostuvat yleisesti kirjain ja numeroyhdistelmistä Ensimmäinen kirjain ilmaisee puolijohdemateriaalin ja toinen kirjain ilmaisee
LisätiedotSähköpaja. Kimmo Silvonen (X) 5.10.2015
Sähköpaja Kimmo Silvonen (X) Elektroniikan komponentit Erilliskomponentit ja IC:t Passiivit: R C L Aktiiviset diskreetit ja IC:t Bipolaaritransistori BJT Kanavatransistorit FET Jänniteregulaattorit (pajan)
LisätiedotFYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe (Vastaa kaikkiin viiteen tehtävään)
FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe 16.3.2012 (Vastaa kaikkiin viiteen tehtävään) 1. Selitä lyhyesti (6 pistettä) a) pn-liitoksen virta-jännite-käyttäytyminen b) varauksenkuljettajien lukumäärä itseispuolijohteissa
LisätiedotC 2. + U in C 1. (3 pistettä) ja jännite U C (t), kun kytkin suljetaan ajanhetkellä t = 0 (4 pistettä). Komponenttiarvot ovat
S-87.2 Tentti 6..2007 ratkaisut Vastaa kaikkiin neljään tehtävään! C 2 I J 2 C C U C Tehtävä atkaise virta I ( pistettä), siirtofunktio F(s) = Uout ( pistettä) ja jännite U C (t), kun kytkin suljetaan
LisätiedotELEC-C6001 Sähköenergiatekniikka, laskuharjoitukset oppikirjan lukuun 10 liittyen.
ELEC-C6001 Sähköenergiatekniikka, laskuharjoitukset oppikirjan lukuun 10 liittyen. X.X.2015 Tehtävä 1 Bipolaaritransistoria käytetään alla olevan kuvan mukaisessa kytkennässä, jossa V CC = 40 V ja kuormavastus
LisätiedotSÄHKÖENERGIATEKNIIIKKA. Harjoitus - luento 7. Tehtävä 1
SÄHKÖENERGIATEKNIIIKKA Harjoitus - luento 7 Tehtävä 1 Bipolaaritransistoria käytetään alla olevan kuvan mukaisessa kytkennässä, jossa V CC = 40 V ja kuormavastus R L = 10 ς. Kyllästysalueella kollektori-emitterijännite
LisätiedotSähkötekniikka ja elektroniikka
Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X) Diodi ja puolijohteet Luento Ideaalidiodi = kytkin Puolijohdediodi = epälineaarinen vastus Sovelluksia, mm. ilmaisin ja LED, tasasuuntaus viimeis. viikolla
LisätiedotBL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan: CMOS-tekniikka ja siihen perustuvat logiikkapiiriperheet
BL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan: CMOS-tekniikka ja siihen perustuvat logiikkapiiriperheet Bittioperaatioiden toteuttamisesta Tarvitaan kolmea asiaa: 1. Menetelmät esittää ja siirtää bittejä
LisätiedotSähköpaja. Kimmo Silvonen (X)
Sähköpaja Kimmo Silvonen (X) Elektroniikan komponentit Erilliskomponentit ja IC:t Passiivit: R C L Aktiiviset erilliskomponentit (diskreetit) ja IC:t: Bipolaaritransistori BJT Moottorinohjaus, H-silta
LisätiedotSähköpaja. Kimmo Silvonen (X)
Sähköpaja Kimmo Silvonen (X) Elektroniikan komponentit Erilliskomponentit ja IC:t Passiivit: R C L Aktiiviset erilliskomponentit (diskreetit) ja IC:t: Bipolaaritransistori BJT Moottorinohjaus, H-silta
LisätiedotCC-ASTE. Kuva 1. Yksinkertainen CC-vahvistin, jossa virtavahvistus B + 1. Kuva 2. Yksinkertaisen CC-vahvistimen simulaatio
CC-ASTE Yhteiskollektorivahvistin eli emitteriseuraaja on vahvistinkytkentä, jota käytetään jännitepuskurina. Sisääntulo on kannassa ja ulostulo emitterissä. Koska transistorin kannan ja emitterin välinen
LisätiedotNäytteen liikkeen kontrollointi
LAPPEENRANNAN TEKNILLINEN YLIOPISTO Sähkötekniikan osasto Fysiikan laitos Kandidaatintyö Näytteen liikkeen kontrollointi Työn ohjaajana ja tarkastajana toimi diplomi-insinööri Hanna-Leena Varis. Lappeenrannassa
LisätiedotSähkötekniikka ja elektroniikka
Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X) Bipolaaritransistori BJT Versio Bipolar Junction Transistor, liekkö turhakin keksintö? BJT 23.12.1947 Nobel 1956 (Bell Labs, nykyisin Alcatel-Lucent)
LisätiedotPUOLIJOHTEET + + - - - + + + - - tyhjennysalue
