5-81.312 Tehoelekroniikan komponeni Teni 1.3.28, kello 13... 16, sali Sl Papereihin - sukunimi ja eunime - opiskelijanumero - kouluusohjelma. J. Niiranen 1 (5) Tenissä salliu apuvälinee - lqmä, kumi jne. - askulaskin - lukion kaavakokoelma ms. + Laplace aulu 1. Selvia lyhyesi (max. 2...4 lausea + mahdollinen kuva), miä seuraavilla ermeillä arkoieaan - FZ-meneelmä - Darlin gon-ransisori - PT rakenne - NTC-vasus - liihivaikuus. 2. Esiele IGBT :n rakenne, oiminape naae ja ominaisuude. 3. Selviä, miä vaikeuksia on puolijohdeehokomponenien rinnankykennässä ja miä meneelmiä on käyeiivissä niiden voiamiseen. Mien diodien sekä MOSFET- ja IGBT-ransisorien ominai suude vaikuava niiden oiminaan rinnankykennässä? 4. Eräåin laieen hakkurieholiiheen ehopuolijoheiden jäähdlkniseksi luonnollisella uuleuksella on aiou muooilla laieen akaseinä oheisen kuvan mukaiseksi rivoiukseksi (vain yhden komponenin osuus esieffy). Kuinka suuri saa komponenin häviöeho korkeinaan o1la, kun akaseinåin sisåipinnan l?impöila ei saa yliriä 8 "C liimpöilaa ulkoiåimpöilan oliessa 5 "C? KäyäkaavaaÄh = ll,7 A4'7 Pf' jossa R16 on l?impövasus, yksikkö K/W, A onpna-ala neliödesimereissä ja Ps häviöeho waeina. Tehävässä oleeaan, eä laieen sisäilä ei ilma kierrä. Takaseinän korkeus 6 mm 5. Kolmea yrisori/diodi -moduulia SKKH 42ll6E (daalehi oheisena) kiiyeiiin allaolevasaa kolmivaiheisessa asasuunaajasillassa. Mikä on moduulien yheisen jä:ihdyryselemenin lämpövasuksen Ä6,1r-u'y olava, joa sila kykenisi syöiimiiiin 8 A asavinan jiifidyysilman låimpöilan ollessa 65 "C?
2 Vnsrv Vnnl,,Vonr,r Irnus= 75 A (maxlmumvalueor coninuousoperaion) 8 12 14 16 18 9 13 '15 17 19 SKKT 42lO8E SKKT 42fi2E SKKT 42l14E SKKT 42116E SKKT 42118E Symbol C o ndi i ons Inv lp Inus looi I no T ri= 25 " C ; 1 ms T y l= 125 " C ; 1 ms T v = 25 ' C ; 8,3 " ' 1 ms Tu= ; 125' C ; 8,3... 1 ms T v i = 25 " C ; 11=2 A T vi= 125 " C T y;= 125 " C T u i = 125' C ; V no= V nr uiv oo= V onn "go Ior oc; 16= 1 A; die/d = 1 A/!s Tyi= 25 Vo=, 6 7 *V o n u r lrsv i2 VT(TO) l'1 aluminium ihrougl' isolaedmeal (di/d)c, (dv/d)., I" joinsfor hi$h fieno.e 63 532 lp ll VGT lor Ve o leo oos; 5i,mäcfrine f söf!sarers räcönrol ii öhemicäl lighdimm!ng. s i n. 18;Tc = 85 (' )" C P3/18;T" = 45 " C ; 82 / 86 P3/18F;Ta = 35 ' C, 82 /86 P3/18F;Ta = 35 " C ; W 1 / W 3 R'(j-") Rn-c) Rn(j-.) Rr(c-s) T,vl Tu1= Tvj= T u ;= 1,j= Tui= 125 "C 125 "C 125 " C 25 " C ; Y P/' max. 25 'C; Ro = 33 O; YP./ max. 25 " C ; d.c. 25 " C ; d.c. 125 " C ; d.c. '125 'C; d.c. con.;per hyrisor/ Permodule / P ermodul e s i n. 18;per hyri sor rec. 12;per hyrisor/ Permodule per hyrisor/ Permodule T ri= T ri= T,i= Tvi= Tsq Ms M a. c. 5 H z; r.m.s.;1 s / 1 mi n. o heasink o erminals m approx. Case SKKT SKKT...B SKKH v isol insrucions assembly ji,,jri;ll SKKT 42BO8E SKKT 42812E SKKT 42814E SKKT 42816E SKKT 42818E SKKH 4AO8E SKKH 4U12E SKKH 4414E SKKH 4U16E SKKH 42118E,Values,,,,Unis 4 (28 ) 5/6 85/11 11/3" 85 ö5u 5 36 max.1,95 ' A A A2s A2s 4,5 max.15 1 mo z ps ma lr- A/ps max.15 max. v/us 8 us 15 I 25 3 / 6 mi n.3 mi n.15 max.,25 max.6 l(w,65/,33,69/ ;35 r(w,731,37 (w r(w,2,1-4... + 125 oc - 4... + 125 36/ 3 Nm 5r15% r) Nm 3+ 15% m/s2 5. 9,81 95 s 446 448 447
