S Tehoelektroniikan komponentit J. Niiranen 1 (14) Tentti , kello , sali E110

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Koko: px
Aloita esitys sivulta:

Download "S Tehoelektroniikan komponentit J. Niiranen 1 (14) Tentti , kello , sali E110"

Transkriptio

1 S Tehoelektroniikan komponentit J. Niiranen 1 (14) Tentti , kello , sali E11 Papereihin Tentissä sallitut apuvälineet - sukunimi ja etunimet - kynät, kumit jne. - opiskelijanumero - taskulaskin - koulutusohjelma. - lukion kaavakokoelma tms. + Laplace taulut 1. Selvitä lyhyesti (max lausetta + mahdollinen kuva), mitä seuraavilla termeillä tarkoitetaan - neutronisäteilytys - takavirta - triak - ESR - ferriitti. 2. Esittele IGBT:n rakenne, toimintaperiaate ja ominaisuudet. 3. Selvitä, mitä vaikeuksia on puolijohdetehokomponenttien rinnankytkennässä ja mitä menetelmiä on käytettävissä niiden voittamiseen. Miten diodien sekä MOSFET- ja IGBTkomponenttien ominaisuudet vaikuttavat niiden toimintaan rinnankytkennässä? 4. Tyristorin SKKT 71 hilapulssi vahvistetaan kuvan mukaisella piirillä. MOSFET-transistorin sisäinen vastus R DS on 1Ω. Onko tyristorin syttyminen varmaa 4 C lämpötilassa? Mikä on suurin mahdollinen tyristorin hilahäviöteho, jonka kytkentä voi saada aikaan? 1 Ω 5. Aurinkopaneelin DC/DC katkojan SiC MOSFET moduuli CAS3M17BM2 (datalehti oheisena) sisältää kaksi MOSFET transistoria diodeineen. Yläpuolen fet (3. kvadrantissa, eli myös kanava johtaa, ei pelkkä siis diodi) ja alapuolen fet johtavat alla olevan kuvan mukaisesti vuorotellen paneelista tulevaa virtaa. Jäähdytyselementin ja rajapinnan yhteislämpövastus R thca on,8 C/W ja jäähdytysilman lämpötila on 45 C. Mitkä ovat fettien liitoslämpötilat, kun fettien hilasyötön resistanssi on 2.5 Ω ja jännite + 2 V fettien johtoaikana ja 5 V muulloin? Tasasähkökondensaattorin jännite on 1 V.

2 S Components of power electronics J. Niiranen 1 (14) Examination Dec 11, 214, at 16:... 19:, room E11 Write in all papers Items allowed in the exam: - your full name - pens, eraser, etc - your student number - calculator - department. - Book of math. formulas & Laplace tables 1. Give a short definition (max sentences + possible figure), what the following terms mean - neutron transmutation doping - reverse recovery - triac - ESR - ferrite. 2. Describe in detail the structure, operation principle and properties of an IGBT. 3. Describe the difficulties of parallel operation of power devices and what means there are to overcome these. How the properties of diodes, MOSFETs and IGBTs affect their parallel operation? 4. Gate current pulse of the thyristor SKKT 71 is produced by the circuit shown below. The internal resistance of the driving MOSFET is R DS = 1Ω. Is the firing of the thyristor certain at 4 C temperature? What is the worst case (that is, maximum) power loss caused by the driver in the thyristor? 1 Ω 5. The SiC MOSFET module CAS3M17BM2 (datasheet attached) of a photovoltaic converter's DC/DC chopper contains two MOSFET transistors with their diodes. The upper fet (operating in 3rd quadrant, that is, the fet's channel conducts too, not only the diode) and the lower fet conducts the solar panel current in turns according the figure below. The combined thermal resistance of the heatsink and the interface of the module R thca is,8 C/W and the temperature of cooling air is 45 C. The gate driver's resistance is 2.5 Ω and voltage is + 2 V when fets conduct and 5 V when they are off. The voltage of the intermediate circuit's capacitor is 1 V. Calculate the junction temperatures of the fets.

3 VRSM VRRM (dv/ ITRMS (maximum value for continuous operation) V DRM dt) cr 125 A I TAV (sin. 18; T case = 78 C) V V V/µs 8 A SKKT 71/6 D SKKH 72/6 D SKKT 71/8 D SKKT 72/8 D 1) SKKH 71/8 D SKKH 72/8 D SKKT 71/12 D SKKH 71/12 D SKKT 71/12 E SKKT 72/12 E 1) SKKH 72/12 E SKKT 71/14 E SKKT 72/14 E 1) SKKH 71/14 E SKKH 72/14 E SKKT 71/16 E SKKT 72/16 E 1) SKKH 71/16 E SKKH 72/16 E SKKT 71/18 E SKKT 72/18 E 1) SKKH 71/18 E SKKH 72/18 E SKKT 71/2 E SKKT 72/2 E 1) SKKH 72/2 E SKKT 71/22 E SKKT 72/22 E 1) SKKH 72/22 E Symbol Conditions SKKT 71 SKKT 72 SKKH 71 SKKT 72B SKKH 72 ITAV sin. 18; Tcase = 78 C 8 A T case = 85 C 7 A ID B2/B6 Tamb = 45 C; P 3/18 62 A/75 A T amb = 35 C; P 3/18 F 115 A/145 A IRMS W1/W3 Tamb = 35 C; P 3/18 F 155 A/3 x 115 A I TSM T vj = 25 C; 1 ms 1 6 A Tvj = 125 C; 1 ms 1 45 A i 2 t T vj = 25 C; 8, ms 13 A 2 s Tvj = 125 C; 8, ms 1 5 A 2 s tgd Tvj = 25 C; IG = 1 A; dig/dt = 1 A/µs 1 µs t gr V D =,67. V DRM 2 µs (di/dt)cr Tvj = 125 C 15 A/µs t q T vj = 125 C typ. 8 µs IH Tvj = 25 C; typ.15 ma; max. 25 ma I L T vj = 25 C; R G = 33 Ω typ.3 ma; max. 6 ma V T T vj = 25 C; I T = 3 A max. 1,9 V VT(TO) Tvj = 125 C,9 V r T T vj = 125 C 3,5 mω IDD; IRD Tvj = 125 C; VDD = VDRM; VRD = VRRM max. 2 ma 3) V GT T vj = 25 C; d. c. 3 V I GT T vj = 25 C; d. c. 15 ma VGD Tvj = 125 C; d. c.,25 V I GD T vj = 125 C; d. c. 6 ma Rthjc cont.,35 C/W /,18 C/W sin. 18,37 C/W /,19 C/W per thyristor/per module rec.12,39 C/W /,2 C/W R thch,2 C/W /,1 C/W Tvj, Tstg C V isol a. c. 5 Hz; r.m.s.; 1 s/1 min 36 V / 3 V M 1 to heatsink SI units/ 5 Nm/44 lb. in. ± 15 % 2) M2 to terminals US units 3 Nm/26 lb. in. ± 15 % a 5. 9,81 m/s 2 w approx. 12 g Case page B 1 93 SKKT 71: A 5 SKKT 72: A 46 SKKH 71: A 6 SKKT 72B: A 48 SKKH 72: A 47 SEMIPACK 1 Thyristor/ Diode Modules SKKT 71 SKKH 71 SKKT 72 SKKH 72 SKKT 72B SKKT 71 SKKH 71 SKKT 72 SKKH 72 Features Heat transfer through aluminium oxide ceramic isolated metal baseplate Hard soldered joints for high reliability UL recognized, file no. E Typical Applications DC motor control (e. g. for machine tools) AC motor soft starters Temperature control (e. g. for ovens, chemical processes) Professional light dimming (studios, theaters) 1) Also available in SKKT 72 B configuration (case A 48) 2) See the assembly instructions 3) /2 E, /22 E max. 3 ma by SEMIKRON 896 B 1 51

