Diodit. I = Is * (e U/n*Ut - 1) Ihanteellinen diodi



Samankaltaiset tiedostot
TASASUUNTAUS JA PUOLIJOHTEET

Oma nimesi Puolijohteet

PUOLIJOHTEISTA. Yleistä

PUOLIJOHTEET tyhjennysalue

Fysiikan laboratoriotyöt 1, työ nro: 3, Vastuksen ja diodin virta-jänniteominaiskäyrät

LOPPURAPORTTI Lämpötilahälytin Hans Baumgartner xxxxxxx nimi nimi

TYÖ 58. VAIMENEVA VÄRÄHTELY, TASASUUNTAUS JA SUODATUS. Tehtävänä on vaimenevan värähtelyn, tasasuuntauksen ja suodatuksen tutkiminen oskilloskoopilla.

Elektroniikka. Mitä sähkö on. Käsitteistöä

DEE Sähkötekniikan perusteet

DIODIN OMINAISKÄYRÄ TRANSISTORIN OMINAISKÄYRÄSTÖ

1 Kohina. 2 Kohinalähteet. 2.1 Raekohina. 2.2 Terminen kohina

Elektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus

Ongelmia mittauksissa Ulkoiset häiriöt

Elektroniikan perusteet, Radioamatööritutkintokoulutus

Jännitelähteet ja regulaattorit

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T700504

PUOLIJOHTEISTA. Yleistä

Mittalaitetekniikka. NYMTES13 Vaihtosähköpiirit Jussi Hurri syksy 2014

Transistoreiden merkinnät

Elektroniikka ja sähkötekniikka

SÄHKÖENERGIATEKNIIIKKA. Harjoitus - luento 6. Tehtävä 1.

SMG-4450 Aurinkosähkö

RATKAISUT: 22. Vaihtovirtapiiri ja resonanssi

Sähkötekiikka muistiinpanot

OPERAATIOVAHVISTIN. Oulun seudun ammattikorkeakoulu Tekniikan yksikkö. Elektroniikan laboratoriotyö. Työryhmä Selostuksen kirjoitti

TIETOISKU SUUNNITTELUHARJOITUKSEN DOKUMENTAATIOSTA

Radioamatöörikurssi 2015

Vastksen ja diodin virta-jännite-ominaiskäyrät sekä valodiodi

DEE-11110: SÄHKÖTEKNIIKAN PERUSTEET. Kirchhoffin lait Aktiiviset piirikomponentit Resistiiviset tasasähköpiirit

Petri Kärhä 04/02/04. Luento 2: Kohina mittauksissa

Radioamatöörikurssi 2014

Sähkötekniikka ja elektroniikka

VASTUKSEN JA DIODIN VIRTA-JÄNNITEOMINAISKÄYRÄT

Elektroniikan alkeita erittäin lyhyt versio

4B. Tasasuuntauksen tutkiminen oskilloskoopilla.

SMG-2100: SÄHKÖTEKNIIKKA. Kirchhoffin lait Aktiiviset piirikomponentit Resistiiviset tasasähköpiirit

Aineopintojen laboratoriotyöt I. Ominaiskäyrät

SÄHKÖ KÄSITTEENÄ. Yleisnimitys suurelle joukolle ilmiöitä ja käsitteitä:

1. a) Piiri sisältää vain resistiivisiä komponentteja, joten jännitteenjaon tulos on riippumaton taajuudesta.

ELEC-C6001 Sähköenergiatekniikka, laskuharjoitukset oppikirjan lukuun 10 liittyen.

CRT NÄYTÖN VAAKAPOIKKEUTUS- ASTEEN PERIAATE

Radioamatöörikurssi 2013

SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

SÄHKÖTEKNIIKKA. NBIELS13 Tasasähköpiirit Jussi Hurri syksy 2015

Kaikki kytkennät tehdään kytkentäalustalle (bimboard) ellei muuta mainita.

SÄHKÖENERGIATEKNIIIKKA. Harjoitus - luento 7. Tehtävä 1

MICRO-CAP: in lisäominaisuuksia

Mitataan kanavatransistorin ja bipolaaritransistorin ominaiskäyrät. Tutustutaan yhteisemitterikytketyn transistorivahvistimen ominaisuuksiin.

