Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X) 5.10.2015



Samankaltaiset tiedostot
Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X)

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X)

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X)

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T700504

Sähkötekniikka ja elektroniikka

Sähköpajan elektroniikkaa

Sähkötekniikka ja elektroniikka

Elektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus

Sähköpajan elektroniikkaa

Transistoreiden merkinnät

Sähkötekniikka ja elektroniikka

Elektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus

Sähköpajan elektroniikkaa

Aineopintojen laboratoriotyöt I. Ominaiskäyrät

Sähkötekniikka ja elektroniikka

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T320003

BL40A1711 Johdanto digitaalielektroniikkaan: CMOS-tekniikka ja siihen perustuvat logiikkapiiriperheet

PUOLIJOHTEET tyhjennysalue

C 2. + U in C 1. (3 pistettä) ja jännite U C (t), kun kytkin suljetaan ajanhetkellä t = 0 (4 pistettä). Komponenttiarvot ovat

DEE Sähkötekniikan perusteet

Näytteen liikkeen kontrollointi

ELEC-C6001 Sähköenergiatekniikka, laskuharjoitukset oppikirjan lukuun 10 liittyen.

CC-ASTE. Kuva 1. Yksinkertainen CC-vahvistin, jossa virtavahvistus B + 1. Kuva 2. Yksinkertaisen CC-vahvistimen simulaatio

SÄHKÖENERGIATEKNIIIKKA. Harjoitus - luento 7. Tehtävä 1

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

Elektroniikka ja sähkötekniikka

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

KIMMO SILVONEN ELEKTRONIIKKA JA SÄHKÖTEKNIIKKA

FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe (Vastaa kaikkiin viiteen tehtävään)

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

Elektroniikka. Mitä sähkö on. Käsitteistöä

ELEC C4210 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Kimmo Silvonen

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe Vastaa kaikkiin viiteen kysymykseen

PERUSRAKENTEET Forward converter, Myötävaihemuunnin ( BUCK regulaattori )

Elektroniikan komponentit

Sähkötekniikka ja elektroniikka

DIODIN OMINAISKÄYRÄ TRANSISTORIN OMINAISKÄYRÄSTÖ

AB LUOKAN AUDIOVAHVISTIMEN SUUNNITTELUOHJEITA

SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

Taitaja2005/Elektroniikka. 1) Resistanssien sarjakytkentä kuormittaa a) enemmän b) vähemmän c) yhtä paljon sähkölähdettä kuin niiden rinnankytkentä

Sähköautoprojekti Pienoissähköauto Elektroniikan kokoonpano Moottoriohjain.

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

SMG-1100: PIIRIANALYYSI I

SMG-2100: SÄHKÖTEKNIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

IGBT-TRANSISTORI. Janne Salonen. Opinnäytetyö Joulukuu 2013 Tietoliikennetekniikka Sulautetutjärjestelmät ja elektroniikka

Kaikki kytkennät tehdään kytkentäalustalle (bimboard) ellei muuta mainita.

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

Mittalaitetekniikka. NYMTES13 Vaihtosähköpiirit Jussi Hurri syksy 2014

Arduino ja perusteita

Multivibraattorit. Bistabiili multivibraattori:

1 Kohina. 2 Kohinalähteet. 2.1 Raekohina. 2.2 Terminen kohina

TYÖ 58. VAIMENEVA VÄRÄHTELY, TASASUUNTAUS JA SUODATUS. Tehtävänä on vaimenevan värähtelyn, tasasuuntauksen ja suodatuksen tutkiminen oskilloskoopilla.