4 B 1 52 by SEMIKRON

5 by SEMIKRON B 1 53

6 B 1 54 by SEMIKRON

7 Datasheet: CAS3M17BM2,Rev. - CAS3M17BM2 1.7kV, 8. mω All-Silicon Carbide Half-Bridge Module C2M MOSFET and Z-Rec Diode V DS E sw, 3A, 15 C R DS(on) 1.7 kv 23.7 mj 8. mω Features Ultra Low Loss High-Frequency Operation Zero Reverse Recovery Current from Diode Zero Turn-off Tail Current from MOSFET Normally-off, Fail-safe Device Operation Ease of Paralleling Copper Baseplate and Aluminum Nitride Insulator System Benefits Enables Compact and Lightweight Systems High Efficiency Operation Mitigates Over-voltage Protection Reduced Thermal Requirements Reduced System Cost Package 62mm x 16mm x 3mm Applications HF Resonant Converters/Inverters Solar and Wind Inverters UPS and SMPS Motor Drive Traction Part Number Package Marking CAS3M17BM2 Half-Bridge Module CAS3M17BM2 Maximum Ratings (T C = 25 C unless otherwise specified) Symbol Parameter Value Unit Test Conditions Notes V DSmax Drain - Source Voltage 1.7 kv V GSmax Gate - Source Voltage -1/+25 V Absolute maximum values V GSop Gate - Source Voltage -5/2 V Recommended operational values I D Continuous MOSFET Drain Current 325 V GS = 2 V, T C = 25 C A 225 V GS = 2 V, T C = 9 C Fig. 26 I D(pulse) Pulsed Drain Current 9 A Pulse width tp limited by T J(max) I F Continuous Diode Forward Current 556 V GS = -5 V, T C = 25 C A 353 V GS = -5 V, T C = 9 C Fig. 27 T Jmax Junction Temperature -4 to +15 C T C,T STG Case and Storage Temperature Range -4 to +125 C V isol Case Isolation Voltage 4.5 kv AC, 5 Hz, 1 min L Stray Stray Inductance 15 nh Measured between terminals 2 and 3 P D Power Dissipation 176 W T C = 25 C, T J = 15 C Fig. 25 Subject to change without notice. 1

8 Electrical Characteristics (T C = 25 C unless otherwise specified) Symbol Parameter Min. Typ. Max. Unit Test Conditions Note V (BR)DSS Drain - Source Breakdown Voltage 1.7 kv V GS, = V, I D = 1 ma V GS(th) Gate Threshold Voltage V V DS = 1 V, ID = 15 ma Fig. 7 I DSS Zero Gate Voltage Drain Current 5 1 μa V DS = 1.7 kv, V GS = V 15 3 μa V DS = 1.7 kv,v GS = V, T J = 15 C I GSS Gate-Source Leakage Current 1 6 na V GS = 2 V, V DS = V R DS(on) g fs On State Resistance Transconductance C iss Input Capacitance 2 C oss Output Capacitance 2.5 C rss Reverse Transfer Capacitance.8 E on Turn-On Switching Energy 13. mj E Off Turn-Off Switching Energy 1. mj 8. 1 mω VGS = 2 V, IDS = 225 A Fig. 4, V GS = 2V, I DS = 225 A,T J = 15 C 5, 6 95 V DS = 2 V, IDS = 225 A 82 S V DS = 2 V, ID = 225 A, T J = 15 C nf V DS = 1 kv, f = 2 khz, V AC = 25 mv V DD = 9 V, V GS = -5V/+2V I D = 3 A, R G(ext) = 2.5 Ω Load = 77 μh, T J = 15 C Note: IEC Definitions R G (int) Internal Gate Resistance 3.7 Ω f = 1 MHz, V AC = 25 mv Q GS Gate-Source Charge 273 Q GD Gate-Drain Charge 324 Q G Total Gate Charge 176 nc V DD= 9 V, V GS = -5V/+2V, I D= 3 A, Per JEDEC24 pg 27 t d(on) Turn-on delay time 15 ns V DD = 9V, V GS = -5/+2V, I D = 3 A, R G(ext) = 2.5 Ω, t r Rise Time 72 ns Timing relative to V DS t d(off) Turn-off delay time 211 ns Note: IEC , pg 83 t f Fall Time 56 ns Inductive load V SD Diode Forward Voltage Q C Total Capacitive Charge 4.4 μc Thermal Characteristics Fig. 8 Fig. 16, 17 Fig. 19 Fig. 15 Fig I F = 3 A, V GS = Fig. 1 V I F = 3 A, V GS =, T J = 15 C Fig. 11 I SD = 3 A, V DS = 9 V, T J = 25 C, di SD /dt = 9 ka/μs, V GS = -5 V Symbol Parameter Min. Typ. Max. Unit Test Conditions Note R thjcm Thermal Resistance Juction-to-Case for MOSFET Fig. 27 C/W R thjcd Thermal Resistance Juction-to-Case for Diode.6.65 Fig. 28 Additional Module Data Symbol Parameter Max. Unit Test Condtion W Weight 3 g M Mounting Torque 5 Nm To heatsink and terminals Clearance Distance 9 mm Terminal to terminal Creepage Distance 3 mm Terminal to terminal 4 mm Terminal to baseplate 2 CAS3M17BM2,Rev. -

9 Typical Performance V GS = 2 V V GS = 18 V V GS = 16 V V GS = 14 V V GS = 12 V V GS = 1 V V GS = 2 V V GS = 18 V V GS = 16 V V GS = 14 V V GS = 12 V V GS = 1 V 1 T J = -4 C t p = 2 µs Drain-Source Voltage V DS (V) 1 T J = 25 C t p = 2 µs Drain-Source Voltage V DS (V) Figure 1. Output Characteristics T J = -4 C Figure 2. Output Characteristics T J = 25 C V GS = 14 V V GS = 16 V V GS = 18 V V GS = 2 V V GS = 12 V V GS = 1 V T J = 15 C t p = 2 µs Drain-Source Voltage V DS (V) On Resistance, R DS On (p.u.) I DS = 225 A V GS = 2 V t p = 2 µs Junction Temperature, T J ( C) Figure 3. Output Characteristics T J = 15 C Figure 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature On-Resistance, R DS ON (mω) T j = 15 C T j = 25 C T j = -4 C V GS = 2 V t p = 2 µs On Resistance, R DS On (mω) I DS = 225 A t p = 2 µs V GS = 16 V V GS = 2 V V GS = 14 V V GS = 12 V V GS = 18 V Junction Temperature, T J ( C) Figure 5. On-Resistance vs. Drain Current For Various Temperatures Figure 6. On-Resistance vs. Temperature for Various Gate-Source Voltage 3 CAS3M17BM2,Rev. -

10 Typical Performance Conditions V DS = 1 V I DS =.5 15 ma 4 V DS = 2 V tp = 2 µs Threshold Voltage, V th (V) T J = 25 C T J = 15 C T J = -4 C Junction Temperature T J ( C) Figure 7. Threshold Voltage vs. Temperature Gate-Source Voltage, V GS (V) Figure 8. Transfer Characteristic for Various Junction Temperatures V GS = -5 V V GS = V V GS = -2 V V GS = -2 V V GS = V Drain-Source Voltage V DS (V) T J = -4 C t p = 2 µs -5-6 V GS = -5 V Drain-Source Voltage V DS (V) T J = 25 C t p = 2 µs -5-6 Figure 9. Diode Characteristic at -4 C Figure 1. Diode Characteristic at 25 C V GS = -5 V V GS = V V GS = -2 V V GS = V V GS = 5 V V GS = 1 V V GS = 15 V V GS = 2 V Drain-Source Voltage V DS (V) T J = 15 C t p = 2 µs -5-6 Drain-Source Voltage V DS (V) T J = C t p = 2 µs -5-6 Figure 11. Diode Characteristic at 15 C Figure rd Quadrant Characteristic at -4 C 4 CAS3M17BM2,Rev. -

11 Typical Performance V GS = V V GS = 5 V V GS = 1 V V GS = 2 V V GS = 15 V V GS = 1 V V GS = V V GS = 5 V V GS = 2 V V GS = 15 V T J = 25 C t p = 2 µs -5 T J = C t p = 2 µs -5 Drain-Source Voltage V DS (V) -6 Drain-Source Voltage V DS (V) -6 Figure rd Quadrant Characteristic at 25 C Figure rd Quadrant Characteristic at 15 C Gate-Source Voltage, V GS (V) I DS =3A I GS = 1 ma V DS = 9 V T J = 25 C Capacitance (nf) C iss C oss C rss T J = 25 C V AC = 25 mv f = 2 khz Gate Charge, Q G (nc) Drain-Source Voltage, V DS (V) Figure 15. Gate Charge Characteristics Figure 16. Capacitances vs. Drain-Source Voltage ( - 2 V) 1 1 C iss T J = 25 C V AC = 25 mv f = 2 khz Capacitance (nf) 1.1 C oss C rss Stored Energy, E OSS (mj) Drain-Source Voltage, V DS (V) Drain to Source Voltage, V DS (V) Figure 17. Capacitances vs. Drain-Source Voltage ( - 1 kv) Figure 18. Output Capacitor Stored Energy 5 CAS3M17BM2,Rev. -

