FYSE300 Elektroniikka 1 Elektroniikka 1:n (FYSE300) laboratorioharjoitukset sisältävät kaksi työtä: Työ 1: (osa A) Työ 2: (osa B) Peruskomponentit: vastus, diodi ja zenerdiodi. Tutkitaan vastuksen käyttöä osana virtapiiriä, mitataan diodien ominaiskäyrät, rakennetaan diodin avulla rajoitinpiiri ja käytetään zeneriä jännitevakavoinnissa. Mitataan kanavatransistorin ja bipolaaritransistorin ominaiskäyrät. Tutustutaan yhteisemitterikytketyn transistorivahvistimen ominaisuuksiin. Työohjeet sisältävät: - Esitehtäviä, jotka tulee olla tehtyinä ennen mittausten aloittamista (E) - Mittaukset (M) - Mittausten analysointitehtäviä (T) Mittauksissa huomioitavia asioita: Kaikki kytkennät tehdään kytkentäalustalle (bimboard) ellei muuta mainita. Levyn sivulla olevat liittimet (V1-3 ja maa ) eivät ole valmiiksi kytkettynä mihinkään. Joten jos käytät niitä, pitää ne aina tuoda erillisillä johtimilla levylle haluamaasi kohtaan. Kytkentälevy koostuu kolmesta samanlaisesta, mutta erillisestä osasta, joissa rivi A on kokonaisuudessaan samaa potentiaalia. Tämän rivin alla ovat sarakkeittain (1-47) samaa potentiaalia B-F ja G-K. Näiden alla on rivi L, joka on kytketty kuten rivi A. V1 A B D E 10 15 45 V2 G H I J K L A akenna mahdollisimman yksinkertaiset kytkennät = johtimien lukumäärä minimiin. Johtimien liikapituusdestakaan ei ole hyötyä. Piirikaavioihin ei ole merkitty tarvittavia mittareita, on vain ilmoitettu mitä suureita pitää mitata. Mittalaitteena käytetään joko oskilloskooppia (näkee jännitteen muodon) tai yleismittaria (helpompi tulkita). Mittaajalle on jätetty osittain omaan harkintaan myös mittausalueiden ja -arvojen valinnat. Jännitteet mitataan aina maapotentiaalia vasten. Huom. Jännite otetaan ja navoista (EI maan ja :n väliltä) 1
Jos piiri ei toimi haluamallasi tavalla, niin tarkasta mittauskytkentä ja mittalaitteiston / jännitelähteiden asetukset. Tämän jälkeen toista edellinen tarkastus uudestaan. Jos ei vieläkään löytynyt vikaa, niin kokeile onko mahdollisesti komponenttien tai mittausjohtimien vaihtamisella vaikutusta. MAXOM-9300 sisältää säädettävän tasajännitelähteen (myös kiinteitä), funktiogeneraattorin ja yleismittarin. Toisena säädettävänä tasajännitelähteenä käytä GW:tä, joka on työpöydän yläpuolella olevassa panelissa. Töissä tarvittavat komponentit löytyvät laboratoriossa olevasta lokerikosta omilta paikoiltaan sinunkin mittaustesi jälkeen! Tarkasta varmuuden vuoksi vastusten resistanssiarvot! Muistathan: Virtamittari aina sarjaan ja jännitemittari aina rinnan mitattavan komponentin kanssa. virtamittari 0 ja jännitemittari V Z A Z Työselostusta koskevat samat säännöt kuin cum laude -töitä yleensä (katso ohjeet laboratorion wwwsivuilta). Virheanalyyseissä saa käyttää (ja joskus myös suotavaa) omaa harkintaa eli virhekaavojen johtaminen ei ole tarpeellista. Työselostuksessa tulee verrata saatuja tuloksia valmistajan ilmoittamiin spesifikaatioihin aina, kun se on mahdollista (esim. zenerjännitteet). Laboratoriossa olevaan kansioon on kerätty mittauksissa käytettävien komponenttien datasivuja, mutta löydät ne tuotetunnuksen perusteella myös valmistajien www-sivuilta. Liitä työselostukseen myös