Sähköpaja. Kimmo Silvonen (X)

KOHINA LÄMPÖKOHINA VIRTAKOHINA. N = Noise ( Kohina )

Savolainen. Pienvoimalaitoksen käyttötekniikka

Ledien kytkeminen halpis virtalähteeseen

S SÄHKÖTEKNIIKKA Kimmo Silvonen

SMG-1100: PIIRIANALYYSI I

Elektroniikan alkeita lyhyt versio

Taitaja2004/Elektroniikka Semifinaali

Physica 6 Opettajan OPAS (1/18)

Radioamatöörikurssi 2017

Sähkötekniikka ja elektroniikka

UUDEN JA VANHAN T1-KYSYMYSPANKIN VERTAILU

Sähköautoprojekti Pienoissähköauto Elektroniikan kokoonpano Moottoriohjain.

Elektroniikka. Tampereen musiikkiakatemia Elektroniikka Klas Granqvist

SÄHKÖTEKNIIKKA. NTUTAS13 Tasasähköpiirit Jussi Hurri kevät 2015

- Käyttäjä voi valita halutun sisääntulon signaalin asetusvalikosta (esim. 0 5V, 0 10 V tai 4 20 ma)

Johdatus vaihtosähköön, sinimuotoiset suureet. DEE Piirianalyysi Risto Mikkonen

RATKAISUT: Kertaustehtäviä

DEE Sähkötekniikan perusteet

IIZE3010 Elektroniikan perusteet Harjoitustyö. Pasi Vähämartti, C1303, IST4SE

S Elektroniikan häiriökysymykset. Laboratoriotyö, kevät 2010

Coulombin laki. Sähkökentän E voimakkuus E = F q

SMG-2100: SÄHKÖTEKNIIKKA

Auton akun ylläpitolaturi

T1-kysymyspankki versio 1,00

VAIHTOVIRTAPIIRI. 1 Työn tavoitteet

Van der Polin yhtälö

FYSA220/1 (FYS222/1) HALLIN ILMIÖ

EVTEK/ Antti Piironen & Pekka Valtonen 1/6 TM01S/ Elektroniikan komponentit ja järjestelmät Laboraatiot, Syksy 2003

BY-PASS kondensaattorit

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET T700504

Radioamatöörikurssi 2016

5.2. Jännitelähde - 15 V 10 A

FysE301/A Peruskomponentit: vastus, diodi ja kanavatransistori

Luento 2. DEE Piirianalyysi Risto Mikkonen

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

Push-Pull hakkurin suunnittelu ja mitoitus:

R = Ω. Jännite R:n yli suhteessa sisäänmenojännitteeseen on tällöin jännitteenjako = 1

- Käyttäjä voi valita halutun sisääntulon signaalin asetusvalikosta (esim. 0 5V, 0 10 V tai 4 20 ma)

SMG-2100: SÄHKÖTEKNIIKKA

PERUSRAKENTEET Forward converter, Myötävaihemuunnin ( BUCK regulaattori )

DEE Sähkötekniikan perusteet

kipinäpurkauksena, josta salama on esimerkki.

Passiiviset piirikomponentit. 1 DEE Piirianalyysi Risto Mikkonen

OPERAATIOVAHVISTIMET 2. Operaatiovahvistimen ominaisuuksia

KIMMO SOROSUO TEHOLEDIEN HAKKURITEHOLÄHTEET Diplomityö

Aktiiviset piirikomponentit. DEE Piirianalyysi Risto Mikkonen

ELEKTRONIIKAN PERUSTEET

CC-ASTE. Kuva 1. Yksinkertainen CC-vahvistin, jossa virtavahvistus B + 1. Kuva 2. Yksinkertaisen CC-vahvistimen simulaatio

Sähkötekniikka. NBIELS12 Vaihtosähköpiirit Jussi Hurri syksy 2014

Fy06 Koe ratkaisut Kuopion Lyseon lukio (KK) 5/13

Transkriptio:

Diodit Puolijohdediodilla on tasasuuntaava ominaisuus, se päästää virran lävitseen vain yhdessä suunnassa. Puolijohdediodissa on samassa puolijohdepalassa sekä p-tyyppistä että n-tyyppistä puolijohdetta. Alueiden välinen rajapinta tasasuuntaa virran. Diodit soveltuvat siten vaihtosähkön tasasuuntaamiseen. Ihanteellinen diodi Päästää myötäsuunnassa virran esteettä lävitseen, ja estää virran kulun täysin vastakkaisessa, estosuunnassa. myötäsuunnassa ihanteellinen diodi vastaa oikosulkua, ja estosuunnassa katkosta. Mutta todelliset puolijohdediodit eivät läheskään vastaa täydellistä ihanteellista diodia vaan niissä on häviöitä. Ihanteellisen diodin ominaiskäyrä ( kuva 2 ) seuraa myötäsuunnassa virta-akselia, ja estosuunnassa jänniteakselia. kuva 1 kuva 2 Piidiodin virtayhtälö: Is= Diodin estovirta ( Noin 2 nanoampeeria) e = logaritminkantaluku ~2,72 n = [ eetta ] piidiodeilla se on 2 Ut = Jännite ekvivalentti ( 25 mv @ 27 ) I = Is * (e U/n*Ut - 1)

Jännite ekvivalentin voi laskea seuraavasti: k = Boltzmannin vakio = 1,38*10-23 J/K e = elektronin varaus = 1,6 * 10-19 As T = absoluuttinen lämpötila ( 21 on 294 kelviniä ) Ut = k * T/ e Puolijohdekomponenttien jäähdytys Kun virta kulkee puolijohdediodin läpi niin siinä syntyy lämpöhäviöitä. Lämpö voi vahingoittaa puolijohdemateriaalia, koska puolijohteen korkealämpötila vapauttaa lisää varauksenkuljettajia aiheuttaen yleensä virran kasvua, joka johtaa oravanpyöräilmiöön joka kuumentaa rajapinnan niin, että diodi tuhoutuu. Piidiodejen lämpötilakestoisuus on 125...175, Suurilla tehoilla täytyy käyttää jäähdytys elementtiä tai asentaa diodi laitteen metallirunkoon eristelevyjen välityksellä. Diodejen kytkentöjä Virtalähteessä diodeja käytetään tasasuuntaamassa vaihtosähköa tasasähköksi, joten kytkentöjä on monenlaisia, mutta tässä on käytetyimmät: Puoliaaltotasasuuntaaja Puoliaaltotasasuuntaaja tasasuuntaa vaihtojännitteestä vain joko positiiviset tai negatiiviset puoliaallot. Tasasuuntaajassa käytetään yhtä diodia joka on kuorman kanssa sarjassa. Diodi päästää virran lävitseen myötäsuunnassa, mutta ei estosuunnassa, joten jompi kunpi positiivinen tai negatiivinen puolijakso käytetään ja toinen jää käyttämättä. MUUNTAJA TASAUSSUUNTAAJA DIODI KU ORMA

Kokoaaltotasasuuntaaja Kokoaaltotasasuuntaaja tasasuuntaa vaihtojännitteen positiiviset ja negatiiviset jaksot. Toiminta perustuu käytännössä kahteen puoliaaltotasasuuntaajaan jotka on yhdistetty sillaksi. TASAUSSUUNTAAJA DIODI DIODI KUORMA TRAN-2P3S Siltatasasuuntaajaa voidaan käyttää muuntajilla joissa on yksi toisio käämi tai sitten kaksi toisio käämiä jolloin väliulostulo on maa ja suuntaajasta tulevat jännitteet ovat plus ja miinus käyttöjännitteitä. Mutta jos ei halua käyttää plus miinus käyttöjänniteitä niin myös muuntajan voi ristikytkeä jos toisio johtoja on 4kpl ja niillä on samat parametrit. positiivinen käyttöjännite KUORMA TRAN-2P3S C? kuorma negatiinen käyttöjännite Kokoaaltotasasuuntauksen jälkeen jännite vaihtelee nollasta lähelle siniaallon huippuarvoa. Vaihtokomponentin taajuus on kaksikertaa suurempi kuin vaihtojännitteentaajuus. Vaihtokomponentti on erittäin haitallinen elekroniikka piireille joten se täytyy suodattaa pois lla ja jos halutaan ripple-jännite pieneksi niin se saavutetaan loppujenlopuksi parhaiten teho regulaattorilla.