12 Typical Performance 25 2 T J = 25 C V DD = 9 V R G(ext) = 2.5 Ω V GS = -5/+2 V L = 77 μh E Total T J = 25 C V DD = 12 V R G(ext) = 2.5 Ω V GS = -5/+2 V L = 77 μh E Total Switching Loss (mj) E On E Off Switching Loss (mj) E On E Off Drain to Source Current, I DS (A) Drain to Source Current, I DS (A) Figure 19. Inductive Switching Energy vs. Drain Current For V DS = 9V, R G = 2.5 Ω Figure 2. Inductive Switching Energy vs. Drain Current For V DS = 12 V, R G = 2.5 Ω Switching Loss (mj) T J = 25 C V DD = 9 V I DS =3 A V GS = -5/+2 V L = 77 μh E Total External Gate Resistor RG(ext) (Ohms) E On E Off Switching Loss (mj) V DD = 9 V R G(ext) = 2.5 Ω I DS =3 A V GS = -5/+2 V L = 77 μh E Total E On E Off Junction Temperature, T J ( C) Figure 21. Inductive Switching Energy vs. R G(ext) Figure 22. Inductive Switching Energy vs. Temperature T J = 25 C V DD = 9 V I DS = 3 A V GS = -5/+2 V Time (ns) 8 6 t d (off) 4 t d (on) 2 t r t f External Gate Resistor, R G(ext) (Ohms) Figure 23. Timing vs. R G(ext) Figure 24. Resistive Switching Time Description 6 CAS3M17BM2,Rev. -

13 Typical Performance Maximum Dissipated Power, P tot (W) T J 15 C Drain-Source Continous Current, I DS (DC) (A) T J 15 C Figure 25. Maximum Power Dissipation (MOSFET) Derating vs. Case Temperature 1E Case Temperature, T C ( C) Case Temperature, T C ( C) Figure 26. Continous Drain Current Derating vs Case Temperature 1E-3 Junction To Case Impedance, Z thjc ( o C/W) 1E-3 1E-3 1E SinglePulse Junction To Case Impedance, Z thjc ( o C/W) 1E-3 1E-3 1E SinglePulse 1E-6 1E-6 1E-6 1E-6 1E-3 1E-3 1E Time, t p (s) Figure 27. MOSFET Junction to Case Thermal Impedance 1E-6 1E-6 1E-6 1E-6 1E-3 1E-3 1E Time, t p (s) Figure 28. Diode Junction to Case Thermal Impedance 1. 1 µs Limited by R DS On 1 µs ms 1. T C = 25 C D =, Parameter: t p Drain-Source Voltage, V DS (V) 1 ms Figure 29. Maximum Power Dissipation (MOSFET) Derating vs. Case Temperature 7 CAS3M17BM2,Rev. -

14 Schematic Package Dimensions (mm) CAS3M17BM2 8 CAS3M17BM2,Rev. -

15 Notes RoHS Compliance The levels of RoHS restricted materials in this product are below the maximum concentration values (also referred to as the threshold limits) permitted for such substances, or are used in an exempted application, in accordance with EU Directive 211/65/EC (RoHS2), as implemented January 2, 213. RoHS Declarations for this product can be obtained from your Cree representative or from the Product Documentation sections of REACh Compliance REACh substances of high concern (SVHCs) information is available for this product. Since the European Chemical Agency (ECHA) has published notice of their intent to frequently revise the SVHC listing for the foreseeable future,please contact a Cree representative to insure you get the most up-to-date REACh SVHC Declaration. REACh banned substance information (REACh Article 67) is also available upon request. This product has not been designed or tested for use in, and is not intended for use in, applications implanted into the human body nor in applications in which failure of the product could lead to death, personal injury or property damage, including but not limited to equipment used in the operation of nuclear facilities, life-support machines, cardiac defibrillators or similar emergency medical equipment, aircraft navigation or communication or control systems, air traffic control systems. Module Application Note: The SiC MOSFET module switches at speeds beyond what is customarily associated with IGBT based modules. Therefore, special precautions are required to realize the best performance. The interconnection between the gate driver and module housing needs to be as short as possible. This will afford the best switching time and avoid the potential for device oscillation. Also, great care is required to insure minimum inductance between the module and link capacitors to avoid excessive V DS overshoots. Please Refer to application note: Design Considerations when using Cree SiC Modules Part 1 and Part 2. [CPWR-AN12, CPWR-AN13] Copyright 214 Cree, Inc. All rights reserved. The information in this document is subject to change without notice. Cree, the Cree logo, and Zero Recovery are registered trademarks of Cree, Inc. Cree, Inc. 46 Silicon Drive Durham, NC 2773 USA Tel: Fax: CAS3M17BM2 Rev. -

16

17

18

19

20

S Tehoelektroniikan komponentit J. Niiranen 1 (13) Tentti , kello , sali S4

S Tehoelektroniikan komponentit J. Niiranen 1 (13) Tentti , kello , sali S4 S-81.312 Tehoelektroniikan komponentit J. Niiranen 1 (13) Tentti 17.3.214, kello 16... 19, sali S4 Papereihin Tentissä sallitut apuvälineet - sukunimi ja etunimet - kynät, kumit jne. - opiskelijanumero

Lisätiedot

3. Esittele kirjassa esitetyt puolijohdetehokomponenttien jäähdytysmenetelmät ja -laitteet sekä niiden keskinäiset edut ja haitat.

3. Esittele kirjassa esitetyt puolijohdetehokomponenttien jäähdytysmenetelmät ja -laitteet sekä niiden keskinäiset edut ja haitat. S-81.312 Tehoelektroniikan komponentit J. Niiranen 1 (9) Tentti 2.1.214, kello 16... 19, sali S4 Papereihin Tentissä sallitut apuvälineet - sukunimi ja etunimet - kynät, kumit jne. - opiskelijanumero -

Lisätiedot

ELEC-E8421 Tehoelektroniikan komponentit 1 (9) Tentti , kello 13: :00, sali AS1

ELEC-E8421 Tehoelektroniikan komponentit 1 (9) Tentti , kello 13: :00, sali AS1 ELEC-E8421 Tehoelektroniikan komponentit 1 (9) Tentti 15.12.216, kello 13:... 16:, sali AS1 Papereihin Tentissä sallitut apuvälineet - sukunimi ja etunimet - kynät, kumit jne. - opiskelijanumero - taskulaskin

Lisätiedot

FYSE301(Elektroniikka(1(A3osa,(kevät(2013(

FYSE301(Elektroniikka(1(A3osa,(kevät(2013( FYSE301(Elektroniikka(1(A3osa,(kevät(2013( 1/2 Loppukoe1.3.2013 vastaakaikkiinkysymyksiin(yhteensä48pistettä) 1. Kuvailelyhyesti a. Energialineaarisissapiirielementeissä:vastuksessa,kondensaattorissajakelassa(3

Lisätiedot

FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe (Vastaa kaikkiin viiteen tehtävään)

FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe (Vastaa kaikkiin viiteen tehtävään) FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe 16.3.2012 (Vastaa kaikkiin viiteen tehtävään) 1. Selitä lyhyesti (6 pistettä) a) pn-liitoksen virta-jännite-käyttäytyminen b) varauksenkuljettajien lukumäärä itseispuolijohteissa

Lisätiedot

FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe 27.4.2012 Vastaa kaikkiin viiteen kysymykseen

FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe 27.4.2012 Vastaa kaikkiin viiteen kysymykseen FYSE301 Elektroniikka I osa A Loppukoe 27.4.2012 Vastaa kaikkiin viiteen kysymykseen 1. Selitä lyhyesti a) Theveninin teoreema (2 p) b) Itseispuolijohde ja seostettu puolijohde. (2 p) c) Piirrä p-kanava

Lisätiedot

ELEC-E8421 Tehoelektroniikan komponentit

ELEC-E8421 Tehoelektroniikan komponentit ELEC-E8421 Tehoelektroniikan komponentit Harjoitus 1. 1. Valikoi oheisia valintaluetteloita käyttäen lähempään tarkasteluun otettavat diodit, kun vaadittava virtakestoisuus I FAV = 90 A ja jännitekestoisuus

Lisätiedot

S Power Electronics Exam Answer all five questions (in English, Finnish, Swedish). Questions in Finnish are on the reverse side.