PUOLIJOHTEET n-tyypin- ja p-tyypin puolijohteet - puolijohteet ovat aineita, jotka johtavat sähköä huonommin kuin johteet, mutta paremmin kuin eristeet (= eristeen ja johteen välimuotoja) - resistiivisyydet
LisätiedotSähkötekniikka ja elektroniikka
Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X), versio 2 Kanavatransistori eli FET Luento Field Effect Transistor Mikropiirit ja Mooren laki Mosfet on mikroelektroniikan tärkein pelinappula Kuka kertoisi
LisätiedotSähköpajan elektroniikkaa
Sähköpajan elektroniikkaa Kimmo Silvonen (X) "Virtalähde", teholähde, verkkolaite (wall-wart) Elektroniikkapiirit vaativat toimiakseen käyttöjännitteen. Paristot noin 1,5 V tai 3 V / kenno Ladattavat NiMH-akut
LisätiedotAnalogiapiirit III. Keskiviikko 4.12.2002, klo. 12.15-14.00, TS128. Operaatiovahvistinrakenteet
Oulun yliopisto Sähkötekniikan osasto Analogiapiirit III Harjoitus 2. Keskiviikko 4.12.2002, klo. 12.15-14.00, TS128. Operaatiovahvistinrakenteet 1. Analysoi kuvan 1 operaatiotranskonduktanssivahvistimen
LisätiedotTaitaja2005/Elektroniikka. 1) Resistanssien sarjakytkentä kuormittaa a) enemmän b) vähemmän c) yhtä paljon sähkölähdettä kuin niiden rinnankytkentä
1) Resistanssien sarjakytkentä kuormittaa a) enemmän b) vähemmän c) yhtä paljon sähkölähdettä kuin niiden rinnankytkentä 2) Kahdesta rinnankytketystä sähkölähteestä a) kuormittuu enemmän se, kummalla on
LisätiedotAutomaation elektroniikka T103403, 3 op AUT2sn. Pekka Rantala syksy Opinto-opas 2012
Automaation elektroniikka T103403, 3 op AUT2sn Pekka Rantala syksy 2013 Opinto-opas 2012 Osaamistavoitteet: Opintojakso perehdyttää opiskelijat automaatiotekniikan sovelluksissa käytettäviin elektroniikan
LisätiedotFYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe 27.4.2012 Vastaa kaikkiin viiteen kysymykseen
FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe 27.4.2012 Vastaa kaikkiin viiteen kysymykseen 1. Selitä lyhyesti a) Theveninin teoreema (2 p) b) Itseispuolijohde ja seostettu puolijohde. (2 p) c) Piirrä p-kanava
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA
S-55.00 SÄHKÖTKNIIKKA JA KTONIIKKA Tentti 9..006: tehtävät,3,5,7,9. välikoe: tehtävät,,3,4,5. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0 Saat vastata vain neljään tehtävään/koe; ne sinun pitää itse valita! Kimmo Silvonen.
LisätiedotIGBT-TRANSISTORI. Janne Salonen. Opinnäytetyö Joulukuu 2013 Tietoliikennetekniikka Sulautetutjärjestelmät ja elektroniikka
IGBT-TRANSISTORI Janne Salonen Opinnäytetyö Joulukuu 2013 Tietoliikennetekniikka Sulautetutjärjestelmät ja elektroniikka TIIVISTELMÄ Tampereen ammattikorkeakoulu Tietoliikennetekniikka Sulautetutjärjestelmät
LisätiedotRadioamatöörikurssi 2017
Radioamatöörikurssi 2017 Elektroniikan kytkentöjä 7.11.2017 Tatu Peltola, OH2EAT 1 / 20 Suodattimet Suodattaa signaalia: päästää läpi halutut taajuudet, vaimentaa ei-haluttuja taajuuksia Alipäästösuodin
LisätiedotSähköpajan elektroniikkaa
Sähköpajan elektroniikkaa Kimmo Silvonen (X) Tämä viikko 25.-29.1.2016 Pajalla Ma klo 10.15-11.30 luento S1 Ma klo 11.30 alk. tutustuminen Sähköpajaan L215 (kahvi, tee) Ti klo 14.15 alk. tutust., lähtö
LisätiedotAineopintojen laboratoriotyöt I. Ominaiskäyrät
Aineopintojen laboratoriotyöt I Ominaiskäyrät Aki Kutvonen Op.nmr 013185860 assistentti: Tommi Järvi työ tehty 31.10.2008 palautettu 28.11.2008 Tiivistelmä Tutkittiin elektroniikan peruskomponenttien jännite-virtaominaiskäyriä
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA
S-55.1100 SÄHKÖTKNIIKKA JA LKTONIIKKA Tentti 15.5.2006: tehtävät 1,3,5,7,10 1. välikoe: tehtävät 1,2,3,4,5 2. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,10 Saat vastata vain neljään tehtävään/koe; ne sinun pitää itse valita!