Sähkötekniikka ja elektroniikka

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

ELEC C4210 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

Sähkötekniikka ja elektroniikka

PIIRIANALYYSI. Harjoitustyö nro 7. Kipinänsammutuspiirien mitoitus. Mika Lemström

Radioamatöörikurssi 2011

5.1.Jännitelähde + 15 V 10 A

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

VAIHTOVIRTAPIIRI. 1 Työn tavoitteet

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu

Diodit. I = Is * (e U/n*Ut - 1) Ihanteellinen diodi

TRANSISTORIASTEEN TOIMINTA- SUORAN MÄÄRITTÄMINEN

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X)

Sähkötekniikka ja elektroniikka

OPERAATIOVAHVISTIN. Oulun seudun ammattikorkeakoulu Tekniikan yksikkö. Elektroniikan laboratoriotyö. Työryhmä Selostuksen kirjoitti

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

ELEC-E8421 Tehoelektroniikan komponentit 1 (9) Tentti , kello 13: :00, sali AS1

Elektroniikan alkeita erittäin lyhyt versio

Sähkötekniikka ja elektroniikka

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

LOPPURAPORTTI Lämpötilahälytin Hans Baumgartner xxxxxxx nimi nimi

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu

Fysiikan laboratoriotyöt 1, työ nro: 3, Vastuksen ja diodin virta-jänniteominaiskäyrät

Oma nimesi Puolijohteet

SMG-5250 Sähkömagneettinen yhteensopivuus (EMC) Jari Kangas Tampereen teknillinen yliopisto Elektroniikan laitos

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA Aalto-yliopisto, sähkötekniikan korkeakoulu

DEE-11110: SÄHKÖTEKNIIKAN PERUSTEET

Sähkötekniikan perusteet

IIZE3010 Elektroniikan perusteet Harjoitustyö. Pasi Vähämartti, C1303, IST4SE

Kondensaattorin läpi kulkeva virta saadaan derivoimalla yhtälöä (2), jolloin saadaan

Taitaja2004/Elektroniikka Semifinaali

Sähkötekniikan perusteet

Radioamatöörikurssi 2017

Mitataan kanavatransistorin ja bipolaaritransistorin ominaiskäyrät. Tutustutaan yhteisemitterikytketyn transistorivahvistimen ominaisuuksiin.

S Elektroniikan häiriökysymykset. Laboratoriotyö, kevät 2010

Arduino. Kimmo Silvonen (X)

Automaation elektroniikka T103403, 3 op SAU14snS. Pekka Rantala kevät 2016

FYSE301(Elektroniikka(1(A3osa,(kevät(2013(

FYSP105/2 VAIHTOVIRTAKOMPONENTIT. 1 Johdanto. 2 Teoreettista taustaa

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

PERUSELEKTRONIIKAN KOMPONENTTIEN TUNNISTAMINEN

Transkriptio:

Sähköpaja Kimmo Silvonen (X)

Elektroniikan komponentit Erilliskomponentit ja IC:t Passiivit: R C L Aktiiviset diskreetit ja IC:t Bipolaaritransistori BJT Kanavatransistorit FET Jänniteregulaattorit (pajan) Operaatiovahvistin sovelluskytkentöineen Page 2 (15)

Vastus, resistanssi R Pajan vastukset ovat yleensä P MAX = R I 2 = 0,25 W tai 0,5 W eff "Big Boys Race Our Young Girls, but Violet Generally Wins!" Page 3 (15)

Kondensaattori, kapasitanssi C Sarjakondensaattori blokkaa tasavirran, päästää signaalin läpi Rinnakkaiskondensaattori voi vaatia etuvastuksen Jännitekestoisuus DC/AC! Kuivat muovieristeiset Elektrolyyttikondensaattorit C > noin 1 µf Superkondensaattorit C > noin 1 F (heikko jännitekestoisuus) u i C R S + R u(t) C U AVE i = C du dt Tämä pätee aina (vrt. u = Ri vastuksessa). Page 4 (15)

Kela, induktanssi L Hidastaa virran muuttumista Tasavirta menee esteettömästi läpi. Virran katkaisu aiheuttaa lyhyen korkean jännitepiikin (Diracin deltafunktio)! Suojaus esim. normaalisti estosuuntaisella diodilla. Myös moottorin rinnalle! u = L di dt R t = 0 Tämä pätee aina (vrt. u = Ri vastuksessa). i(t) L u(t) u t t = 0 Page 5 (15)