S Power Electronics Exam Answer all five questions (in English, Finnish, Swedish). Questions in Finnish are on the reverse side. S-81.211 Power Electronics Exam 12.12.213 Answer all five questions (in English, Finnish, Swedish). Questions in Finnish are on the reverse side. 1. The current i c shown below is a typical waveform in

Lisätiedot

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA S-55.1100 SÄHKÖTKNIIKKA JA LKTONIIKKA 2. välikoe 14.12.2010. Saat vastata vain neljään tehtävään! Sallitut: Kako, (gr.) laskin, [MAOL], [sanakirjan käytöstä sovittava valvojan kanssa!] 1. Missä rajoissa

Lisätiedot

LYTH-CONS CONSISTENCY TRANSMITTER

LYTH-CONS CONSISTENCY TRANSMITTER LYTH-CONS CONSISTENCY TRANSMITTER LYTH-INSTRUMENT OY has generate new consistency transmitter with blade-system to meet high technical requirements in Pulp&Paper industries. Insurmountable advantages are

Lisätiedot

S Sähkön jakelu ja markkinat S Electricity Distribution and Markets

S Sähkön jakelu ja markkinat S Electricity Distribution and Markets S-18.3153 Sähkön jakelu ja markkinat S-18.3154 Electricity Distribution and Markets Voltage Sag 1) Kolmivaiheinen vastukseton oikosulku tapahtuu 20 kv lähdöllä etäisyydellä 1 km, 3 km, 5 km, 8 km, 10 km

Lisätiedot

HITSAUKSEN TUOTTAVUUSRATKAISUT

HITSAUKSEN TUOTTAVUUSRATKAISUT Kemppi ARC YOU GET WHAT YOU MEASURE OR BE CAREFUL WHAT YOU WISH FOR HITSAUKSEN TUOTTAVUUSRATKAISUT Puolitetaan hitsauskustannukset seminaari 9.4.2008 Mikko Veikkolainen, Ratkaisuliiketoimintapäällikkö

Lisätiedot

' ' MJE3055~ i'.. "' f'... r-...

' ' MJE3055~ i'.. ' f'... r-... \ FYSE4 ANALOGELEKTRONKAN LOPPUTENTT 21 1 Tehtiivii (a) Liitteessa on esitetty ote n-kanavaisen fetin BS17 datalehdesta. Piirra sen sisaltaien tietojen perusteella fetin SOA (Safe Operating Area) kun Vvs>2.5V

Lisätiedot

TIEKE Verkottaja Service Tools for electronic data interchange utilizers. Heikki Laaksamo

TIEKE Verkottaja Service Tools for electronic data interchange utilizers. Heikki Laaksamo TIEKE Verkottaja Service Tools for electronic data interchange utilizers Heikki Laaksamo TIEKE Finnish Information Society Development Centre (TIEKE Tietoyhteiskunnan kehittämiskeskus ry) TIEKE is a neutral,

Lisätiedot

S Power Electronics Exam

S Power Electronics Exam S-81.2110 Power Electronics Exam 12.1.2015 Answer all five questions (in English, Finnish or Swedish). Questions in Finnish are on the reverse side. 1. In a Buck converter the output current is assumed

Lisätiedot

Lausuntopyyntöluettelo HUOM. Komiteoiden ja seurantaryhmien kokoonpanot on esitetty SESKOn komitealuettelossa

Lausuntopyyntöluettelo HUOM. Komiteoiden ja seurantaryhmien kokoonpanot on esitetty SESKOn komitealuettelossa 1(14) FprEN ISO/IEC 13273-1 Energy efficiency and renewable energy sources. Common international terminology. Part 1: Energy efficiency (ISO/IEC 13273-1:2015) ISO/IEC 13273-1:2015 Lausuntoaika päättyy:

Lisätiedot

Yhtiön nimi: - Luotu: - Puhelin: - Fax: - Päiväys: -

Yhtiön nimi: - Luotu: - Puhelin: - Fax: - Päiväys: - Positio Laske Kuvaus 1 MAGNA 32-1 N Tuote No.: 98117 Huom.! Tuotteen kuva voi poiketa todellisesta tuotteesta The pump is of the canned rotor type, i.e. pump and motor form an integral unit without shaft

Lisätiedot

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA S-55.00 SÄHKÖTKNIIKKA JA KTONIIKKA Kimmo Silvonen Tentti 2.2.200: tehtävät,3,4,7,0.. välikoe: tehtävät,2,3,4,5. 2. välikoe: tehtävät 6,7,8,9,0. Saat vastata vain neljään tehtävään/koe. Sallitut: Kako,

Lisätiedot

S Power Electronics Exam

S Power Electronics Exam S-81.2110 Power Electronics Exam 20.1.2014 Answer all five questions (in English, Finnish or Swedish). Questions in Finnish are on the reverse side. 1. Figure below shows a setup using two pulse-width

Lisätiedot

Suomen Aurinkolämpö Oy

Suomen Aurinkolämpö Oy Suomen Aurinkolämpö Oy Verkkoon kytkettävät aurinkopaneelijärjestelmät Marko Harju 0505123254 Suomenaurinkolampo.fi Yritysesittely Kajaanilainen 2012 perustettu perheyritys Kilpailukykyisiä tuotteita,

Lisätiedot

The CCR Model and Production Correspondence

The CCR Model and Production Correspondence The CCR Model and Production Correspondence Tim Schöneberg The 19th of September Agenda Introduction Definitions Production Possiblity Set CCR Model and the Dual Problem Input excesses and output shortfalls

Lisätiedot

Lausuntopyyntöluettelo HUOM. Komiteoiden ja seurantaryhmien kokoonpanot on esitetty SESKOn komitealuettelossa

Lausuntopyyntöluettelo HUOM. Komiteoiden ja seurantaryhmien kokoonpanot on esitetty SESKOn komitealuettelossa 1(11) pren ISO 15223-1 rev Medical devices - Symbols to be used with medical device labels, labelling and information to be supplied - Part 1: General requirements Kansainvälinen valmisteluvaihe: 90/385/EEC,

Lisätiedot

Efficiency change over time

Efficiency change over time Efficiency change over time Heikki Tikanmäki Optimointiopin seminaari 14.11.2007 Contents Introduction (11.1) Window analysis (11.2) Example, application, analysis Malmquist index (11.3) Dealing with panel

Lisätiedot

LX 70. Ominaisuuksien mittaustulokset 1-kerroksinen 2-kerroksinen. Fyysiset ominaisuudet, nimellisarvot. Kalvon ominaisuudet

LX 70. Ominaisuuksien mittaustulokset 1-kerroksinen 2-kerroksinen. Fyysiset ominaisuudet, nimellisarvot. Kalvon ominaisuudet LX 70 % Läpäisy 36 32 % Absorptio 30 40 % Heijastus 34 28 % Läpäisy 72 65 % Heijastus ulkopuoli 9 16 % Heijastus sisäpuoli 9 13 Emissiivisyys.77.77 Auringonsuojakerroin.54.58 Auringonsäteilyn lämmönsiirtokerroin.47.50

Lisätiedot

Olet vastuussa osaamisestasi

Olet vastuussa osaamisestasi Olet vastuussa osaamisestasi Ohjelmistoammattilaisuuden uudet haasteet Timo Vehmaro 02-12-2015 1 Nokia 2015 Mitä osaamista tulevaisuudessa tarvitaan? Vahva perusosaaminen on kaiken perusta Implementaatio

Lisätiedot

AKKREDITOITU TESTAUSLABORATORIO ACCREDITED TESTING LABORATORY

AKKREDITOITU TESTAUSLABORATORIO ACCREDITED TESTING LABORATORY T298/A01/2016 Liite 1 / Appendix 1 Sivu / Page 1(7) AKKREDITOITU TESTAUSLABORATORIO ACCREDITED TESTING LABORATORY ESPOTEL OY, TESTILABORATORIO ESPOTEL OY, TEST LABORATORY Tunnus Code Laboratorio Laboratory