LisätiedotELEKTRONIIKAN PERUSTEET
ELEKTRONIIKAN PERUSTEET Juha Aaltonen Seppo Kousa Jyrki Stor-Pellinen A.T.S.S.: J.B.-B. 4 DRW: Spi CHK: JPA Elektroniikan Perusteet SHEET 193 OF 390 DRAWING NO:5.19 Sisällys 1 Johdanto.............................................
LisätiedotElektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus
Elektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus Antti Karjalainen, PRK 14.11.2013 Komponenttien esittelytaktiikka Toiminta, (Teoria), Käyttö jännite, virta, teho, taajuus, impedanssi ja näiden yksiköt:
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA
S-55.00 SÄHKÖTKNIIKK J KTONIIKK Kimmo Silvonen alto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu C Välikoe on kääntöpuolella! Tentti 7.4.04. Tehtävät,, 4, 6, 7. Saat vastata vain neljään tehtävään! Sallitut:
LisätiedotElektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus
Elektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus Antti Karjalainen, PRK 30.10.2014 Komponenttien esittelytaktiikka Toiminta, (Teoria), Käyttö jännite, virta, teho, taajuus, impedanssi ja näiden yksiköt:
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA
S-55.00 SÄHKÖTKNKKA JA KTONKKA Tentti 5.5.008: tehtävät,3,4,6,9. välikoe: tehtävät,,3,4,5. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0 Saat vastata vain neljään tehtävään/koe; ne sinun pitää itse valita! Kimmo Silvonen.
LisätiedotSÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA
1 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA txt-8 2017, Kimmo Silvonen Osa VIII, 13.11.2017 Otan mielelläni esim. sähköpostilla (kimmo.silvonen@aalto.fi) vastaan pieniäkin korjauksia (kuten painovirheet), tekstisisältötoiveita
LisätiedotSähkötekniikan perusteet
Sähkötekniikan perusteet 1) Resistanssien rinnankytkentä kuormittaa a) enemmän b) vähemmän c) yhtä paljon sähkölähdettä kuin niiden sarjakytkentä 2) Jännitelähteiden sarjakytkentä a) suurentaa kytkennästä
LisätiedotTEHOELEKTRONIIKKA DIODIT
TEHOELEKTRONIIKKA H. Honkanen Tehoelektroniikalla käsitetään elektroniikkaa, jolla käsitellään suuria tehoja, jännitteet ja virrat ovat suuria. Tehoelektroniikka poikkeaa pientehoelektroniikasta merkittävästi,
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen
S55.0 SÄHKÖTEKNKKA 9.5.000 Kimmo Silvonen Tentti: tehtävät,,5,8,9. välikoe: tehtävät,,,4,5. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0 Oletko muistanut vastata palautekyselyyn Voit täyttää lomakkeen nyt.. aske virta.
LisätiedotSähkötekniikan perusteet
Sähkötekniikan perusteet 1) Resistanssien rinnankytkentä kuormittaa a) enemmän b) vähemmän c) yhtä paljon sähkölähdettä kuin niiden sarjakytkentä 2) Jännitelähteiden sarjakytkentä a) suurentaa kytkennästä
LisätiedotAB LUOKAN AUDIOVAHVISTIMEN SUUNNITTELUOHJEITA
B LOKN DIOVHVISTIMEN SNNITTELOHJEIT H. Honkanen B luokassa toimiva vahvistinrakenne on käytetyin audiokäytössä ( lähes 00%. Komplementaaripariin perustuvassa rakenteessa ( B, B ja C luokan vahvistimet
LisätiedotSähkötekniikka ja elektroniikka
Sähkötekniikka ja elektroniikka Kimmo Silvonen (X) Operaatiovahvistin Operational Amplifier Opva Opamp. Versio. Ideaalivahvistin elektroniikan peruslohkona Takaisinkytkentä Operaatiovahvistin vahvistaa
LisätiedotSähköpajan elektroniikkaa
Sähköpajan elektroniikkaa Kimmo Silvonen (X) Pajan aukioloajat I periodilla Pajalla tehdään Arduino-harjoituksia ja projetia! Kimmolta voi pyytää pääsyä Pajalle ennen virallista alkamisaikaa. Aikoja voidaan
LisätiedotOPERAATIOVAHVISTIN. Oulun seudun ammattikorkeakoulu Tekniikan yksikkö. Elektroniikan laboratoriotyö. Työryhmä Selostuksen kirjoitti 11.11.