esitehtävien vastaukset. Kumpikin työ arvostellaan pistein 1-12, joka on osa kurssin kokonaispistemäärää. Seuraavassa on listattu kirjoja, joista saattaa olla apua töitä tehdessä:.j Smith: Electronics ircuit & Devices V. Volotinen: Analogiaelektroniikka (laboratoriossa) Horenstein, Wassermann: Microelectronic circuit and devices (laboratoriossa) Muutamien komponenttivalmistajien www-osoitteita: www.st.com www.nsc.com www.harris.com www.motorola.com www.siemens.com www.philips.com www.fairchildsemi.com www.ti.com 2
TYÖ 1 Peruspiirejä ja -mittauksia E1.1 Lisää kuvan 1.1 kytkentään virtamittari, jolla voit mitata vastuksen 2 läpi kulkevaa virtaa sekä lähtönapoihin kuormavastus L. V 1 1 2 V out V 2 Kuva 1.1: Vastuspiiri E1.2 Tutustu tyypilliseen diodin ominaiskäyrään. Etsi datoista diodin BAS216 maksimiestojänniteet (V ja V M ) sekä maksimi myötävirrat (I F ja I FM ). Mikä merkitysero on eri maksimiarvoilla? Mihin käyttöön tämä diodi on suunniteltu? E1.3 Etsi datasivuilta zenerdiodin BZX795V1 zenerjännite, jännitteen maksimitoleranssi, maksimi tehohäviö, maksimi zenervirta ja kotelon tyyppi. E1.4 Kerro miten zenerdiodilla toteutettu kuorma-ja tulojännitevakavointi toimii (kuva 1.7). 1.1 Virran jakautuminen ja superpositioteoreema akenna kohdassa E1.1 piirtämäsi kytkentä, jossa 1 = 390 Ω, 2 = 680 Ω ja L = 560 Ω. M1.1 Mittaa vastuksen 2 läpi kulkeva virta seuraavissa tapauksissa: 1. V 1 on oikosulussa ja V 2 = 5 V 2. V 2 on oikosulussa ja V 1 = 10 V 3. V 1 = 10 V ja V 2 = 5 V 3
1.2 Jännitteen jako, Thevenin teoreema Muuta rakentamasi kytkentä kuvan 1.2 mukaiseksi. Korvaa vastus L potentiometrillä (100kΩ). M1.2 Mittaa vastuksen 2 yli oleva jännite V o virran I o funktiona (potentiometrin ääriasennosta toiseen), kun V 1 = 10 V. I0 1 V 1 V0 2 L Kuva 1.2: Jännitteenjakokytkentä 1.3 Diodin ominaiskäyrän mittaus M1.3 Mittaa diodin 1N4007 ominaiskäyrä V d = f (I d ) myötä- ja estosuunnassa kuvan 1.3 mukaisella kytkennällä. Nosta jännitettä V S portaittain nollasta lähtien ja lue kutakin jännitteen V d arvoa vastaava virran arvo. Virran I d voit mitata jännitteenä vastuksen = 1 kω yli. Käytä GW tasajännitelähdettä ja sen finesäätöä. Estosuunnan saat mitattua kätevimmin kääntämällä jännitelähteen navat. Älä ylitä vastuksen (1/4 W) tehonkestoa (P = U I )! V S V V d Kuva 1.3: Diodin ominaiskäyrän mittauskytkentä 4
1.4 ajoittimet Käytä edelleen diodia 1N4007 ja nyt 2k2 (2.2kΩ) suuruista vastusta. akenna näistä sarjarajoitin (kuva 1.4,a). Ota sisääntulojännite funktiogeneraattorista (maxcomin output -liittimestä 50Ω/600Ω) ja säädä se niin, että siniaallon huipusta huippuun arvo (V p-p ) on 20 V ja taajuus n. 1 khz. M1.4 Mittaa oskilloskoopilla lähtöjännitettä (v out ). Piirrä lähtö- ja tulojännite samaan kuvaajaan. Huom: oskilloskooppi kytketään aina samoin kuin jännitemittari! M1.5 Mitä tapahtuu, kun taajuutta kasvatetaan ja miksi? Piirrä ulostulojännitteen kuvaaja, kun f 15 khz. Lisää kytkentään tasajännitelähde (taajuus jälleen 1kHz). M1.6 Kokeile tasajännitteen suuruuden vaikutusta ulostuloon. Piirrä lähtö- ja tulojännite samaan kuvaajaan, kun V 1 = 5V. V 1 V in V out v in v out (a) (b) Kuva 1.4: Sarjarajoittimet Muuta kytkentä rinnakkaisrajoittimeksi (kuva 1.5 a). Käytä samoja komponentteja ja mittausasetuksia. V in V out V in V out V 2 (a) (b) Kuva 1.5: innakkaisrajoittimet M1.7 Mittaa (= piirrä) molempien (a ja b) rinnakkaisrajoittimien lähtö-ja tulojännitteet, kun V 2 = 5V. Huom. diodin suunta on vaihdettu b-kohdassa! 5