Kondensaattorin ripple-jännitteen laskeminen Uripple = Kondensaattorin ripplejännite Ikuoma = Kuorman virta f = sinisignaalin taajuus C = n kapasitanssi [faradi] (1000uF =0.001F) Uripple = Ikuorma /2 * f * C Jännitevakavointi regulaattorilla Mikropiirillä toteutettu regulointi on yleensä edullisin vakavointiratkaisu. Se on helppo tapa saada pienellä määrällä komponentteja verrattain hyvä virtalähde, jossa on myös jonkun verran suojauksia,. saatavana on kiinteillejännitteille tehtyjä regulaattoreita joita yleisempiä ovat 5, 6, 8, 12, 15, 18, 24 volttiset regulaattorit. Regulaattorin lähtöjännite voi olla joko maata vastaan positiivinen tai negatiivinen. Yleisimpiä ovat positiiviset 78XX sarjat ja negatiiviset 79XX sarjat. U? REGULATOR positiivinen käyttöjännite VI GND VO KUORMA TRAN-2P2S Säädettävät regulaattorit Säädettävä regulaattori eroaa kiinteistä regulaattoreista siinä että siinä on mahdollisuus säätää ulostulojännite ulkoisilla komponenteilla halutuksi ja säädettävillä regulaattoreilla on suuri ulostulojännite skaala ( LM 317 1.2V...37V). U? LM317L 3 VI VO 2 ADJ Sisääntulo 100nF 1 5k 240 RES 10uF ulostulo RES VAR

Yleisesti varsin tavallisista diodeista 1. Zenerdiodi: Esijännite: on estosuuntainen, toiminta diodin läpilyöntialueella. Käyttö : Vakiojännitteen muodostus (virtalähteet) Transient suojana eli ylijännitesuojaus (ei kovin tehokas). Muuta: Zenerdiodit on aina kytkettävä estosuuntaan, kun halutaan käyttää niiden vakavointiominaisuutta hyväksi 2. Kapasitanssidiodi Esijännite:Estosuuntainen, toimii estoalueella. Käyttö: Jännitteellä ohjattu, käytetään suurtaajuuslaitteissa, esimerkiksi Ula-vastaanottimissa ja televisioissa. Muuta: Kun suurennetaan diodin estosuuntaista jännitettä niin kapasitannssi pienenee. 3. Fotodiodi: 4. Led Esijännite:Estosuuntainen, toimii estoalueella. Käyttö: Valon ilmaisu, infrapuna tai näkyvävalo. Muuta: Diodin estoresistanssi on verrannollinen rajapintaan osuvan fotonivuon voimak kuuteen. Virta on laajalla alueella lähes estojänniteestä riippumaton. Esijännite:Myötäsuuntainen Käyttö: Valon säteily, näkyvävalo tai infrapuna Muuta: Valmistetaan tavallisesti galliumarsenidista (GaAs), galiumfosfidista (GaP) tai näiden yhdistelmistä (GaAsP). 5. Schottkydiodi: Esijännite: Myötäsuuntainen. Käyttö: Erittäin nopea toiminta, ideaalisin diodi. Muuta: Diodin aktiiviivisessa osassa ei ole p-n rajapintaa vaan se on metallipuolijohderajapinta. Käytetään pienien häviöiden takia virtalähteissä tasasuuntaajissa ja vielä enemmän sitä käytetään hakkurivirtalähteissä. Yleisesti estojännite on pieni noin 45V...100V.

Harvinaisemmat diodit 1. PIN- Diodi Esijännite1: Myötäsuuntainen jos diodia käytetään virtaohjattuna vastuksena suurilla taajuuksilla 10MHz ja ylöspäin. Esijännite2: Estosuuntainen (estoalue), jolloin diodi on todella herkkä fotodiodi. Muuta: Käytetään kuituoptiikassa pitkillä etäisyyksillä. 2. Step Recovery Diode Esijännite:Estosuuntainen, (estoalue). Käyttö: Taajuuskertojat suurilla taajuuksilla 1GHz ja ylöspäin. 3. Vyöryläpilyönti diodit eli negatiivista resistanssia hyödyntäviä mikroaaltodiodeja: Esijännite: Estosuuntainen, toiminta perustuu estosuuntaiseen läpilyöntialueeseen. Käyttö: Oskillaattorina erittäin suurilla taajuusalueilla joka ulottuu aina 100GHz asti. Lähes ainoa tapa kehittää sähkömagneettista säteilyä näillä taajuusalueilla. Nimityksiä:IMPATT ( impact avalanche transit time) TRAPATT ( trapped plasma avalance triggered transit ) GUNN-diodilla ei ole p-n rajapintaa se perustuu GaAs- palan sisäisiin ilmiöihin. Kirjoittanut Mikko Esala