Oulun seudun ammattikorkeakoulu Tekniikan yksikkö Elektroniikan laboratoriotyö OPERAATIOVAHVISTIN Työryhmä Selostuksen kirjoitti 11.11.008 Kivelä Ari Tauriainen Tommi Tauriainen Tommi 1 TEHTÄVÄ Tutustuimme
LisätiedotDIODIN OMINAISKÄYRÄ TRANSISTORIN OMINAISKÄYRÄSTÖ
1 IOIN OMINAISKÄYRÄ JA TRANSISTORIN OMINAISKÄYRÄSTÖ MOTIVOINTI Työ opettaa mittaamaan erityyppisten diodien ominaiskäyrät käyttämällä oskilloskooppia XYpiirturina Työssä opetellaan mittaamaan transistorin
LisätiedotRadioamatöörikurssi 2015
Radioamatöörikurssi 2015 Polyteknikkojen Radiokerho Radiotekniikka 5.11.2015 Tatu Peltola, OH2EAT 1 / 25 Vahvistimet Vahvistin ottaa signaalin sisään ja antaa sen ulos suurempitehoisena Tehovahvistus,
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA
S-55.00 SÄHKÖTKNIIKKA JA KTONIIKKA Tentti 4.5.2009: tehtävät,,4,6,9. välikoe: tehtävät,2,,4,5 2. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0 Saat vastata vain neljään tehtävään/koe. Sallitut: Kako, (gr.) laskin, (MAO)..
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen
S-55.103 SÄHKÖTKNKKA 7.5.004 Kimmo Silvonen Tentti: tehtävät 1,3,5,7,9 1. välikoe: tehtävät 1,,3,4,5. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,10 Oletko muistanut vastata palautekyselyyn? Voit täyttää lomakkeen nyt.
LisätiedotUNIVERSITY OF JYVÄSKYLÄ LABORATORY WORKS. For analog electronics FYSE400 Loberg D E P A R T M E N T O F P H Y S I C S
UNIVESITY OF JYVÄSKYLÄ LABOATOY WOKS For analog electronics FYSE400 Loberg 2010 D E P A T M E N T O F P H Y S I C S 2 P a g e 3 P a g e 4 P a g e Contents 1 Shortly about Multisim... 7 2 Ominaiskäyrästön
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA
S-55.1100 SÄHKÖTKNIIKKA A KTONIIKKA Tentti 0.1.006: tehtävät 1,3,4,6,8 1. välikoe: tehtävät 1,,3,4,5. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,10 Saat vastata vain neljään tehtävään/koe; ne sinun pitää itse valita! Kimmo
LisätiedotOperaatiovahvistimen vahvistus voidaan säätää halutun suuruiseksi käyttämällä takaisinkytkentävastusta.
TYÖ 11. Operaatiovahvistin Operaatiovahvistin on mikropiiri ( koostuu useista transistoreista, vastuksista ja kondensaattoreista juotettuna pienelle piipalaselle ), jota voidaan käyttää useisiin eri kytkentöihin.
LisätiedotElektroniikka. Mitä sähkö on. Käsitteistöä
Elektroniikka Mitä sähkö on Sähkö on elektronien liikettä atomista toiseen. Negatiivisesti varautuneet elektronit siirtyvät atomista toiseen. Tätä kutsutaan sähkövirraksi Sähkövirrasta puhuttaessa on sovittu,
Lisätiedot1 Kohina. 2 Kohinalähteet. 2.1 Raekohina. 2.2 Terminen kohina
1 Kohina Kohina on yleinen ongelma integroiduissa piireissä. Kohinaa aiheuttavat pienet virta- ja jänniteheilahtelut, jotka ovat komponenteista johtuvia. Myös ulkopuoliset lähteet voivat aiheuttaa kohinaa.