1.5 Zenerdiodin estosuunnan ominaiskäyrän mittaaminen Kokoa kuvan 1.6 kytkentä, jossa zenerdiodi on tyyppiä BZX795V1 ja vastuksen resistanssiarvo on 100Ω. M1.8 Mittaa zenerdiodin estosuuntainen ominaiskäyrä V Z (I Z ). Käytä GW jännitelähdettä ja sen fine-säätöä. Nosta jännitettä V nollasta lähtien portaittain ja kirjaa ylös kutakin jännitteen V Z arvoa vastaavat virran arvot. Virran I Z voit mitata jännitteenä V vastuksen yli. Mittaa tarkasti muutosalue, jolla virta kasvaa jyrkästi. V = 0 7 V V V Z Kuva 1.6: Zenerdiodin ominaiskäyrän mittauskytkentä 1.6 Zenerdiodin päästösuunnan ominaiskäyrän mittaaminen Käännä zenerdiodi BZX795V1 päästösuuntaiseksi. M1.9 Mittaa päästöjännitteen arvo 10 ma:lla (vain yksi arvo, jota verrataan tavallisen diodin vastaavaan arvoon). 6
1.7 Jännitevakavointi zenerdiodilla Zenerdiodin yleisin käyttökohde on jännitteen vakavointi. Tasajännitelähteen yhteydessä käytettävän jännitteen vakavoijan tehtävänä on pitää lähtöjännite vakiona riippumatta kuormitusvirran tai tulojännitteen muutoksista. akenna tyypillinen zenerillä toteutettu rinnakkaisvakavoija kytkentä, joka on kuvassa 1.7. Zenerdiodi on kytketty estosuuntaan tulojännitteeseen V S nähden. Käytä seuraavia komponentteja: L = 330, S = 220 ja zenerdiodi on tyyppiä BZX795V1. S V S L V out Kuva 1.7: Yksinkertainen jännitevakavointikytkentä M1.10 Mittaa virtamittarilla zenerdiodin estosuuntainen virta I Z zenerin yli olevan jännitteen funktiona (V Z = V out ), kun tasajännitettä V S kasvatetaan 0 12 V. Mittaa samalla myös sekä V out että V S tarkasti jännitemittareilla. Tihennä mittausväliä zenerjännitealueen läheisyydessä. Aseta tulojännitteeksi 10 V. M1.11 Mittaa lähtöjännitettä V out ja kuormavirtaa I L, kun kuorman suuruutta muutetaan ( L 0 10 kω). Käytä kuormavastuksena 10k potentiometriä. Virran jakautuminen ja superpositioteoreema T1.1 Johda yhtälö vastuksen 2 kautta kulkevalle virralle I 2 (mittaus M1.1). T1.2 Vertaa mittauksessa M1.1 saatuja virran I 2 arvoja laskettuihin tuloksiin. Jännitteen jako, Thevenin teoreema T1.3 Piirrä mittaamasi kuormitussuora. T1.4 Esitä kuorman L näkemä Thevenin ekvivalenttikytkentä, jossa V th ja th on laskettu vastuksien 1, 2 arvoista ja jännitteestä V 1. T1.5 Vertaa arvoja mittaustuloksien perusteella saatuihin V th :n ja th :n arvoihin. Selitä miten V th ja th määritetään saamastasi kuvaajasta. 7
Diodin ominaiskäyrän mittaus T1.6 Piirrä mittaustulosten perusteella diodin ominaiskäyrä ja määritä rakentamasi kytkennän toimintapiste, kun käyttöjännite on 3V. T1.7 Määritä diodin dynaaminen resistanssi piirtämästäsi ominaiskäyrän kuvaajasta, kun I d on noin 8mA. Dynaaminen resistanssi määräytyy ominaiskäyrän kulmakertoimesta halutussa toimintapisteessä (I d = 8mA). ajoittimet T1.8 Päättele saamastasi kuvaajasta, miten sarjarajoittimessa (kohta b) lähtöjännite muuttuu, kun jännitelähteen