Lisätiedot

Lämmitysjärjestelmät

Lämmitysjärjestelmät METSTA Rakennusten energiatehokkuusstandardit uudistuvat seminaari 26.4.2017 Lämmitysjärjestelmät Jarek Kurnitski HEAT GAINS BUILDING PROPERTIES CLIMATIC CONDITIONS INDOOR ENVIRONMENT REQUIREMENTS EN 16789-1

Lisätiedot

AKKREDITOITU TESTAUSLABORATORIO ACCREDITED TESTING LABORATORY

AKKREDITOITU TESTAUSLABORATORIO ACCREDITED TESTING LABORATORY T298/M02/2017 Liite 1 / Appendix 1 Sivu / Page 1(6) AKKREDITOITU TESTAUSLABORATORIO ACCREDITED TESTING LABORATORY ESPOTEL OY, TESTILABORATORIO ESPOTEL OY, TEST LABORATORY Tunnus Code Laboratorio Laboratory

Lisätiedot

2017/S Contract notice. Supplies

2017/S Contract notice. Supplies Supplies 153936 2017 25/04/2017 S80 - - Supplies - Contract notice - Open procedure I. II. III. IV. VI. -: Medical equipments, pharmaceuticals and personal care products 2017/S 080-153936 Contract notice

Lisätiedot

Capacity Utilization

Capacity Utilization Capacity Utilization Tim Schöneberg 28th November Agenda Introduction Fixed and variable input ressources Technical capacity utilization Price based capacity utilization measure Long run and short run

Lisätiedot

AKKREDITOITU KALIBROINTILABORATORIO ACCREDITED CALIBRATION LABORATORY K013

AKKREDITOITU KALIBROINTILABORATORIO ACCREDITED CALIBRATION LABORATORY K013 K013/A22/2017 Liite 1 / Appendix 1 Sivu / Page 1(5) AKKREDITOITU KALIBROINTILABORATORIO ACCREDITED CALIBRATION LABORATORY PUOLUSTUSVOIMIEN LOGISTIIKKALAITOS 3. LOGISTIIKKARYKMENTTI ILMAVOIMIEN VARIKKO

Lisätiedot

Results on the new polydrug use questions in the Finnish TDI data

Results on the new polydrug use questions in the Finnish TDI data Results on the new polydrug use questions in the Finnish TDI data Multi-drug use, polydrug use and problematic polydrug use Martta Forsell, Finnish Focal Point 28/09/2015 Martta Forsell 1 28/09/2015 Esityksen

Lisätiedot

SESKO ry LAUSUNTOPYYNTÖ 7/08 LIITE Toimisto (5) HUOM. Komiteoiden ja seurantaryhmien kokoonpanot on esitetty SESKOn komitealuettelossa

SESKO ry LAUSUNTOPYYNTÖ 7/08 LIITE Toimisto (5) HUOM. Komiteoiden ja seurantaryhmien kokoonpanot on esitetty SESKOn komitealuettelossa 2008-07-25 1(5) CENELEC SC 9XB Kulkuneuvojen sähkömekaaniset materiaalit S262-08 Railway applications. Rolling stock. Pantographs. Characteristics and tests. Part 1: Pantographs for main line vehicles

Lisätiedot

Reliable sensors for industrial internet

Reliable sensors for industrial internet Reliable sensors for industrial internet 21.5.2015 Anu Kärkkäinen, PhD Research Team Leader VTT Technical Research Centre of Finland anu.karkkainen@vtt.fi Click to edit Master Contents title style Click

Lisätiedot

SSTY:n EMC-seminaari. EMC ja sähköisten lääkintälaitteiden standardit. Ari Honkala SESKO ry

SSTY:n EMC-seminaari. EMC ja sähköisten lääkintälaitteiden standardit. Ari Honkala SESKO ry SSTY:n EMC-seminaari EMC ja sähköisten lääkintälaitteiden standardit SESKO ry 2016-10-04 Tässä esityksessä käsitellään Yleistä täydentävistä (collateral, -1 sarja, horisontaaliset) ja eritysvaatimuksia

Lisätiedot

Keskittämisrenkaat. Meiltä löytyy ratkaisu jokaiseen putkikokoon, 25 mm ja siitä ylöspäin.

Keskittämisrenkaat. Meiltä löytyy ratkaisu jokaiseen putkikokoon, 25 mm ja siitä ylöspäin. Keskittämisrenkaat Keskittämisrenkaita käytetään kun virtausputki menee suojaputken sisällä, kuten esim. tiealituksissa. Meidän keskittämisrenkaat ovat valmistettu polyeteenistä jonka edut ovat: - helppo

Lisätiedot

AKKREDITOITU KALIBROINTILABORATORIO ACCREDITED CALIBRATION LABORATORY SGS FIMKO OY

AKKREDITOITU KALIBROINTILABORATORIO ACCREDITED CALIBRATION LABORATORY SGS FIMKO OY K001/M12/2015 Liite 1 / Appendix 1 Sivu / Page 1(17) AKKREDITOITU KALIBROINTILABORATORIO ACCREDITED CALIBRATION LABORATORY SGS FIMKO OY Tunnus Code Laboratorio Laboratory Osoite Address Puh./fax/e-mail/www

Lisätiedot

Toimisto 2014-04-04 1(5) HUOM. Komiteoiden ja seurantaryhmien kokoonpanot on esitetty SESKOn komitealuettelossa

Toimisto 2014-04-04 1(5) HUOM. Komiteoiden ja seurantaryhmien kokoonpanot on esitetty SESKOn komitealuettelossa Toimisto 2014-04-04 1(5) SK 17B Pienjännitekytkinlaitteet EN 50550:2011/FprA1 Power frequency overvoltage protective device for household and similar applications (POP) EN 62019:1999/FprAB Electrical accessories.

Lisätiedot

7.4 Variability management

7.4 Variability management 7.4 Variability management time... space software product-line should support variability in space (different products) support variability in time (maintenance, evolution) 1 Product variation Product

Lisätiedot

Technische Daten Technical data Tekniset tiedot Hawker perfect plus

Technische Daten Technical data Tekniset tiedot Hawker perfect plus Technische Daten Technical data Tekniset tiedot Hawker perfect plus PzS-Zellen Hawker perfect plus, mit Schraubverbindern, Abmessungen gemäß DIN/EN 60254-2 und IEC 254-2 Serie L PzS-cells Hawker perfect

Lisätiedot

AKKREDITOITU TESTAUSLABORATORIO ACCREDITED TESTING LABORATORY VERKOTAN OY VERKOTAN LTD.

AKKREDITOITU TESTAUSLABORATORIO ACCREDITED TESTING LABORATORY VERKOTAN OY VERKOTAN LTD. T287/M03/2017 Liite 1 / Appendix 1 Sivu / Page 1(5) AKKREDITOITU TESTAUSLABORATORIO ACCREDITED TESTING LABORATORY VERKOTAN OY VERKOTAN LTD. Tunnus Code Laboratorio Laboratory Osoite Address www www T287

Lisätiedot

Network to Get Work. Tehtäviä opiskelijoille Assignments for students. www.laurea.fi

Network to Get Work. Tehtäviä opiskelijoille Assignments for students. www.laurea.fi Network to Get Work Tehtäviä opiskelijoille Assignments for students www.laurea.fi Ohje henkilöstölle Instructions for Staff Seuraavassa on esitetty joukko tehtäviä, joista voit valita opiskelijaryhmällesi

Lisätiedot

SESKO ry LAUSUNTOPYYNTÖ 12/08 LIITE Toimisto (7) HUOM. Komiteoiden ja seurantaryhmien kokoonpanot on esitetty SESKOn komitealuettelossa

SESKO ry LAUSUNTOPYYNTÖ 12/08 LIITE Toimisto (7) HUOM. Komiteoiden ja seurantaryhmien kokoonpanot on esitetty SESKOn komitealuettelossa 2008-12-19 1(7) SK 20 ENERGIAKAAPELIT S456-08 1: General requirements Esikuva: pren 50525-1:2008 S457-08 2-11: Cables for general applications. Flexible cables with thermoplastic PVC Esikuva: pren 50525-2-11:2008