LisätiedotAnalogiapiirit III. Keskiviikko , klo , TS128. Operaatiovahvistinrakenteet
Oulun yliopisto Sähkötekniikan osasto Analogiapiirit III Harjoitus 3. Keskiviikko 11.12.2002, klo. 12.15-14.00, TS128. Operaatiovahvistinrakenteet 1. a) Laske kuvan 1 käännetty kaskadi (folded-cascode)
LisätiedotPetri Kärhä 04/02/04. Luento 2: Kohina mittauksissa
Kohinan ominaisuuksia Kohinamekanismit Terminen kohina Raekohina 1/f kohina (Kvantisointikohina) Kohinan käsittely Kohinakaistanleveys Kohinalähteiden yhteisvaikutus Signaali-kohina suhde Kohinaluku Kohinalämpötila
LisätiedotSähköpaja. Kimmo Silvonen (X) 22.2.2016
Sähköpaja Kimmo Silvonen (X) Elektroniikan komponentit Erilliskomponentit ja IC:t Passiivit: R C L Aktiiviset diskreetit ja IC:t Bipolaaritransistori BJT Kanavatransistorit FET Jänniteregulaattorit (pajan)
LisätiedotAutomaation elektroniikka T103403, 3 op SAU14snS. Pekka Rantala kevät 2016
Automaation elektroniikka T103403, 3 op SAU14snS Pekka Rantala kevät 2016 Opinto-opas 2014 Osaamistavoitteet: Opintojakso perehdyttää opiskelijat automaatiotekniikan sovelluksissa käytettäviin elektroniikan
LisätiedotFyse302 Zenerdiodi, bipolaaritransistori ja yhteisemitterivahvistin
Tiia Monto Työ tehty: 8.4. ja 11.4. 2011 tiia.monto@jyu. 0407521856 Fyse302 Zenerdiodi, bipolaaritransistori ja yhteisemitterivahvistin Assistentti: Arvostellaan: Abstract Tutkimuksessa tarkasteltiin BZX7951-mallista
LisätiedotRadioamatöörikurssi 2011
Radioamatöörikurssi 2011 Perusmittalaitteet / mittaaminen Peruskomponentit Vahvistinluokat Sähköturvallisuus NAC VHF kilpailudemo kello 2000-> Tiistai 1.11.2011 Paavo Leinonen, OH2GYT Perusmittalaitteet
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA
S-55.00 SÄHKÖTKNKKA A KTONKKA Kimmo Silvonen Tentti 20.5.200: tehtävät,3,5,6,8.. välikoe: tehtävät,2,3,4,5. 2. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0. Saat vastata vain neljään tehtävään/koe. Sallitut: Kako, (gr.)
LisätiedotKaikki kytkennät tehdään kytkentäalustalle (bimboard) ellei muuta mainita.
FYSE300 Elektroniikka 1 (FYSE301 FYSE302) Elektroniikka 1:n (FYSE300) laboratorioharjoitukset sisältävät kaksi työtä, joista ensimmäinen sisältyy A-osaan (FYSE301) ja toinen B-osaan (FYSE302). Pelkän A-osan
LisätiedotTASONSIIRTOJEN ja VAHVISTUKSEN SUUNNITTELU OPERAATIOVAHVISTINKYTKENNÖISSÄ
TSONSTOJEN ja VHVSTKSEN SNNTTEL OPETOVHVSTKYTKENNÖSSÄ H. Honkanen. SMMMEN KÄYTTÖ - Summaimelle voidaan erikseen määrittää, omaan tuloonsa: - Signaalin jännitevahvistus ja - Tasonsiirto - Mahdollisuus kytkeä
Lisätiedot1 f o. RC OSKILLAATTORIT ja PASSIIVISET SUODATTIMET. U r = I. t τ. t τ. 1 f O. KAJAANIN AMMATTIKORKEAKOULU Tekniikan ja liikenteen ala
KAJAANIN AMMATTIKORKEAKOULU Tekniikan ja liikenteen ala TYÖ 7 ELEKTRONIIKAN LABORAATIOT H.Honkanen RC OSKILLAATTORIT ja PASSIIVISET SUODATTIMET TYÖN TAVOITE - Mitoittaa ja toteuttaa RC oskillaattoreita
LisätiedotKäytännön elektroniikkakomponentit ja niiden valinta Timo Dönsberg 1
Käytännön elektroniikkakomponentit ja niiden valinta 17.10.2016 Timo Dönsberg 1 Yleistä Yksikään komponentti ei ole ideaalinen Toleranssi Stabiilisuus Lämpötilariippuvuus Taajuusvaste Lineaarisuus Hajakapasitanssi
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen
S55.103 SÄHKÖTKNKK 21.12.2000 Kimmo Silvonen Tentti: tehtävät 1,3,4,8,9 1. välikoe: tehtävät 1,2,3,4,5 2. välikoe: tehtävät,7,8,9,10 Oletko jo ehtinyt vastata palautekyselyyn Voit täyttää lomakkeen nyt.
LisätiedotSÄHKÖSTATIIKKA JA MAGNETISMI. NTIETS12 Tasasähköpiirit Jussi Hurri syksy 2013
SÄHKÖSTATIIKKA JA MAGNETISMI NTIETS12 Tasasähköpiirit Jussi Hurri syksy 2013 1. RESISTANSSI Resistanssi kuvaa komponentin tms. kykyä vastustaa sähkövirran kulkua Johtimen tai komponentin jännite on verrannollinen
LisätiedotTRANSISTORIASTEEN TOIMINTA- SUORAN MÄÄRITTÄMINEN
TRANSSTORASTEEN TOMNTA- SUORAN MÄÄRTTÄMNEN H. Honkanen Yhteisemitteri ( tai yhteissource ) kytketyn vahvistinasteen toimintasuoran määrittäminen. Toimintapisteen, eli lepopisteen, ja emitterin ( tai sourcen
LisätiedotMitataan kanavatransistorin ja bipolaaritransistorin ominaiskäyrät. Tutustutaan yhteisemitterikytketyn transistorivahvistimen ominaisuuksiin.