V 1 napaisuus vaihdetaan. Piirrä kuvaaja. T1.9 Päättele saamastasi kuvaajasta, miten rinnakkaisrajoittimen (kohta b) lähtöjännite muuttuu, kun diodin napaisuus vaihdetaan. Piirrä kuvaaja. Zenerdiodin estosuunnan ominaiskäyrän mittaaminen T1.10 Piirrä Zener-diodin ominaiskäyrä V Z (I Z ) eli jännite virran funktiona samaan kuvaajaan. Kuinka suuri on diodin mitattu zenerjännite? T1.11 Määritä kyseisestä ominaiskäyrästä zenerin dynaaminen resistanssi käyrän lineaarisella osuudella eli kun jännite on yli zenerjännitteen. Zenerdiodin päästösuunnan ominaiskäyrän mittaaminen T1.12 Vertaa tuloksia tavallisen piidiodin (esim. 1N4007) vastaavaan arvoon. Jännitevakavointi zenerdiodilla T1.13 Piirrä tulojännitteen vakavointikäyrä V out (V S ) ja määritä siitä tulojännite V S, jonka kohdalla zenerdiodi alkaa vakavoimaan. Onko tämä jännite sama kuin zenerjännite? T1.14 Kun zenerdiodi johtaa, mitä tapahtuu zenerin virralle I Z tulojännitteen V S edelleen kasvaessa? T1.15 Määritä laskennallisesti, millä välillä syöttöjännite saa vaihdella kuvan 1.7 kytkennässä, jotta lähtöjännite vielä pysyy vakiona. Zenervirta ei saa alittaa arvoa 5mA (koska muuten vakavointi ei toimi kunnolla) eikä zenerin tehohäviö ylittää arvoa 500mW. Mikä olisi etuvastuksen tehohäviö tällä syöttöjännitteellä? Zenerdiodin dynaaminen resistanssi oletetaan nollaksi. T1.16 Piirrä kuorman vakavointikäyrä V L (I L ). T1.17 Kuinka suuri kuormitusvirta kytkennästä maksimissaan saadaan vakavoinnin vielä toimiessa? Mikä rajoittaa kuormitusvirran suuruutta? T1.18 Määritä laskennallisesti resistanssialue, jolla kuorman resistanssi saa vaihdella zenerin hajoamatta ja ulostulon jännitteen silti pysyessä nimellisarvossaan 5,1 V (komponenttien arvot samat kuin kohdassa 1.7). Käyttöjännite pysyy vakiona V S = 30V. Zenervirta ei saa alittaa 5mA ja Zenerdiodin dynaaminen resistanssi oletetaan nollaksi. Jännitevakavointi suoritetaan usein regulaattorilla (esimerkiksi LM140 /340 /7800) T1.19 Etsi komponenttivalmistajan datasivuilta regulaattorille tyypillisiä ominaisuuksia. Miten regulaattoreita luokitellaan ja mitä tietoa saadaan niiden tuotetunnuksista? 8
TYÖ 2 Transistorit E2.1 Minkä tyyppinen transistori on BS170? Selvitä kotelon TO-92 pinnijärjestys (G,D,S). Etsi suurin sallittu jatkuva hilajännitte V GS ja virta I DS. E2.2 Selvitä transistorin 2N2222 pinnijärjestys (TO-18). Mikä on tämän transistorin suurin sallittu kollektori-emitteri jännite ja kollektorivirta? E2.3 Tutustu transistoreiden ominaiskäyriin. Mitä tarkoittavat cutoff-, saturaatio- ja lineaarinen toiminta-alue bipolaaritransistoreilla? Mikä on FETien saturaatioaluetta? Miten komponentit toimivat kullakin alueella? E2.4 Mikä tehtävä kytkennässä 2.3 on vastuksilla 1, 2, E ja? Mikä hyöty kytkennän kannalta saavutetaan kondensaattoreilla 1 ja 2? Entäs kondensaattorilla E? 2.1 Kanavatransistorin (FET) ominaiskäyrästön mittaus Etujännite V GS kytketään FET:n hilalle G jännitelähteen V G avulla. Jännitejaon vaikutuksesta hilalle pääsee vain osa napaan V G kytketystä jännitteestä (estää FET:n tuhoutumisen liian suurella hilajännitteellä). Transistorin yli vaikuttava jännite V DS, voidaan katsoa olevan