' ' MJE3055~ i'.. "' f'... r-...

Koko: px

Aloita esitys sivulta:

Download "' ' MJE3055~ i'.. "' f'... r-..."

Heidi Saarinen
7 vuotta sitten
Katselukertoja:

1 \ FYSE4 ANALOGELEKTRONKAN LOPPUTENTT 21 1 Tehtiivii (a) Liitteessa on esitetty ote n-kanavaisen fetin BS17 datalehdesta. Piirra sen sisaltaien tietojen perusteella fetin SOA (Safe Operating Area) kun Vvs>2.5V liitteessa olevalle koko-logariti paperille. Oleta, etta fetin Drain-virta lv on dc-tyyppista. Taa sivu tulee siis uistaa palauttaa taytettyna vastauspaperin ukana. Muista erkita pysty- ja vaaka-akselien sybolit ja yksikot. (b) Alia olevassa kuvassa on esitetty ote eraan NPN-transistorin (MJE355) terisista tiedoista. Maarita transistorin suurin sallittu liitoslapotila TJax. seka power derating factor. 9 8 ;n i 7 z 6 a.; 5 (i) (/) 4 i5 a:: 3 a.. 2 a.. 1 "' ' ' MJE355 i'.. MJE2955T "' f'... r T c. CASE TEMPERATURE ( C) Figure 3. Power Derating MJE355T (c) Maarita laskealla lopuksi transistorin tehon kesto Pv, kun kotelon lapotila voidaan pitaa vakiona 75 C. Pisteita heruu siis kayttaalla laskukaavaa, jolla tehonkesto voidaan laskea kun kotelon lapotila on yli 25 C. (d) Esita kaava, jolla voidaan laskea transistorin liitoslapotila staattisessa tilassa systeeille, jossa on jaahdytyslevy kiinnitettyna transistorin koteloon. Jaahdytyslevy on vapaasti yparilla olevassa ilatilassa, jonka lapotila on vakio Ta. Kaavassa tulee ottaa huoioon kaikki laporesistanssit (R8xx) valilla, puolijohteesta ilaan.

2 2 Tehtava Osoita, etta NPN-transistorin kollektorivirta voidaan antaa alla olevassa uodossa, kun transistori biasoidaan yotasuuntaiselle aktiiviselle (forward active) toiinta-alueelle (C-B liitos estosuuntaan ja B-E liitos yotasuuntaan). Seka transistorin Ebers-Moll allin ukaiset yhta.ot: npn veb--- -vee JBl B Coon-base configuration 3 Tehtava Laske arvot virroille lc1, lc2, da lr. Anna arvo vastukselle Rc siten, etta Vo = 6V. Early voltage VA = oo R j 21k 2.8k

3 4 Tehtava Mitoita Butterworth ylipiiiisto suodin, seuraaville paraetreille: {s = 5Hz jossa vahiaisvaiennus on 4bB {c =25Hz (-3db cutoff frequency) db :::::::: : -3 : fc=25hz [f]hz 1 fs=5hz 5 Tehtava Osoita, etta takaisinkytketyn ei-invertoivan operaatiovahvistien jannitevahvistus on uotoa Av = Avo(Rl +R2) Rl +R2 +Ro +orl Kayta alla olevaa sijaiskytkentaa. Oleta, etta R; = oo.

4 ' Tehtava Johda viereisen FET-asteen keskikaistan jfuitevahvistus Av. Osoita, etta se voidaan esittiiii uodossa: issii Piirrii yos vahvistien piensignaalialli. Jiitii FETN rd pois laskuista.

5 ... tfinational Seiconductor BS17/MMBF17 N-Channel Enhanceent Mode Field Effect Transistor General Description These N-channel enhanceent ode field effect transistors are produced using National's very high cell density third generation DMOS technology. These products have been designed to iniize on-state resistance, provide rugged and reliable perforance and fast switching. They can be used, with a iniu of effort, in ost applications requiring up to 5 rna DC. This product is particularly suited to low voltage, low current applications, such as sall servo otor controls, power MOSFET gate drivers, and other switching applications T-92 BS17 TUG/ Absolute Maxiu Ratings D T-236AB (SOT-23) MMBF17 Features Efficient high density cell design approaching (3 illion/in2) Voltage controlled sall signal switch Rugged High saturation current Low Ros(on) TUG/ Sybol Paraeter 8517 MMBF17 Voss Drain-Source Voltage 6 VoGR Drain-Gate Voltage (RGs,;; 1 Mn) 6 VGss Gate-Source Voltage ±2 lo Drain Current-Continuous Pulsed 8 Po Total Power Dissipation 83 3 Derate above 25'C TJ, TsTG Operating and Storage Teperature Range -55to15 TL Maxiu Lead Teperature for Soldering 3 Purposes, Y.,6 fro Case for 1 Seconds s August 1992 TL/G/ Units v v v rna rna W W/'C c c en s::: s::: "T z»!!.» n CD 3 CD -s::: Q. CD "T i' ii -CD n -1...» tn ur 1995 National Seiconductor Corporation TL/G/11379 RR-83M115/Printed in U. 5. A.

6 ( ( ll_ll_/_ 7114 bz 'l ) \ --1f---t--t A' 11. o/ L L / 1 v / -A / L _ 7 j.,_/_ / L.. -- v / / V v / /r- _ 7 L LL / / - / 3./ :_- L 3 ' / / 7- ' i! 1/ v / V 7 / ; / / /1 r---/ / f-.- // ;/ / / v n=1 V /1 / / / / 3V f 1 -!T/!77/ L. / 4 / J!J 1//J;/ / /. /'?_.<: /, //1 ll////.l.,.;- _.,...y 1 / /!ll///..v1 _.f / 74{) ilt'h'i /v- c:::1 // /5./ 7Jh fjv7.- 7 _...v 7'<y - ::.-7.-:ro1,_ L-:::: T T T T T T 1 o 6 k--==r= o- Fig Attenuation characteristics fur ButteiWorth filters. (Fro A.. Zverev, Handbook of Filter ynthesis, Wiley, New York, 1967.) <>. '

7 TABLE 19-5 Butterworth Noralized Active Low-Pass Values OrderN Ct c2 Ca n 1.n. n (a.) Fig (a) Basic two-pole section; (b) basic three-pole section. (b)

Samankaltaiset tiedostot

FYSE301(Elektroniikka(1(A3osa,(kevät(2013(

FYSE301(Elektroniikka(1(A3osa,(kevät(2013( 1/2 Loppukoe1.3.2013 vastaakaikkiinkysymyksiin(yhteensä48pistettä) 1. Kuvailelyhyesti a. Energialineaarisissapiirielementeissä:vastuksessa,kondensaattorissajakelassa(3