FYSE300 Elektroniikka 1 Elektroniikka 1:n (FYSE300) laboratorioharjoitukset sisältävät kaksi työtä: Työ 1: (osa A) Työ 2: (osa B) Peruskomponentit: vastus, diodi ja zenerdiodi. Tutkitaan vastuksen käyttöä
LisätiedotOma nimesi Puolijohteet
Puolijohteet Puolijohdetekniikan perusteet Puolijohdeaineet Puolijohteet ovat oma selvä ryhmä johteiden ja eristeiden välissä. Puhtaista alkuaineista pii ja germanium käyttäytyvät puolijohteiden tavoin.
LisätiedotElektroniikan komponentit
Elektroniikan komponentit Elektroniikka ja sähköoppi Klas Granqvist Akun Tehdas / Oy Aku s Factory Ltd Elektroniikka Elektroniikan parissa käsitellään huomattavasti pienempiä ja heikompia järjestelmiä
Lisätiedot5.2. Jännitelähde - 15 V 10 A
1 5.2. Jännitelähde - 15 V 10 A Negatiivinen jännitelähde on puhtaimmillaan vastaavan positiivisen peilikuva. Tästä saattaa olla hyötyä ajatellen laitteen häiriöherkkyyttä. Pulmana on, ettei LM 723:lle
LisätiedotRadioamatöörikurssi 2013
Radioamatöörikurssi 2013 Polyteknikkojen Radiokerho Radiotekniikka 21.11.2013 Tatu, OH2EAT 1 / 19 Vahvistimet Vahvistin ottaa signaalin sisään ja antaa sen ulos suurempitehoisena Tehovahvistus, db Jännitevahvistus
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen
S-55.103 SÄHKÖTKNIIKKA 19.12.2002 Kimmo Silvonen Tentti: tehtävät 1,3,4,7,9 1. välikoe: tehtävät 1,2,3,4,5 2. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,10 Oletko muistanut vastata palautekyselyyn? Voit täyttää lomakkeen
LisätiedotELEC-C3230 Elektroniikka 1. Luento 1: Piirianalyysin kertaus (Lineaariset vahvistinmallit)
1 ELEC-C3230 Elektroniikka 1 Luento 1: Piirianalyysin kertaus (Lineaariset vahvistinmallit) 1 luennon pääaiheet Motivointi Piirianalyysin kertaus Vahvistinmallinnus (liuku 2. luentoon) 2 https://www.statista.com/outlook/251/100/consumer-electronics/worldwide
Lisätiedot5.1.Jännitelähde + 15 V 10 A
1 5.1.Jännitelähde + 15 V 10 A Kuva 5.1.1 Kytkentäkaavio + 15 Vbv Tämä säädin on aivan rutiininomainen tyristoreja (SCR) lukuunottamatta. Transistorit T1 ja T2 muodostavat jännitelähteen laitteen omia
LisätiedotVahvistimet ja lineaaripiirit. Operaatiovahvistin
Vahvistimet ja lineaaripiirit Kotitentti 3 (2007) Petri Kärhä 20/01/2008 Vahvistimet ja lineaaripiirit 1 Operaatiovahvistin (Operational Amplifier, OpAmp) Perusvahvistin, toiminta oletetaan suunnittelussa
LisätiedotSähkötekiikka muistiinpanot
Sähkötekiikka muistiinpanot Tuomas Nylund 6.9.2007 1 6.9.2007 1.1 Sähkövirta Symboleja ja vastaavaa: I = sähkövirta (tasavirta) Tasavirta = Virran arvo on vakio koko tarkasteltavan ajan [ I ] = A = Ampeeri
LisätiedotSATE1040 Piirianalyysi IB kevät /6 Laskuharjoitus 5: Symmetrinen 3-vaihejärjestelmä
1040 Piirianalyysi B kevät 2016 1 /6 ehtävä 1. lla olevassa kuvassa esitetyssä symmetrisessä kolmivaihejärjestelmässä on kaksi konetta, joiden lähdejännitteet ovat vaihejännitteinä v1 ja v2. Järjestelmä
LisätiedotKOLMIVAIHEINEN PWM-VAIHTOSUUNTAAJA OPETUSKÄYTTÖÖN
TAMPEREEN AMMATTIKORKEAKOULU Sähkötekniikan koulutusohjelma Sähkövoimatekniikka Tutkintotyö, KOLMIVAIHEINEN PWM-VAIHTOSUUNTAAJA OPETUSKÄYTTÖÖN Työn valvoja Yliopettaja Väinö Bergman Työn teettäjä Tampereen