suunnilleen käyttöjännitteen V D suuruinen, koska vastuksessa 1 tapahtuva jännitehäviö on hyvin pieni. akenna kuvan mukainen kytkentä, jossa 1 = 10 Ω, 2 = 1 kω, 3 = 20 kω ja 4 = 100 kω. V G V D 4 I D 1 D 3 2 G V GS S Kuva 2.1: FET:n ominaiskäyrän mittauskytkentä Alkuviritykset: - Säädä trimmeri yläasentoon siten, että V GS on maksimissaan: V GS,max [ 3 /( 3 4 )]*V G. - Säädä V D :n jännite 15 volttiin. - Nosta V G varovasti arvoon, jolla I D on maksimissaan 20 ma. - Laskea V D jännite alas 9
Nyt olet säätänyt hilajännitteelle tässä mittauksessa sallitun maksimiarvon. Tämän jälkeen hilajännitettä V GS jännitettä säädetään VAIN trimmerillä 3. M2.1 Mittaa (V DS, I D ) ominaiskäyrästö viidellä haluamillasi V GS arvoilla. Sopivat V GS arvot löytyvät väliltä 1,5 3V riippuen siitä, millä jännitteellä fetti alkaa johtamaan. Mittaa jokaisen käyrän kohdalla I D samoilla V DS :n arvoilla: 1V, 5V, 10V ja 15V. Virran I D voi mitata jännitteenä vastuksen 1 yli. Suurilla virroilla fetti lämpiää, joten laske V D alas heti mittaussarjasi jälkeen. Käytä tarvittaessa jäähdytystä. (FETin päälle asetettavia jäähdytysripoja löydät komponenttilokerikossa.) 2.2 Bipolaaritransistorin ominaiskäyrästön mittaus Tehtävänä on mitata 2N2222 tyyppisen npn-transistorin lähtökäyrästö I (V E ) kuvan 2.2 mukaisella kytkennällä. 10 I V 100 k 1k V BB I B Kuva 2.2: Bipolaaritransistorin ominaiskäyrän mittauskytkentä Kytke transistorille positiivinen kollektori-emitterijännite V. Vastuksessa tapahtuu vain pieni jännitehäviö, joten transistorin yli olevan jännitteen V E voidaan olettaa olevan saman suuruinen käyttöjännitteen V kanssa. Jännitelähteellä V BB määrätään kantavirran I B B suuruus. Kantavirran I ja BB kollektorivirran I voi mitata yleismittarilla vastuksien 1 kω ja 10 Ω yli. M2.2 Mittaa (V E, I ) -pisteparit viidellä valitsemallasi I B B :n arvolla (I = BB 5-50 μa). Mittauksen kulku: - Säädä kantavirta I B B haluamasi suuruiseksi ja mittaa VE /I pisteparit. - Käytä kaikilla mittauskerroilla V :n (=V E ) arvoina samoja jännitteitä (esim. 3, 5, 10, 15 ja 20 V). - Muuta I B B :n arvoa ja toista mittaus. Suorita mittaus ripeästi ja laske V E alas heti, kun olet saanut yhden sarjan tulokset kirjattua. Suuret virrat lämmittävät transistoria ja voivat siten aiheuttaa vääristymiä mittaustuloksiisi. 10
2.3 Yhteisemitterivahvistin Yhteisemitterikytkentä on yleisin tapa rakentaa transistorivahvistin. Kyseessä on pienjännitevahvistin (v in = 0,001 5 V) ja samalla pientaajuusvahvistin, jota voidaan käyttää taajuusalueella 30 Hz-1MHz. Käytössäsi on levy, jossa on valmiina kuvan 2.3 mukainen yhteisemitterikytkentä. Käytä samaa transistoria kuin edellisessä tehtävässä. V 1 I X 1 V B V 2 v out v S v in V E Y 2 E E Kuva 2.3: Yhteisemitterivahvistin Lue värikoodeista kytkennässä olevien vastusten arvot (voit tarkastaa tulokset mittaamalla). M2.3 Kytke käyttöjännitteeksi (V ) 20V ja mittaa jännitteet V B B,VE ja V sekä lepovirta I Q, kun v S = 0 V. Virta I Q voidaan mitata jännitteenä vastuksen yli. Kytke 1 kω kuormavastus L kiinni lähtönapoihin ja tuo sisäänmenoon (v S ) signaaligeneraattorista sinisignaali, jolla v in on amplitudiltaan 60 mv P-P. (Lisää