Lisätiedot

SEW-EURODRIVE Driving the world

SEW-EURODRIVE Driving the world Käyttötekniikka \ Käyttölaiteautomatisointi \ Järjestelmäintegrointi \ Palvelut *23582561_0817* Korjaus MOVIMOT MM..D, jossa kolmivaihemoottori DT/DV Painos 08/2017 23582561/FI SEW-EURODRIVE Driving the

Lisätiedot

Keskijännitekojeistot. Medium Voltage Power Distribution Equipment

Keskijännitekojeistot. Medium Voltage Power Distribution Equipment Keskijännitekojeistot Medium Voltage Power Distribution Equipment Avaimet menestykseen Satmatic Oy on yksi Suomen johtavista sähkö- ja automaatiotekniikan rakentajista lähes 30 vuoden kokemuksella. Ulvilassa

Lisätiedot

Lausuntopyyntöluettelo 2016/6 LIITE. Toimisto (16)

Lausuntopyyntöluettelo 2016/6 LIITE. Toimisto (16) Toimisto 2016-06-03 1(16) CEN/CLC/TC 5 pren 16602-10 Space product assurance - Product assurance management Esikuva: ECSS-Q-ST-10 C Kansainvälinen valmisteluvaihe: ENQ+FV SFS-EN 13291-1:en pren 16602-70-54

Lisätiedot

Lapuan myöntämä EU tuki SOLUTION asuinalueille omakoti- tai rivitaloa rakentaville

Lapuan myöntämä EU tuki SOLUTION asuinalueille omakoti- tai rivitaloa rakentaville Lapuan myöntämä EU tuki SOLUTION asuinalueille omakoti- tai rivitaloa rakentaville Pakollinen liite rakennustyön tarkastusasiakirjaan ja toiseen hakuvaiheeseen / Compulsory supplement the construction

Lisätiedot

ELEC-E8403 Converter Techniques Exam

ELEC-E8403 Converter Techniques Exam ELEC-E8403 Converter Techniques Exam 7.4.016 Remember to answer the course feedback questionnaire. You will receive an extra bonus point by doing this. 1. A six-pulse thyristor rectifier has a load of

Lisätiedot

AKKREDITOITU TESTAUSLABORATORIO ACCREDITED TESTING LABORATORY

AKKREDITOITU TESTAUSLABORATORIO ACCREDITED TESTING LABORATORY T297/A01/2016 Liite 1 / Appendix 1 Sivu / Page 1(7) AKKREDITOITU TESTAUSLABORATORIO ACCREDITED TESTING LABORATORY NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY, TYPE APPROVAL Tunnus Code Laboratorio Laboratory Osoite

Lisätiedot

Salasanan vaihto uuteen / How to change password

Salasanan vaihto uuteen / How to change password Salasanan vaihto uuteen / How to change password Sisällys Salasanakäytäntö / Password policy... 2 Salasanan vaihto verkkosivulla / Change password on website... 3 Salasanan vaihto matkapuhelimella / Change

Lisätiedot

TÄYTTÖAUTOMAATIT TÄYTTÖAUTOMAATIT COMPUTER INFLATORS

TÄYTTÖAUTOMAATIT TÄYTTÖAUTOMAATIT COMPUTER INFLATORS 31 S AHCON computer inflators are designed with a view to high quality, precision and long service life. The inflation computers are designed in Denmark and manufactured and tested in our own workshop.

Lisätiedot

S-55.1100 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S-55.1100 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA S-55.00 SÄHKÖKNKKA A KONKKA. välikoe 2..2008. Saat vastata vain neljään tehtävään!. aske jännite U. = 4 Ω, 2 = Ω, = Ω, = 2, 2 =, = A, 2 = U 2 2 2 2. ännitelähde tuottaa hetkestä t = t < 0 alkaen kaksiportaisen

Lisätiedot

Tork Paperipyyhe. etu. tuotteen ominaisuudet. kuvaus. Väri: Valkoinen Malli: Vetopyyhe

Tork Paperipyyhe. etu. tuotteen ominaisuudet. kuvaus. Väri: Valkoinen Malli: Vetopyyhe etu Monikäyttöpaperi hoitaa useimmat pyyhintätehtävät Sopiva lasipintojen pyyhintään Sopii käsien kuivaamiseen Elintarvikekäyttöön hyväksytty Tork Easy Handling, pakkaus, jota on helppo kantaa mukana,

Lisätiedot

KAAPELIN SUOJAAMINEN SUOJAMATOLLA

KAAPELIN SUOJAAMINEN SUOJAMATOLLA KAAPELIN SUOJAAMINEN SUOJAMATOLLA Laitteisto koostuu: Kaapelin suojamatosta DAFIGAINE Maton asennuslaitteesta SPIRALERDALEN Motorisoidusta kaapelikelatrailerista DAFISTOCKER. Kaapelikelatraileri mahdollistaa

Lisätiedot

30.4.2013 OMINAISUUDET

30.4.2013 OMINAISUUDET Tekniset tiedot Sivu 1 / 5 OMINAISUUDET on uusi, kevyt umpisoluinen polyeteenivaahtomuovi, jonka solurakenne avataan erillisessä valmistusprosessissa. Näin saadaan aikaan erittäin tehokas absorptiomateriaali,

Lisätiedot

Tentissä sallitut apuvälineet - lqmät, kumit jne. - taskulaskin - lukion kaavakokoelma tms. + Laplace taulut

Tentissä sallitut apuvälineet - lqmät, kumit jne. - taskulaskin - lukion kaavakokoelma tms. + Laplace taulut 5-81.312 Tehoelekroniikan komponeni Teni 1.3.28, kello 13... 16, sali Sl Papereihin - sukunimi ja eunime - opiskelijanumero - kouluusohjelma. J. Niiranen 1 (5) Tenissä salliu apuvälinee - lqmä, kumi jne.

Lisätiedot

National Building Code of Finland, Part D1, Building Water Supply and Sewerage Systems, Regulations and guidelines 2007

National Building Code of Finland, Part D1, Building Water Supply and Sewerage Systems, Regulations and guidelines 2007 National Building Code of Finland, Part D1, Building Water Supply and Sewerage Systems, Regulations and guidelines 2007 Chapter 2.4 Jukka Räisä 1 WATER PIPES PLACEMENT 2.4.1 Regulation Water pipe and its

Lisätiedot

Toimisto (5) HUOM. Komiteoiden ja seurantaryhmien kokoonpanot on esitetty SESKOn komitealuettelossa

Toimisto (5) HUOM. Komiteoiden ja seurantaryhmien kokoonpanot on esitetty SESKOn komitealuettelossa Toimisto 2012-06-29 1(5) SK 34 VALAISIMET S202-12 Energy performance of lamp controlgear. Part 2: Controlgear for high intensity discharge lamps (excluding fluorescent lamps). Method of measurement to

Lisätiedot

WindPRO version joulu 2012 Printed/Page :42 / 1. SHADOW - Main Result

WindPRO version joulu 2012 Printed/Page :42 / 1. SHADOW - Main Result SHADOW - Main Result Assumptions for shadow calculations Maximum distance for influence Calculate only when more than 20 % of sun is covered by the blade Please look in WTG table 13.6.2013 19:42 / 1 Minimum

Lisätiedot

Toimisto (5) HUOM. Komiteoiden ja seurantaryhmien kokoonpanot on esitetty SESKOn komitealuettelossa

Toimisto (5) HUOM. Komiteoiden ja seurantaryhmien kokoonpanot on esitetty SESKOn komitealuettelossa Toimisto 2012-11-30 1(5) CENELEC TC 9X Rautateiden sähkö- ja elektroniikkalaitteet S380-12 Safety (RAMS). Part 1: Generic RAMS process Esikuva: pren 50126-1:2012 S381-12 Safety (RAMS). Part 2: Systems

Lisätiedot

Exercise 1. (session: )

Exercise 1. (session: ) EEN-E3001, FUNDAMENTALS IN INDUSTRIAL ENERGY ENGINEERING Exercise 1 (session: 24.1.2017) Problem 3 will be graded. The deadline for the return is on 31.1. at 12:00 am (before the exercise session). You

Lisätiedot

KONEISTUSKOKOONPANON TEKEMINEN NX10-YMPÄRISTÖSSÄ

KONEISTUSKOKOONPANON TEKEMINEN NX10-YMPÄRISTÖSSÄ KONEISTUSKOKOONPANON TEKEMINEN NX10-YMPÄRISTÖSSÄ https://community.plm.automation.siemens.com/t5/tech-tips- Knowledge-Base-NX/How-to-simulate-any-G-code-file-in-NX- CAM/ta-p/3340 Koneistusympäristön määrittely