LisätiedotTYÖ 2: OPERAATIOVAHVISTIMEN PERUSKYTKENTÖJÄ
TYÖ 2: OPERAATIOVAHVISTIMEN PERUSKYTKENTÖJÄ Työselostus xxx yyy, ZZZZZsn 25.11.20nn Automaation elektroniikka OAMK Tekniikan yksikkö SISÄLLYS SISÄLLYS 2 1 JOHDANTO 3 2 LABORATORIOTYÖN TAUSTA JA VÄLINEET
LisätiedotSähköautoprojekti Pienoissähköauto Elektroniikan kokoonpano Moottoriohjain. http://www.elwis.fi
Sähköautoprojekti Pienoissähköauto Elektroniikan kokoonpano Moottoriohjain http://www.elwis.fi Sisällys Elektroniikan osalista... 3 Tarvittavat työkalut... 3 Elektroniikan rakentaminen... 4 1. Piirilevyn
LisätiedotLOPPURAPORTTI 19.11.2007. Lämpötilahälytin. 0278116 Hans Baumgartner xxxxxxx nimi nimi
LOPPURAPORTTI 19.11.2007 Lämpötilahälytin 0278116 Hans Baumgartner xxxxxxx nimi nimi KÄYTETYT MERKINNÄT JA LYHENTEET... 3 JOHDANTO... 4 1. ESISELOSTUS... 5 1.1 Diodi anturina... 5 1.2 Lämpötilan ilmaisu...
LisätiedotPERUSELEKTRONIIKAN KOMPONENTTIEN TUNNISTAMINEN
Kai Ahola PERUSELEKTRONIIKAN KOMPONENTTIEN TUNNISTAMINEN Käsikirja ammattiopisto-opintoihin Opinnäytetyö CENTRIA-AMMATTIKORKEAKOULU Sähkötekniikan koulutusohjelma Tammikuu 2018 TIIVISTELMÄ OPINNÄYTETYÖSTÄ
LisätiedotVcc. Vee. Von. Vip. Vop. Vin
5-87.2020 Elektroniikka II Tentti ja välikoeuusinnat 27.05.2011 1. Våitikokeen tehtiivät l-4,2. välikokeen tehtävät 5-8 ja tentin tehtävät l,2,6ja 8. Kirjoita nimesi ja opiskelijanumerosi jokaiseen paperiin
LisätiedotPERUSRAKENTEET Forward converter, Myötävaihemuunnin ( BUCK regulaattori )
HAKKRIKYTKENNÄT H. Honkanen PERSRAKENTEET Forward converter, Myötävaihemuunnin ( BCK regulaattori ) Toiminta: Kun kytkin ( = päätetransistori ) on johtavassa tilassa, siirtyy virta I 1 kelan kautta kondensaattoriin
LisätiedotRadioamatöörikurssi 2014
Radioamatöörikurssi 2014 Polyteknikkojen Radiokerho Radiotekniikka 4.11.2014 Tatu, OH2EAT 1 / 25 Vahvistimet Vahvistin ottaa signaalin sisään ja antaa sen ulos suurempitehoisena Tehovahvistus, db Jännitevahvistus
LisätiedotELEC C4210 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Kimmo Silvonen
2. välikoe.2.207. Saat vastata vain neljään tehtävään!. aske jännite u 2 (t) ajan t 4 t kuluttua kytkimen sulkemisesta. 9 V S 50 Ω, 00 Ω, 50 Ω. t 0 {}}{{}}{ S t 0 u u 2 (t) 2. aske jännite U yhden millivoltin
LisätiedotOPERAATIOVAHVISTIMET 2. Operaatiovahvistimen ominaisuuksia
KAJAANIN AMMATTIKORKEAKOULU Tekniikan ja liikenteen ala TYÖ 11 ELEKTRONIIKAN LABORAATIOT H.Honkanen OPERAATIOVAHVISTIMET 2. Operaatiovahvistimen ominaisuuksia TYÖN TAVOITE Tutustua operaatiovahvistinkytkentään
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA
S-55.00 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Tentti 6.5.007: tehtävät,3,4,6,0. välikoe: tehtävät,,3,4,5. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0 Saat vastata vain neljään tehtävään/koe; ne sinun pitää itse valita! Kimmo
LisätiedotFysE301/A Peruskomponentit: vastus, diodi ja kanavatransistori
Tiia Monto Työ tehty:.3. ja 8.3.00 tiia.monto@jyu. 040758560 FysE30/A Peruskomponentit: vastus, diodi ja kanavatransistori Assistentti: Arvostellaan: Abstract Työssä tutkittiin vastusta, diodia ja transistoria.