LED = loistediodi vs. fotodiodi Myös laserdiodi (optinen tietoliikenne) ja IR = infrared Esimerkkinä LED merkkivalona, oikealla fotodiodi: E U E R I U 1,8 V Ledeillä ja muilla diodeilla sallittu jänniteikkuna on hyvin kapea: hieman liian pieni U ei johda, hieman liian suuri U kärähtää! Page 6 (15)

Transistori BJT Bipolar Junction Transistor, β 100 (?), kasvaa kuumetessa, P U CE I C Pienillä kirjaimilla merkitään ajan funktioita, isoilla tasavirtoja. Kollektori, C NPN i C Kanta, base, B u CE i R B B u BE Emitteri, E Kun U CE noin 0,3 V: PNP i C = βi B Kanta emitteri -välissä on päästösuuntainen diodi. Virrallisena: u BE 0,7 V (npn) Page 7 (15)

Darlington-transistori Suuri virtavahvistus, toimii kuin tavallinen BJT (β 1(1 + β 2 ) + β 2 )I B I B 0,3 V 1,4 V Page 8 (15)

Transistori puskurivahvistimena (virtapuskuri) Eroaa esim. E-NMOSFETistä siinä, että vaatii (pienen) ohjausvirran I B E Kuorma kytketty E:hen 0,7 V U EB R U I B TIP41C NPN I TIP42C PNP C 1 Arduino U Arduino 0 R I B Kuorma kytk. maahan I U BE 0,7 V C Kuvissa kuorman R läpi kulkee virtaa (huomaa suojadiodit). BJT:n U MIN 0,3 V; FET on tässä suhteessa parempi ja toimii tarvittaessa myös jännitteellä säädettävänä vastuksena! Data-lehdillä PNP-transistorin I B ja I C sekä NPN-trankun I E ovat negatiivisia (IEC määrittelee virrat aina sisäänpäin). Page 9 (15)

Kanavatransistorit FET avauskanavatransistori (enhancement), sulkukanavatransistori (depletion) ja liitoskanavatransistori (junction), ENMOSFET on loogisin, googlaa dtf.pdf! G D enmos S avaus CMOS epmos avaus dnmos sulku njfet liitos dpmos sulku pjfet liitos G D S B (vain MOSFET) gate drain source body, bulk hila nielu lähde substraatti Page 10 (15)

Enmosfet: Enhancement N-Channel MOSFET Käyttö muistuttaa NPN-transistoria, ohjataan jännitteellä U GS! Vastaavasti P-Channel MOSFET muistuttaa PNP-transistoria. Kynnysjännite U t (threshold) I D 0 U GS > U t I D > 0 U GS < U t I D = 0 I G = 0 U GS U DS > 0 Toimii säädettävänä vastuksena pienillä U DS :n arvoilla: 1 R DS 2K(U GS U t ) U DS << U GS U t Page 11 (15)

Jänniteregulaattori, kotelo TO-220 Pajalla mm.: LM 7805CT ja LD1117V33C LDO, ym. R JC 3 C/W, R JA 50 C/W LD1117V33C Low dropout (LD1117V33C) i o Max LM 7805CT 1 A (4,4...15 V) common (3,3 V) 7...35 V 0,33µ gnd 0,1µ 5 V Page 12 (15)

Operaatiovahvistin erittäin hyvä yleistyökalu! 1-puolinen jännitelähde: Pajalla mm. TLV2372, rail-to-rail (ei kuormitettuna!). 0 0 0 + V DD + GND 2,7...16 V Page 13 (15)

Kaksipuolinen syöttöjännite Suositeltava audiosignaaleille, Pajalla monia kaksikko- tai nelikkomalleja. "Klassisen" 741:n standardi pinnijärjestys: + +?...18 (22) V?...18 (22) V Page 14 (15)

Sovelluskytkentöjä liitutaululla Invertoiva vahvistin Ei-invertoiva vahvistin Puskurivahvistin Integraattori (passiivi vs. akt.) Suodattimet (LP, HP, BP, BS) Pajan opareita: TL074CNE4, quad JFET, DIP14 TL072IP, JFET, PDIP8 OP07CP, low offset, DIP8 LM358NG, BJT, PDIP-8 OP27GPZ, low noise precision, DIP8 Page 15 (15)