Lisätiedot

HYÖDYNNÄ SUBSCRIPTION-ETUSI

HYÖDYNNÄ SUBSCRIPTION-ETUSI HYÖDYNNÄ SUBSCRIPTION-ETUSI KIRJAUTUMINEN SUBSCRIPTION CENTERIIN Autodesk Subscription sopimuksella saat kaikki edut irti ohjelmistostasi. Tässä ohjeessa käydään läpi kuinka kirjaudut Subscription Centeriin,

Lisätiedot

ABB Oy Domestic Sales 20.10.2015 Harri Liukku Aurinkosähköjärjestelmät Kytkennät

ABB Oy Domestic Sales 20.10.2015 Harri Liukku Aurinkosähköjärjestelmät Kytkennät ABB Oy Domestic Sales 20.10.2015 Harri Liukku Aurinkosähköjärjestelmät Kytkennät ABB Group ABB on johtava sähkövoima- ja automaatioteknologiayhtymä. Potentiaalisina kasvualueina uusiutuva energia ja liikenteen

Lisätiedot

TM ETRS-TM35FIN-ETRS89 WTG

TM ETRS-TM35FIN-ETRS89 WTG SHADOW - Main Result Assumptions for shadow calculations Maximum distance for influence Calculate only when more than 20 % of sun is covered by the blade Please look in WTG table 5.11.2013 16:44 / 1 Minimum

Lisätiedot

Lausuntopyyntöluettelo HUOM. Komiteoiden ja seurantaryhmien kokoonpanot on esitetty SESKOn komitealuettelossa

Lausuntopyyntöluettelo HUOM. Komiteoiden ja seurantaryhmien kokoonpanot on esitetty SESKOn komitealuettelossa 1(9) CLC/TC 34 EN 62442-3:2014/prA1 Energy performance of lamp controlgear - Part 3: Controlgear for halogen lamps and LED modules - Method of measurement to determine the efficiency of the controlgear

Lisätiedot

WindPRO version joulu 2012 Printed/Page :47 / 1. SHADOW - Main Result

WindPRO version joulu 2012 Printed/Page :47 / 1. SHADOW - Main Result SHADOW - Main Result Assumptions for shadow calculations Maximum distance for influence Calculate only when more than 20 % of sun is covered by the blade Please look in WTG table WindPRO version 2.8.579

Lisätiedot

16. Allocation Models

16. Allocation Models 16. Allocation Models Juha Saloheimo 17.1.27 S steemianalsin Optimointiopin seminaari - Sks 27 Content Introduction Overall Efficienc with common prices and costs Cost Efficienc S steemianalsin Revenue

Lisätiedot

TM ETRS-TM35FIN-ETRS89 WTG

TM ETRS-TM35FIN-ETRS89 WTG SHADOW - Main Result Assumptions for shadow calculations Maximum distance for influence Calculate only when more than 20 % of sun is covered by the blade Please look in WTG table 22.12.2014 11:33 / 1 Minimum

Lisätiedot

TM ETRS-TM35FIN-ETRS89 WTG

TM ETRS-TM35FIN-ETRS89 WTG SHADOW - Main Result Calculation: N117 x 9 x HH141 Assumptions for shadow calculations Maximum distance for influence Calculate only when more than 20 % of sun is covered by the blade Please look in WTG

Lisätiedot

TM ETRS-TM35FIN-ETRS89 WTG

TM ETRS-TM35FIN-ETRS89 WTG SHADOW - Main Result Assumptions for shadow calculations Maximum distance for influence Calculate only when more than 20 % of sun is covered by the blade Please look in WTG table WindPRO version 2.8.579

Lisätiedot

TM ETRS-TM35FIN-ETRS89 WTG

TM ETRS-TM35FIN-ETRS89 WTG SHADOW - Main Result Assumptions for shadow calculations Maximum distance for influence Calculate only when more than 20 % of sun is covered by the blade Please look in WTG table WindPRO version 2.8.579

Lisätiedot

Toimisto (5) HUOM. Komiteoiden ja seurantaryhmien kokoonpanot on esitetty SESKOn komitealuettelossa

Toimisto (5) HUOM. Komiteoiden ja seurantaryhmien kokoonpanot on esitetty SESKOn komitealuettelossa Toimisto 2012-12-31 1(5) CENELEC SC 9XB Kulkuneuvojen sähkömekaaniset laitteet S408-12 Railway applications. Rolling stock. 3-phase shore (external) supply system for rail vehicles Esikuva: CLC/FprTS 50546:2012

Lisätiedot

TUOTTEEN TEKNISET TIEDOT 250/ /700 P5

TUOTTEEN TEKNISET TIEDOT 250/ /700 P5 250/120 277/700 P5 OPTOTRONIC Elektroninen liitäntälaite ledimoduuleille (vakiovirta) SSOVELLUSALUEET Katu- ja kaupunkivalaistus Teollisuus Sopii suojausluokan I valaisimiin TUOTE-EDUT Vahva ylijännitesuojaus:

Lisätiedot

TM ETRS-TM35FIN-ETRS89 WTG

TM ETRS-TM35FIN-ETRS89 WTG SHADOW - Main Result Assumptions for shadow calculations Maximum distance for influence Calculate only when more than 20 % of sun is covered by the blade Please look in WTG table WindPRO version 2.9.269

Lisätiedot

Metsälamminkankaan tuulivoimapuiston osayleiskaava

Metsälamminkankaan tuulivoimapuiston osayleiskaava VAALAN KUNTA TUULISAIMAA OY Metsälamminkankaan tuulivoimapuiston osayleiskaava Liite 3. Varjostusmallinnus FCG SUUNNITTELU JA TEKNIIKKA OY 12.5.2015 P25370 SHADOW - Main Result Assumptions for shadow calculations

Lisätiedot

Tynnyrivaara, OX2 Tuulivoimahanke. ( Layout 9 x N131 x HH145. Rakennukset Asuinrakennus Lomarakennus 9 x N131 x HH145 Varjostus 1 h/a 8 h/a 20 h/a

Tynnyrivaara, OX2 Tuulivoimahanke. ( Layout 9 x N131 x HH145. Rakennukset Asuinrakennus Lomarakennus 9 x N131 x HH145 Varjostus 1 h/a 8 h/a 20 h/a , Tuulivoimahanke Layout 9 x N131 x HH145 Rakennukset Asuinrakennus Lomarakennus 9 x N131 x HH145 Varjostus 1 h/a 8 h/a 20 h/a 0 0,5 1 1,5 km 2 SHADOW - Main Result Assumptions for shadow calculations

Lisätiedot

,0 Yes ,0 120, ,8

,0 Yes ,0 120, ,8 SHADOW - Main Result Calculation: Alue 2 ( x 9 x HH120) TuuliSaimaa kaavaluonnos Assumptions for shadow calculations Maximum distance for influence Calculate only when more than 20 % of sun is covered

Lisätiedot

Särmäystyökalut kuvasto Press brake tools catalogue

Särmäystyökalut kuvasto Press brake tools catalogue Finnish sheet metal machinery know-how since 1978 Särmäystyökalut kuvasto Press brake tools catalogue www.aliko.fi ALIKO bending chart Required capacity in kn (T) in relation to V-opening. V R A S = plates

Lisätiedot

( ,5 1 1,5 2 km

( ,5 1 1,5 2 km Tuulivoimala Rakennukset Asuinrakennus Liikerak. tai Julkinen rak. Lomarakennus Teollinen rakennus Kirkollinen rakennus Varjostus "real case" h/a 1 h/a 8 h/a 20 h/a 4 5 3 1 2 6 7 8 9 10 0 0,5 1 1,5 2 km

Lisätiedot

TM ETRS-TM35FIN-ETRS89 WTG

TM ETRS-TM35FIN-ETRS89 WTG SHADOW - Main Result Assumptions for shadow calculations Maximum distance for influence Calculate only when more than 20 % of sun is covered by the blade Please look in WTG table WindPRO version 2.8.579