LisätiedotIIZE3010 Elektroniikan perusteet Harjoitustyö. Pasi Vähämartti, C1303, IST4SE
IIZE3010 Elektroniikan perusteet Harjoitustyö Pasi Vähämartti, C1303, IST4SE 2 (11) Sisällysluettelo: 1. Tehtävänanto...3 2. Peruskytkentä...4 2.1. Peruskytkennän käyttäytymisanalyysi...5 3. Jäähdytyksen
LisätiedotDR-3528FX30-12W COOL WHITE 3528(1210) 30 LED/m 8mm 2.4W 6000-7000K DC 12V IP20 3M Teippi
SAFETY HOUSE ELECTRONICS www.safetyelectronics.net myynti@safetyhouse.net 040-7017600 Nauhan Teho/ Värin Malli nro. Väri LED:in tyyppi LED:iä / metri Jännite leveys metri lämpö SMD 3528 LED nauha, 5M/Rulla
LisätiedotTaitaja2008, Elektroniikkalajin semifinaali 24.1.2008
Taitaja2008, Elektroniikkalajin semifinaali 24.1.2008 Kilpailijan nimi: 1) Oheisen kytkennän kokonaisresistanssi on n. 33 Ohm 150 Ohm a) 70 Ohmia b) 100 Ohmia c) 120 Ohmia 120 Ohm 2) Oheisen kytkennän
Lisätiedot7.5.2 Varauskontrollianalyysi (Charge Control Analysis) Emitteriin täytyy lisäksi syöttää rekombinaatioon tarvittava virta Q N Q I I CI ) Q I.
7.5.2 Varauskontrollianalyysi (Charge Control Analysis) 106 Varastoitunut varaus normaalimuodossa, Q N Varastoitunut varaus käänteisessä muodossa,q 1 I CN = Q N τ tn, τ tn on aukon kulkuaika kannassa normaalimuodossa
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu
S-55.00 SÄHKÖTKNIIKKA JA KTONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakol Kimmo Silvonen Tentti 30.5.03: tehtävät,3,4,6,0.. välikoe: tehtävät,,3,4,5.. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0. Saat vastata vain
LisätiedotDiodit. I = Is * (e U/n*Ut - 1) Ihanteellinen diodi
Diodit Puolijohdediodilla on tasasuuntaava ominaisuus, se päästää virran lävitseen vain yhdessä suunnassa. Puolijohdediodissa on samassa puolijohdepalassa sekä p-tyyppistä että n-tyyppistä puolijohdetta.
LisätiedotVahvistimet. A-luokka. AB-luokka
Vahvistimet A-luokka A-luokan vahvistimen molemmat päätevahvistin tarnsistorit johtavat, vaikke vahvistinta käytettäisi. Vahvistinta käytettäessä jatkuva lepovirta muuttuu ja näin vältytään kytkentäsäröltä
LisätiedotElektroniikka ja sähkötekniikka
Elektroniikka ja sähkötekniikka Sähköisiltä ilmiöiltä ei voi välttyä, vaikka ei käsittelisikään sähkölaitteita. Esimerkiksi kokolattiamatto, muovinen penkki, piirtoheitinkalvo tai porraskaide tulevat sähköisiksi,
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA
S-55.11 SÄHKÖTKNIIKKA JA KTONIIKKA Kimmo Silvonen Tentti.1.11: tehtävät 1,3,5,6,1. 1. välikoe: tehtävät 1,,3,4,5.. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,1. Saat vastata vain neljään tehtävään/koe. Sallitut: Kako,
LisätiedotTASASUUNTAUS JA PUOLIJOHTEET
TASASUUNTAUS JA PUOLIJOHTEET (YO-K06+13, YO-K09+13, YO-K05-11,..) Tasasuuntaus Vaihtovirran suunta muuttuu jaksollisesti. Tasasuuntaus muuttaa sähkövirran kulkemaan yhteen suuntaan. Tasasuuntaus toteutetaan
LisätiedotS SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu
S-55.00 SÄHKÖTKNKKA JA LKTONKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu Kimmo Silvonen Tentti 4.5.0: tehtävät,3,4,6,8.. välikoe: tehtävät,,3,4,5.. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0. Saat vastata vain neljään
LisätiedotMultivibraattorit. Bistabiili multivibraattori:
Multivibraattorit Elektroniikan piiri jota käytetään erilaisissa kahden tason systeemeissä kuten oskillaattorit, ajastimet tai kiikkut. Multivibraattorissa on vahvistava elementtti ja ristiinkytketyt rvastukset
Lisätiedot