tarvittaessa vastukset X = 100 Ω ja Y = 10Ω.) M2.4 Mittaa oskilloskoopilla vahvistimen tulojännitettä v in ja lähtöjännitettä v out taajuuden funktiona. [Huom. Aloita riittävän pienillä taajuuksilla ja mittaa jännitettä v in ei v S :ää] Ota tämän jälkeen pois emitterivastuksen ohituskondensaattori E = 470 μf. M2.5 Mittaa oskilloskoopilla ulostulojännitettä v out taajuuden funktiona. Miten vahvistus muuttui (f = 10kHz)? Vahvistimen anto- ja ottoresistanssit voidaan mitata säädettävän vastuksen avulla. Käytä sisääntulossa riittävän suurta taajuutta (> 2 khz), jotta piirin vahvistus on maksimissaan. 11
M2.6 Antoresistanssin o mittaus (kytkentään lisätty takaisin kondensaattori E ). - mittaa antojännitettä (v out ) aluksi ilman kuormaa ( L = ). - laita kuormaan potentiometri L (10k0) - säädä sitten L arvoon, jossa antojännite (v out ) on pudonnut puoleen. Nyt L :n arvo on sama kuin o. Vaihda potentiometri vastuksen X paikalle ja poista Y kokonaan (kuva 2.4). Lisää ulostuloon takaisin vastus L (=1k0). X V S v 1 v 2 1 Kuva 2.4: Ottoresistanssin mittaus M2.7 Mittaa jännitettä potentiometrin X navoista ja säädä X :ää siten, että v 2 on ½ v 1. Nyt X on yhtä suuri kuin ottoresistanssi i. 12
Kanavatransistorin (FET) ominaiskäyrästön mittaus T2.1 Piirrä (V DS, I D ) -käyrästö valitsemillasi jännitteen V GS arvoilla. T2.2 Määritä saaduista tuloksista FET:n siirtokonduktanssi g m ja antoimpedanssi r d. Bipolaaritransistorin ominaiskäyrästön mittaus T2.3 Piirrä mittaamasi ominaiskäyrästö. T2.4 Piirrä siirtokäyrä I (I B ) B kolmella käyttämälläsi VE :n arvolla. (esim. 3, 5 ja 10 V) T2.5 Määritä piirtämästäsi ominaiskäyrästöstä transistorin staattinen vahvistus h FE (= β ) pisteessä, jossa kollektorivirta on 10 ma ja kollektori-emitterijännite on 10 V. Vertaa tulosta datakirjassa ilmoitettuun tasavirtavahvistukseen h FE. T2.6 Voidaanko ominaiskäyristä selvittää muita transistorin h-parametrejä (h ie, h oe ja h re )? Miten? T2.7 Bipolaaritransistorien ja FET:ien ominaiskäyrästöt muistuttavat paljon toisiaan, mutta mikä merkittävä toiminnallinen ero on näillä kahdella puolijohdekomponentilla? Yhteisemitterivahvistin T2.8 Laske teoreettiset arvot jännitteille V B B,VE ja V sekä lepovirralle I Q. atkaise ensimmäiseksi kantavirran I BB suuruus (esim. silmukkamenetelmällä). Käytä laskuissasi aikaisemmin määrittelemääsi β:n arvoa. T2.9 Piirrä dc- ja ac-kuormitussuorat aikaisemmin mittaamaasi transistorin ominaiskäyrästöön, kun käyttöjännite on 20V. T2.10 Piirrä mittaamasi taajuusvaste logaritmisella asteikolla ja määritä siitä vahvistimen 3dB alaja ylärajataajuudet. Kuinka suuri on piirin ac-jännitevahvistus? T2.11 Laske kytkennän jännite- (A v ) ja virtavahvistuksen (A i ) teoreettiset arvot, kun A v h = h fe L ( ) ie L ja A i = h fe h ie B ( ) B L h ie ja h fe löytyvät transistorin datasivuilta ja ne otetaan (arvioidaan) lepovirran I Q kohdalta. T2.12 Piirrä emitterivahvistimen piensignaalimalli ja määritä sen perusteella likiarvot anto- ja ottoresistanssien arvot. T2.13 Miksi anto-ja ottoresistanssin määritys voidaan tehdä näin? Liitä työselostukseesi yleisiä huomioita töistä, korjauksia ja myös parannusehdotuksia. 13