Lisätiedot

Choose Finland-Helsinki Valitse Finland-Helsinki

Choose Finland-Helsinki Valitse Finland-Helsinki Write down the Temporary Application ID. If you do not manage to complete the form you can continue where you stopped with this ID no. Muista Temporary Application ID. Jos et onnistu täyttää lomake loppuun

Lisätiedot

tästä eteenpäin? Kimmo Konkarikoski

tästä eteenpäin? Kimmo Konkarikoski Rakennusten energiatehokkuuden EPBstandardipaketti - mitä muuttuu, miten tästä eteenpäin? Kimmo Konkarikoski Sisältö EPBD - Energy Performance of Buildings Direktiivi toinen uusinta vireillä 2018-2020

Lisätiedot

TM ETRS-TM35FIN-ETRS89 WTG

TM ETRS-TM35FIN-ETRS89 WTG SHADOW - Main Result Assumptions for shadow calculations Maximum distance for influence Calculate only when more than 20 % of sun is covered by the blade Please look in WTG table WindPRO version 2.8.579

Lisätiedot

Air Comfort. VEKA ver C.» Spare parts/reservdelar/varaosat

Air Comfort. VEKA ver C.» Spare parts/reservdelar/varaosat Air Comfort Air Treatment VEKA ver C VEKA ver C Supply air unit/tilluftsaggregat/ Tuloilmalaite» Spare parts/reservdelar/varaosat 2 Supply air unit/tilluftsaggregat/tuloilmalaite Spare parts/reservdelar/varaosat

Lisätiedot

Optivent ERPA Modbus q

Optivent ERPA Modbus q W 4*W 3 Ø46 mm 3b 3a 3b MM Specifications are subject to alteration. Rätt till ändringar förbehålles. Pidätämme oikeuden muutoksiin. FIFLO GB/FI/SV 06.0 Copyright Fläkt Woods Group 06. All rights reserved.

Lisätiedot

Aiming at safe performance in traffic. Vastuullinen liikenne. Rohkeasti yhdessä.

Aiming at safe performance in traffic. Vastuullinen liikenne. Rohkeasti yhdessä. Aiming at safe performance in traffic Vastuullinen liikenne. Rohkeasti yhdessä. Medical doctors promoting traffic safety Jukka Terttunen Traffic Medicine Unit Finnish Traffic Safety Agency Vastuullinen

Lisätiedot

( ( OX2 Perkkiö. Rakennuskanta. Varjostus. 9 x N131 x HH145

( ( OX2 Perkkiö. Rakennuskanta. Varjostus. 9 x N131 x HH145 OX2 9 x N131 x HH145 Rakennuskanta Asuinrakennus Lomarakennus Liike- tai julkinen rakennus Teollinen rakennus Kirkko tai kirkollinen rak. Muu rakennus Allas Varjostus 1 h/a 8 h/a 20 h/a 0 0,5 1 1,5 2 km

Lisätiedot

Security server v6 installation requirements

Security server v6 installation requirements CSC Security server v6 installation requirements Security server version 6.4-0-201505291153 Pekka Muhonen 8/12/2015 Date Version Description 18.12.2014 0.1 Initial version 10.02.2015 0.2 Major changes

Lisätiedot

Tilausvahvistus. Anttolan Urheilijat HENNA-RIIKKA HAIKONEN KUMMANNIEMENTIE 5 B RAHULA. Anttolan Urheilijat

Tilausvahvistus. Anttolan Urheilijat HENNA-RIIKKA HAIKONEN KUMMANNIEMENTIE 5 B RAHULA. Anttolan Urheilijat 7.80.4 Asiakasnumero: 3000359 KALLE MANNINEN KOVASTENLUODONTIE 46 51600 HAUKIVUORI Toimitusosoite: KUMMANNIEMENTIE 5 B 51720 RAHULA Viitteenne: Henna-Riikka Haikonen Viitteemme: Pyry Niemi +358400874498

Lisätiedot

Käyttöohje. USB Charger UCH20

Käyttöohje. USB Charger UCH20 Käyttöohje USB Charger UCH20 Sisältö Johdanto... 3 USB Charger: Tietoja... 3 USB-laturin käyttäminen... 4 Laitteen akun lataaminen...4 Juridiset tiedot...5 Declaration of Conformity...6 2 Johdanto USB

Lisätiedot

WAMS 2010,Ylivieska Monitoring service of energy efficiency in housing. 13.10.2010 Jan Nyman, jan.nyman@posintra.fi

WAMS 2010,Ylivieska Monitoring service of energy efficiency in housing. 13.10.2010 Jan Nyman, jan.nyman@posintra.fi WAMS 2010,Ylivieska Monitoring service of energy efficiency in housing 13.10.2010 Jan Nyman, jan.nyman@posintra.fi Background info STOK: development center for technology related to building automation

Lisätiedot

S-55.1100 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA

S-55.1100 SÄHKÖTEKNIIKKA JA ELEKTRONIIKKA S-55.1100 SÄHKÖTKNIIKKA JA KTONIIKKA 2. välikoe 5.5.2008. Saa vasaa vain neljään ehävään! Kimmo Silven 1. aske vira. = 1 kω, = 2 kω, 3 = 4 kω, = 10 V. Diodin ominaiskayra, aseikko 0... 4 ma + 3 Teh. 2.

Lisätiedot

Secto Design Oy Kauppalantie 12 02700 Kauniainen Finland tel. +358 9 5050598 fax +358 9 5475 2535 info@sectodesign.fi www.sectodesign.

Secto Design Oy Kauppalantie 12 02700 Kauniainen Finland tel. +358 9 5050598 fax +358 9 5475 2535 info@sectodesign.fi www.sectodesign. Secto Design Oy Kauppalantie 12 02700 Kauniainen Finland tel. +358 9 5050598 fax +358 9 5475 2535 info@sectodesign.fi www.sectodesign.fi Secto 4200 pendant natural birch, black or white laminate, walnut

Lisätiedot

2. Miten aaltomuodot luokitellaan? Millaisia aaltomuotoja etenee koaksiaalijohdossa, suorakulmaisessa aaltoputkessa ja mikroliuskajohdossa?

2. Miten aaltomuodot luokitellaan? Millaisia aaltomuotoja etenee koaksiaalijohdossa, suorakulmaisessa aaltoputkessa ja mikroliuskajohdossa? TIETOLIIKENNELABORATORIO RADIOTEKNIIKAN PERUSTEET Tentti 3.4.27 1. Selosta lyhyesti: a) Symbolit ja yksiköt sähkökentälle, magneettikentälle, sähkövuon tiheydelle ja magneettivuon tiheydelle. b) Kenttien

Lisätiedot

Uusia kokeellisia töitä opiskelijoiden tutkimustaitojen kehittämiseen

Uusia kokeellisia töitä opiskelijoiden tutkimustaitojen kehittämiseen The acquisition of science competencies using ICT real time experiments COMBLAB Uusia kokeellisia töitä opiskelijoiden tutkimustaitojen kehittämiseen Project N. 517587-LLP-2011-ES-COMENIUS-CMP This project

Lisätiedot

TM ETRS-TM35FIN-ETRS89 WTG

TM ETRS-TM35FIN-ETRS89 WTG SHADOW - Main Result Assumptions for shadow calculations Maximum distance for influence Calculate only when more than 20 % of sun is covered by the blade Please look in WTG table WindPRO version 2.8.579

Lisätiedot

Laatu yritystoiminnan ytimessä. Junnu Lukkari 19.2.2015

Laatu yritystoiminnan ytimessä. Junnu Lukkari 19.2.2015 Laatu yritystoiminnan ytimessä Junnu Lukkari 19.2.2015 Mitä on laatu? Laatu on.. suitability for its intended purpose Wikipedia Fitness for use Joseph M. Juran "Quality in a product or service is not what

Lisätiedot

TM ETRS-TM35FIN-ETRS89 WTG

TM ETRS-TM35FIN-ETRS89 WTG SHADOW - Main Result Assumptions for shadow calculations Maximum distance for influence Calculate only when more than 20 % of sun is covered by the blade Please look in WTG table WindPRO version 2.8.579

Lisätiedot

Security server v6 installation requirements

Security server v6 installation requirements CSC Security server v6 installation requirements Security server version 6.x. Version 0.2 Pekka Muhonen 2/10/2015 Date Version Description 18.12.2014 0.1 Initial version 10.02.2015 0.2 Major changes Contents

Lisätiedot