lr - 12 \ _,8 u,o * nru.a ll 75 Pnv lrnv 1 2 3 4 5 A 6 perhyrisor vs. am Fig.1R Powerdissipaion FiE.ilL,iPö14rröjl$ipäionpe,h 2 15 5 Pvo, 2 lrn4 4 6 BO 1oo A 12 per modulevs' Fig.2R Powerdissipaion q rig',);'p.5 oissioaion 4 3 1 D I Vlol Pvo o lo 2 4 6 Bo 1 o o 4 12 Fig.3L Powerdi.ipuionof *o *odulesvs.direc il:'!r,11 li;r.,+l T^ " c of wo modulel Fig,3R Powerdissipaion 1b
5 64 Tc 74 4 84 94 14 114 D rc 124 U Ta 15 cc Fig.4R Powerdissipaionof hree modulesvs:cås Zn, 1,1,1 1 1 s '1 Fig.6 Transienhermalimpedance vs. ime SKKT42.xls-9 2 lr(ov) lrsv \-%. SKKT42 'f %. SKKH42 1,6 = A 1,"-,,"..., = 85 A lrsh.l(rzs.c) il l,4 1,8,6,4 1 1 Fig,I Surgeoverloadcurrenvs. ime ms I
, 1 Fig.9 Gaeriggercharacerisics. inmm Dimensions L K G K G 8 93 No warranyor guaranee Thisechnicalinformaion specifiessemiconducor devicesbu promisesno characerisics. impliedis made regardingdelivery,per{ormance or suiabiliy.
S - s 3l o k^ 4* la, 3 " f#ag e l u *.le r-fna i, i" ri; ku rrgo n{'r-!j Ka4rr ^ I 1(2) -/ - l,{ä.ä{ '7 l* ): {olro k ;r1^ -; l ' 4 /e 4Tava P,-o''' 71 -Ta I s - /* ; /nai4;").o-i io /euo n i j--,--,//rrrri^noll i.: ' ir,,- r rrlr i 6^*, = 81'On-" = OXJ-2 i'os e/enear\u y/å - _i^_oler=äi^ e; l"r-r;j^ ;,h -o/a " 6'/I:5)^=?fA*a = O,O?fJ*2 n;:r; v;'///å *,a l/a' /;;h ) PF 8, - 5-o hex i,;=qbrö;7-l,f 4e--
S -8/, 3lla Tehuel ' /"*/ 7?o'1y''' /' i'!#ils '{'n/l e{s} hra D c\1a lehd.fi siv,,l-lc, -, ' l rr..--l--.--.1:".i-,,,'.":-..].!.'. I /& / oa ^un R4c-s) = a I R/w Va,oL^h,r' r' )1 " Kuvig-pqr sla fl io'? R SadÅcnqn riirianä/1å -r rr K : -.. 'J' ^...,^J: 'l )l,- ^l.,.,,j, /rray'rr) Ln,"^.,\ r.1, lb 'Yn oäei:e.! surra-l I ä^pö nasl'ro;:!':, Rn! :-,^)..,^'''^',^ (y 5 i+ 3. SKKT 42 3. SKKH 42 SKKTo42.ds{L 5 W 4,1 r,8-,6,4 SKKTM2.is-4R oq T 74 14 D I Vo D 114.c lo, Inrus so g^ 4 15 u T" 5 6rL r 'lso 'Power dissipaion'of hree modules vs. direc and l. nq1ha^ i Kuvas ^ I r, r J-, 116^9rran I Tqnnu) Fig. 4F Power dissipaion of hree modules vs. case B6 l^jl fc,r4orf4c &:xu'/--ig"r-lri-r, si l^y,,:, )u k,4 - \ / / /'' ' i" le h 'a y'å mry e Tåg*'. -{4{^g!.,y K^ *, :, '! I{.9 l, siiq' f * 14";lc, ( uo /, /u l/r, no) ky 7 ne1f<, l,ä å *'u^ 4e, '?lr:-. lg' y :a 4 f; 5 ) Y TT {- - J].. VfiTe e4 7-!:f\,: / r/qrra(._._4a --':.'_.-:-- --':'*-' l: il, / j -l I var'k au fl{,a '/' i len.l f e, r''l f gff& /6d.l Jl Pi asv' ^rr,r i I I' iad^hdyfys *urgayg;, y e-/emqnvn &1, (*s1 : O, s rf l(,/ \lh ( c-a) = U. l) '/v Tehlä"e 'r1,. " vo) fc"flerf-'fa rn vös / -lj norlelia j ffiuallr^ 'arr" lla,